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標(biāo)簽 > 脈沖測(cè)試
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雙脈沖測(cè)試的基本原理、基本實(shí)驗(yàn)以及波形
一般,我們是通過(guò)閱讀器件廠商提供的datasheet來(lái)了解一個(gè)器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,因此...
雙脈沖測(cè)試之開(kāi)關(guān)特性參數(shù)講解
功率開(kāi)關(guān)器件的規(guī)格書(shū)上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開(kāi)關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過(guò)靜態(tài)參數(shù)一體化測(cè)試機(jī)或者源表等設(shè)...
進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性,可以說(shuō)它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。
2023-07-12 標(biāo)簽:示波器脈沖測(cè)試延時(shí)校準(zhǔn) 5202 0
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
詳解半導(dǎo)體分立器件脈沖測(cè)試的必要性及相關(guān)要求
半導(dǎo)體分立器件通常包括二極管、三極管、MOS 埸效應(yīng)管、結(jié)型埸效應(yīng)管、可控硅、光電耦合器等各種器件。在對(duì)這些器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試時(shí),需要首先使被測(cè)試器件滿...
5分鐘帶你全面了解功率開(kāi)關(guān)器件雙脈沖測(cè)試
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試,通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測(cè)試功率開(kāi)關(guān)器件 4891 0
T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測(cè)試需求。
2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 4158 0
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー
在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)...
VCSEL常見(jiàn)測(cè)試參數(shù)特性分析VCSEL器件廣泛應(yīng)用于3D人臉識(shí)別和距離傳感。當(dāng)VCSEL陣列用于TOF模組,特別是激光雷達(dá)一類的dTOF系統(tǒng)時(shí),VCS...
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見(jiàn)的問(wèn)題
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
脈沖測(cè)試一定要做探頭的延時(shí)校準(zhǔn)
雙脈沖試驗(yàn)的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性,可以說(shuō)是伴隨著從R&D到應(yīng)用功率器件的整個(gè)生命周期?;陔p脈沖試驗(yàn)獲得的設(shè)備開(kāi)關(guān)波形可以做很多事...
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來(lái)說(shuō),不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來(lái)誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商,我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果,來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測(cè)試中的應(yīng)用
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對(duì)功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動(dòng)...
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果:雙脈沖測(cè)試比較
2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器源極 600 0
泰克科技測(cè)試方案:借助WBG-DPT軟件的新型軟件消偏方法加速雙脈沖測(cè)試
雙脈沖測(cè)試 精確的能量損耗測(cè)量是雙脈沖測(cè)試的關(guān)鍵目標(biāo)之一。消除電壓探頭和電流探頭之間的時(shí)序偏差是在示波器上進(jìn)行精確功率和能量測(cè)量的關(guān)鍵步驟。 適用于4B...
2025-06-25 標(biāo)簽:示波器脈沖測(cè)試混合信號(hào)示波器 496 0
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