芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問(wèn)題

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問(wèn)題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問(wèn)題和磷離子注入退火問(wèn)題。

2025-04-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體工藝 219 0

離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

本文簡(jiǎn)單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過(guò)程中，離子的分布狀況對(duì)器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝...

2025-01-21 標(biāo)簽：工藝離子注入 843 0

一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段，本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點(diǎn)。 ? 常見(jiàn)半導(dǎo)體晶圓材料是單晶硅，...

2025-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓離子注入 939 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 873 0

離子注入工藝的工作原理

單晶硅是一種絕緣體，因此它本身并不具備導(dǎo)電性。那么，我們?cè)撊绾问顾軌驅(qū)щ娔兀孔屛覀儊?lái)看一下硅的微觀結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標(biāo)簽：電源晶體工藝 1936 0

介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開(kāi)關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。

2024-02-23 標(biāo)簽：溫度傳感器壓力傳感器PN結(jié) 1223 0

什么是離子注入？離子注入的應(yīng)用介紹

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來(lái)改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過(guò)注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅mems離子注入 6009 0

探討碲鎘汞紅外探測(cè)器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測(cè)器工...

2023-09-29 標(biāo)簽：芯片探測(cè)器紅外探測(cè)器 3232 0

半導(dǎo)體離子注入工藝講解

阱區(qū)注入的工藝說(shuō)明如下圖所示，是高能量離子注入過(guò)程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。

2023-06-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝NMOS 7280 0

一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹

本文介紹了一種在MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù)：暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子...

2024-12-31 標(biāo)簽：MOSFET離子注入 1114 0

離子注入技術(shù)在晶硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

在晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)過(guò)程中，離子注入是一項(xiàng)非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉(zhuǎn)換率，實(shí)現(xiàn)在應(yīng)用中的精益有效?！该滥芄夥棺鳛橐患揖哂斜姸鄼z測(cè)電池和組...

2023-08-29 標(biāo)簽：太陽(yáng)能晶硅離子注入 1068 0

離子注入工藝原理介紹

四十五所作為國(guó)內(nèi)最大的濕化學(xué)設(shè)備供應(yīng)商之一，其設(shè)備涵蓋了半導(dǎo)體制造幾乎所有的濕化學(xué)制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機(jī)清...

2021-02-01 標(biāo)簽：自動(dòng)化半導(dǎo)體制造離子注入 6100 0

離子注入工藝仿真

離子注入作為半導(dǎo)體常用的摻雜手段，具有熱擴(kuò)散摻雜技術(shù)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。列表對(duì)比 摻雜原子被動(dòng)打進(jìn)到基板的晶體內(nèi)部，但是它是被硬塞進(jìn)去的，不是一個(gè)熱平衡下的...

2020-11-20 標(biāo)簽：晶圓仿真晶格 6059 0

離子注入設(shè)備和方法

離子注入設(shè)備和方法:最簡(jiǎn)單的離子注入機(jī)（圖2）應(yīng)包括一個(gè)產(chǎn)生離子的離子源和放置待處理物件的靶室。

2011-05-22 標(biāo)簽：離子注入 8162 0