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數(shù)據(jù)中心用碳化硅半導(dǎo)體

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數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動器在碳化硅器件中的應(yīng)用

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2025-08-27 16:17:431260

碳化硅襯底 TTV 厚度測量中邊緣效應(yīng)的抑制方法研究

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碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢

隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC,SiliconCarbide)憑借其卓越的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性能
2025-08-25 14:10:301466

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401082

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

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2025-08-20 12:01:02551

碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)突圍:大數(shù)據(jù)平臺驅(qū)動技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu),邁向功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

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2025-08-19 13:47:58904

派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

在 AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運行,派恩杰第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。
2025-08-18 15:56:311137

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測量中表面粗糙度對結(jié)果的影響研究

理論依據(jù)。 引言 在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅襯底的質(zhì)量對芯片性能和良率起著決定性作用,晶圓總厚度變化(TTV)作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其精確測量至關(guān)重
2025-08-18 14:33:59454

【新啟航】國產(chǎn) VS 進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的性價比分析

本文通過對比國產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護(hù)成本等方面的差異,深入分析兩者的性價比,旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購測量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù),助力優(yōu)化資源配置。 引言 在
2025-08-15 11:55:31707

碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

,為半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定運行提供支持。 引言 在碳化硅半導(dǎo)體制造過程中,TTV 厚度測量數(shù)據(jù)是評估襯底質(zhì)量的關(guān)鍵依據(jù)。然而,受測量設(shè)備性能波動、環(huán)境變化、樣品特性
2025-08-14 13:29:381027

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的精度提升策略

提供理論與技術(shù)支持。 引言 隨著碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對碳化硅襯底質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛,晶圓總厚度變化(TTV)作為關(guān)鍵質(zhì)量指標(biāo),其精確測量至關(guān)重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20:16778

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測量中的各向異性干擾問題

摘要 本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究,深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理,提出多種解決策略,旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準(zhǔn)確性與可靠性,為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求

B2M030120N SiC碳化硅MOSFET完美契合半導(dǎo)體射頻電源對效率、可靠性和緊湊化的嚴(yán)苛需求
2025-07-23 18:09:07688

碳化硅晶圓特性及切割要點

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性能
2025-07-15 15:00:19960

博世上海碳化硅功率半導(dǎo)體實驗室介紹

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電動化、智能化轉(zhuǎn)型,碳化硅功率器件憑借其高效率、高功率密度和耐高溫特性,正成為下一代電驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。在此背景下,2025年1月,在上海正式設(shè)立碳化硅功率半導(dǎo)體研發(fā)與測試實驗室,旨在面向本土市場,提供領(lǐng)先的碳化硅產(chǎn)品研發(fā)、測試及驗證能力,助力客戶高性能電驅(qū)產(chǎn)品落地。
2025-06-27 11:09:561064

基本股份SiC功率模塊的兩電平全碳化硅混合逆變器解決方案

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28492

簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一種新興的半導(dǎo)體材料,因其優(yōu)越的電氣特性和熱穩(wěn)定性,正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅(Si)材料,成為功率器件領(lǐng)域的重要選擇。SiC功率器件以其高效率、高溫耐受性
2025-06-18 17:24:241467

SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixabay、Pexels單晶方面,碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57974

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)高效且可靠的解決方案。
2025-06-13 09:34:061290

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析 切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28536

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54831

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體憑借其卓越的物理特性,正逐步取代
2025-06-09 07:07:17728

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

從Wolfspeed破產(chǎn)到中國碳化硅崛起:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為碳化硅(SiC)領(lǐng)域的先驅(qū),Wolfspeed
2025-05-21 09:49:401086

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片,SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC
2025-05-10 13:38:19860

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅
2025-05-04 09:42:31740

基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561

碳化硅功率器件有哪些特點

隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討碳化硅功率器件的特點及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031081

碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢。
2025-04-09 18:02:041275

麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57

先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

本文聚焦于先進(jìn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù),闡述其基本概念、關(guān)鍵技術(shù)、面臨挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。碳化硅功率半導(dǎo)體憑借低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在移動應(yīng)用功率密度提升的背景下
2025-04-08 11:40:331493

碳化硅VS硅基IGBT:誰才是功率半導(dǎo)體之王?

半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中,功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件,其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅(SiC)功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊作為當(dāng)前市場上
2025-04-02 10:59:415534

東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價暴跌(單日跌幅超50%)、財務(wù)困境與德國30億歐元項目擱淺危機(jī),折射出歐美與中國在SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競爭中
2025-03-31 18:03:08982

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅器件(Si)與碳化硅(SiC)器件的比較 特性 Si 4H-SiC GaN 禁帶能量(eV) 1.12
2025-03-12 11:31:09897

中國制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場需求共振 ,實現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競爭”的跨越。這一進(jìn)程不僅提升了中國在高端制造領(lǐng)域
2025-03-09 09:21:062007

安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路

近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發(fā)展歷程,不難看出國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體必須走自立自強(qiáng)與突圍之路:從合資依賴到自主創(chuàng)新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016

BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解

碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F 通過技術(shù)整合與設(shè)計創(chuàng)新,完美適配SiC器件的需求,成為推動硅基向碳化硅升級的核心驅(qū)動方案。
2025-03-01 10:16:091311

超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析。
2025-03-01 08:53:441053

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31752

三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項目通線

三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡稱安意法),全面落成后預(yù)計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預(yù)計將在2025年四季度投產(chǎn),屆時將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)?;慨a(chǎn)線。
2025-02-27 18:12:341590

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾?。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291400

碳化硅功率器件的特性和應(yīng)用

隨著全球能源需求的快速增長和對可再生能源的重視,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著前所未有的變革。在這一過程中,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)越的性能,正在逐步取代傳統(tǒng)硅(Si
2025-02-25 13:50:111608

納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381784

碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者

)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 ? 圖
2025-02-22 13:55:371075

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設(shè)計要素的平衡,已在廣泛例中得到驗證,為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。
2025-02-19 11:35:411716

納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121950

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應(yīng)用中會
2025-02-03 14:22:001255

碳化硅的缺陷分析與解決方案

碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位錯、堆垛層錯等,會嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142515

碳化硅的耐高溫性能

在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料,具有高硬度
2025-01-24 09:15:483085

碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032590

碳化硅半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅(SiC)是一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。由于其寬帶隙特性,SiC基半導(dǎo)體器件能夠在
2025-01-23 17:06:132593

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測量這些參數(shù)對于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

革新電源體驗!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢來襲

隨著可再生能源、電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表,碳化硅憑借其優(yōu)異的高壓
2025-01-21 16:39:42787

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

不同的碳化硅襯底的吸附方案,對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上的砝碼,細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394

安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個步驟

在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)、安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。本文為白皮書第三篇,將重點介紹應(yīng)用于柵極的 5 個步驟。
2025-01-09 10:31:47916

安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢。
2025-01-07 10:18:48917

減少減薄碳化硅紋路的方法

碳化硅(SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個重要環(huán)節(jié),它可以提高
2025-01-06 14:51:09392

天域半導(dǎo)體IPO:國內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

片銷量第一,營收受市場價格下跌明顯 當(dāng)前,天域半導(dǎo)體已經(jīng)成為中國首家技術(shù)領(lǐng)先的專業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商,其及其技術(shù)可以用于在汽車、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達(dá)及家用電器等場景。同時也是中國首批實現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延片量產(chǎn)的公司之一,以及中國首
2025-01-06 06:58:004475

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