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標(biāo)簽 > 碳化硅mosfet
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傾佳電子T型三電平逆變器應(yīng)用綜合分析:B3M010C075Z與B3M013C120Z碳化硅MOSFET黃金組合的性能與價值
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2035年中國能源目標(biāo)下的全球風(fēng)光儲市場趨勢、電力電子發(fā)展及碳化硅MOSFET技術(shù)支撐深度分析
2035年中國能源目標(biāo)下的全球風(fēng)光儲市場趨勢、電力電子發(fā)展及碳化硅MOSFET技術(shù)支撐深度分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)...
傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)(DESAT)深度研究報告
傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)(DESAT)深度研究報告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的...
Wolfspeed推出新型頂部散熱(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗
Wolfspeed 推出新型頂部散熱(TSC) 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化...
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.3萬 0
瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展
日前,瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了在碳化硅、IGBT...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET通過技術(shù)優(yōu)勢推動GB20943-2025能效新標(biāo)準(zhǔn)的實現(xiàn)
GB20943-2025標(biāo)準(zhǔn)的核心更新內(nèi)容,基于GB20943-2025能效標(biāo)準(zhǔn)的國產(chǎn)SiC MOSFET技術(shù)優(yōu)勢分析以及產(chǎn)生的功率半導(dǎo)體行業(yè)變革: G...
2025-03-03 標(biāo)簽:碳化硅MOSFET 733 0
經(jīng)濟(jì)晚報:第九屆“創(chuàng)客中國”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯獲一等獎
8月1日,由上饒市工信局、市財政局、市促進(jìn)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室聯(lián)合主辦的第九屆“創(chuàng)客中國”上饒市中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽精彩開賽,來自全市工業(yè)領(lǐng)域...
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...
碳化硅MOS/超結(jié)MOS在直流充電樁上的應(yīng)用
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用,推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超結(jié)MOS系列
SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢壘二極管常用規(guī)格介紹
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為:KN3D060...
2023-02-21 標(biāo)簽:碳化硅半導(dǎo)體碳化硅MOSFET碳化硅二極管 3.9k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)在政策利好與自然資源緊張的驅(qū)使下,電動汽車的發(fā)展步入了正軌。隨著電動汽車基礎(chǔ)配套設(shè)施的不斷完善,以及技術(shù)的成熟,電動汽車在近...
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