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新聞 | 羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議
SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè) ROHM Co., Ltd. (以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型...
AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。...
R課堂 | PFC電路:死區(qū)時(shí)間理想值的考量
關(guān)鍵要點(diǎn) ?橋式電路中的死區(qū)時(shí)間設(shè)置與損耗和安全性有關(guān),因此需要充分確認(rèn)。 ?死區(qū)時(shí)間的理想值是不直通的最短時(shí)間。 ?由于開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)速度會(huì)受溫度和批...
2023-06-14 標(biāo)簽:羅姆 1753 0
6月研討會(huì)報(bào)名中 | 快來(lái)get新知識(shí)!
近年來(lái),隨著電動(dòng)汽車(chē)的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及,應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。GaN作為比肩SiC的第三代半導(dǎo)體,雖然在...
2023-06-14 標(biāo)簽:羅姆 430 0
R課堂 | 用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)您自己的DC-DC轉(zhuǎn)換器
通過(guò)使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,可以顯著抑制電路的發(fā)熱量,不僅更節(jié)能,還可以減小散熱器尺寸,從而能夠減小電路規(guī)模并設(shè)計(jì)出低發(fā)熱的電源電路。 目錄 用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器制作D...
2023-06-08 標(biāo)簽:羅姆 1023 0
新聞 | ROHM開(kāi)發(fā)出汽車(chē)內(nèi)飾用RGB貼片LED,減少由混色引起的色差問(wèn)題
有助于車(chē)內(nèi)功能和狀態(tài)顯示用的指示燈和裝飾照明實(shí)現(xiàn)目標(biāo)顏色 全球知名半導(dǎo)體制造商 ROHM (總部位于日本京都市)推出一款面向汽車(chē)內(nèi)飾的 RGB 貼片 L...
2023-06-08 標(biāo)簽:羅姆 887 0
直播來(lái)襲 | 6月研討會(huì)報(bào)名開(kāi)啟
近年來(lái),隨著電動(dòng)汽車(chē)的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及,應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。GaN作為比肩SiC的第三代半導(dǎo)體,雖然在...
2023-06-08 標(biāo)簽:羅姆 353 0
R課堂 | 安全使用三端穩(wěn)壓器必備的散熱基礎(chǔ)知識(shí)
三端穩(wěn)壓器是一種可以用來(lái)對(duì)電源進(jìn)行降壓的簡(jiǎn)單電子器件。由于降壓部分直接因發(fā)熱而成為熱損耗,因此在從很高的電壓降壓時(shí)或在大電流條件下使用時(shí),需要安裝合適的...
2023-05-31 標(biāo)簽:羅姆 1568 0
ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!
非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium...
2023-05-25 標(biāo)簽:羅姆 776 0
R課堂 | PMDE封裝二極管:產(chǎn)品陣容中又增14款新機(jī)型
ROHM在PMDE封裝二極管的產(chǎn)品陣容中又新增14款新機(jī)型,可滿足車(chē)載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種應(yīng)用的小型化需求。PMDE封裝是ROHM自有的小型封...
2023-05-25 標(biāo)簽:羅姆 983 0
新聞 | 羅姆發(fā)布2022財(cái)年財(cái)報(bào),銷售額連續(xù)兩年創(chuàng)新高
計(jì)劃在SiC業(yè)務(wù)領(lǐng)域累計(jì)投資5,100億日元,將產(chǎn)能提高35倍。2027財(cái)年將挑戰(zhàn)2,700億日元的銷售額 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市...
2023-05-25 標(biāo)簽:羅姆 703 0
R課堂 | 無(wú)線充電模塊“BP3621”和“BP3622”的開(kāi)箱以及接線說(shuō)明
※文章轉(zhuǎn)載自與非網(wǎng)羅姆技術(shù)社區(qū),作者為y369369 今天我們來(lái)測(cè)一測(cè),羅姆的充電模塊—— BP3621 (發(fā)射) 和 BP3622 (接收) ,羅姆的...
2023-05-17 標(biāo)簽:羅姆 2481 0
資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各...
2023-05-17 標(biāo)簽:羅姆 1017 0
~賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作~ 賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開(kāi)發(fā)Si...
2023-05-17 標(biāo)簽:羅姆 1499 0
隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度,相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模急劇擴(kuò)大,幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。
賽米控丹佛斯(總部位于德國(guó)紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市) 在開(kāi)發(fā)SiC(碳化硅) 功率模塊方面,已有十多年的良好合作關(guān)系。此次...
R課堂|以更小的體積實(shí)現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的性能,可靠性更高
ROHM在PMDE封裝二極管的產(chǎn)品陣容中又新增14款新機(jī)型,可滿足車(chē)載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種應(yīng)用的小型化需求。PMDE封裝是ROHM自有的小型封...
2023-04-19 標(biāo)簽:羅姆 831 0
新聞|同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)出色低噪聲特性和超快反向恢復(fù)時(shí)間的600V耐壓Super Junction MOSFET-R60xxRNx系列
有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量,并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super Ju...
2023-04-19 標(biāo)簽:羅姆 790 0
R課堂 | SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-總結(jié)
本文是“SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪...
2023-04-13 標(biāo)簽:羅姆 1621 0
MOSFET是具備比雙極晶體管更快的開(kāi)關(guān)速度和更低損耗的元器件,被廣泛用于汽車(chē)電子、電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等領(lǐng)域。未來(lái)隨著以ADAS為代表的汽車(chē)電子技術(shù)...
2023-04-13 標(biāo)簽:羅姆 537 0
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