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      標(biāo)簽　>　英諾賽科

      英諾賽科

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      英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。

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      英諾賽科簡(jiǎn)介

      　　英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

      　　英諾賽科已在激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無(wú)線充電、車(chē)載充電器、LED 燈照明驅(qū)動(dòng)等方面發(fā)布產(chǎn)品方案，并與國(guó)內(nèi)多家應(yīng)用頭部企業(yè)開(kāi)展深度合作，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體公司，在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)第三代半導(dǎo)體零的突破。

      　　我們的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)

      　　英諾賽科的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由半導(dǎo)體和（電力）電子行業(yè)的專(zhuān)家和資深人士組成。 他們均來(lái)自世界一流的領(lǐng)先公司，在硅基氮化鎵技術(shù)的開(kāi)發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。

      　　此外，為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力，并更加順利地推廣產(chǎn)品，英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專(zhuān)家，用于進(jìn)行面向特殊應(yīng)用和客戶的開(kāi)發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。

      　　英諾賽科（Innoscience）創(chuàng)立于2015年12月17日，旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體氮化鎵（GaN ）的生產(chǎn)基地。

      　　公司成立之初，英諾賽科的創(chuàng)始人就深知，如果想實(shí)現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上要進(jìn)行大規(guī)模推廣，還需要解決另外三個(gè)痛點(diǎn)：首先是成本，具備合理的價(jià)格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的爆發(fā)。第三，要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定，有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng)，客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)，無(wú)需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。因此，Innoscience 明白，只有擴(kuò)大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線，才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場(chǎng)上進(jìn)行大規(guī)模推廣的三個(gè)痛點(diǎn)（價(jià)格、數(shù)量和供應(yīng)安全）。

      　　從一開(kāi)始，英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓，與6英寸相比，8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時(shí)，英諾賽科采用C-MOS工藝，以便將多年來(lái)在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗(yàn)和優(yōu)化措施應(yīng)用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。

      　　今天，英諾賽科已實(shí)現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前，公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地，采用最先進(jìn)的8英寸生產(chǎn)工藝，是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。

      　　目前，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達(dá)到每月10000片，并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。

      　　我們能取得這些成就，離不開(kāi)招銀國(guó)際、ARM、SK和CATL等世界級(jí)投資方的支持。

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        瑞芯微電子有限公司（Fuzhou Rockchips Electronics CO., Ltd）主要致力于數(shù)字音視頻和廣播領(lǐng)域，為消費(fèi)品生產(chǎn)廠家提供從芯片到系統(tǒng)SoC軟件的整體解決方案。主要產(chǎn)品線包括：數(shù)字音視頻處理芯片、語(yǔ)言復(fù)讀機(jī)主控芯片以及數(shù)字電調(diào)諧收音機(jī)控制芯片。
      • 赫聯(lián)電子
        赫聯(lián)電子
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        Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來(lái)自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類(lèi)別，特別專(zhuān)注于互聯(lián)和機(jī)電產(chǎn)品。
      • 盛思銳
        盛思銳
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      • RISC-V
        RISC-V
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        RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開(kāi)源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開(kāi)源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
      • 魏少軍
        魏少軍
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      • 柔性顯示
        柔性顯示
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        柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是，低功耗，體積小，直接可視柔性。
      • 5G芯片
        5G芯片
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      • 梁孟松
        梁孟松
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        梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
      • 紫光展銳
        紫光展銳
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        紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來(lái)、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
      • 華為p10
        華為p10
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        北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
      • MACOM
        MACOM
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        MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過(guò)60年的歷史。總部設(shè)在美國(guó)洛厄爾，馬薩諸塞州。
      • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
        長(zhǎng)江存儲(chǔ)
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      • 安路科技
        安路科技
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        上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專(zhuān)注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
      • Uber
        Uber
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      • 驍龍835
        驍龍835
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        驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
      • 7nm
        7nm
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