英諾賽科

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英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。

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英諾賽科資訊

2024 APEC圓滿落幕，英諾賽在展會(huì)大放異彩

近日，備受矚目的國(guó)際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)APEC在美國(guó)洛杉磯盛大舉行。作為電力電子領(lǐng)域的年度盛事，APEC吸引了全球眾多知名企業(yè)的參與，他們紛紛帶來(lái)了最新...

2024-03-12 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 APEC 英諾賽科 1143 0

融資規(guī)模約3億美元！英諾賽科計(jì)劃最早于今年內(nèi)在香港進(jìn)行IPO

這家TOP 1 氮化鎵廠商終于要上市了！

2024-03-06 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 1983 1

英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級(jí)GaN推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場(chǎng)

英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級(jí)氮化鎵器件INN100W135A-Q，該器件已通過(guò)AEC-Q101 認(rèn)證，適用于自動(dòng)駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的車規(guī)...

2023-12-29 標(biāo)簽：氮化鎵激光雷達(dá)英諾賽科 1473 0

英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開(kāi)展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標(biāo)簽：氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1174 0

英諾賽科發(fā)布100V VGaN，支持48V BMS應(yīng)用

摘要：英諾賽科推出 100V 雙向?qū)ㄆ骷?，可在電池管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開(kāi)關(guān)、電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效應(yīng)用。 ? 英諾賽科宣布推出 ...

2023-10-13 標(biāo)簽：電池管理 GaN 英諾賽科 1383 0

基于InnoGaN ISG3201和INN040LA015A 設(shè)計(jì)的1KW DCDC電源模塊方案

繼420W 48V-5V、600W 48V-12V DCDC電源模塊后，英諾賽科又推出一款1000W 方案，利用氮化鎵寄生結(jié)電容小的特點(diǎn)，配合磁集成方案...

2023-08-05 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2427 0

英諾賽科100V GaN再添新品，采用FCQFN封裝

英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動(dòng)GaN技術(shù)的發(fā)展，從而推動(dòng)新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月，英諾賽科推出了一款100V的Ga...

2023-08-14 標(biāo)簽：封裝 GaN 英諾賽科 2126 0

8英寸GaN器件出貨量破億！英諾賽科全鏈條氮化鎵產(chǎn)品到底有何亮點(diǎn)？

近日，在深圳福田會(huì)展中心舉辦的電源展會(huì)上，英諾賽科帶來(lái)的全線的氮化鎵產(chǎn)品亮相。高壓器件從650V提升到700V，并且升級(jí)了40V/100V/150V平臺(tái)...

2023-03-24 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 PD快充英諾賽科 9393 0

直擊氮化鎵領(lǐng)域的無(wú)限可能！讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來(lái)科技

中國(guó)北京2022年4月22日?— 近年來(lái)一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測(cè)試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開(kāi)發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來(lái)。未來(lái)，雙方將攜手克服...

2022-04-25 標(biāo)簽：泰克氮化鎵英諾賽科 2142 0

泰克科技攜手英諾賽科合作攻克氮化鎵進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域

近年來(lái)，一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測(cè)試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開(kāi)發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來(lái)，雙方將合作攻克氮化鎵更快開(kāi)關(guān)速度、更高開(kāi)關(guān)頻率等一系...

2022-04-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)功率器件泰克科技 2464 0

又一個(gè)里程碑！全球首家8英寸氮化鎵工廠量產(chǎn)

2021年6月5日，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司在蘇州汾湖高新區(qū)舉辦量產(chǎn)暨研發(fā)樓奠基儀式。英諾賽科成立于2015年，是全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵IDM企業(yè)，...

2021-06-08 標(biāo)簽：氮化鎵英諾賽科 6430 0

全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力，33W GaN快充迅速上量

外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)更是十分精簡(jiǎn)，通過(guò)圖片可見(jiàn)，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實(shí)現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的...

2021-04-08 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 1021 0

杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W升級(jí)方案，打造大功率高端標(biāo)配

采用杰華特ACF控制器，能實(shí)現(xiàn)全電壓范圍的軟開(kāi)關(guān)，使得系統(tǒng)工作頻率高達(dá)300-500KHZ，與第三代半導(dǎo)體GaN高頻高效的特性相匹配，此款120W方案...

2021-03-29 標(biāo)簽：emc GaN 整流控制器 3897 0

英諾賽科與ASML簽署合作協(xié)議

ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過(guò)升級(jí)，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。

2021-01-22 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵光刻機(jī) 1006 0

英諾賽科鄒艷波：第三代半導(dǎo)體開(kāi)創(chuàng)新賽道

隨著5G、新能源和快充等應(yīng)用的興起，第三代半導(dǎo)體材料也開(kāi)始嶄露頭角。br /?br /電子發(fā)燒友網(wǎng)《2021半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到近50位國(guó)內(nèi)外半...

2020-12-25 標(biāo)簽：氮化鎵快充技術(shù)英諾賽科 3830 0

英諾賽科半導(dǎo)體蘇州芯片項(xiàng)目主廠順利完成封頂預(yù)計(jì)2020年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)

英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱英諾賽科）是一家專業(yè)從事新型第三代半導(dǎo)體材料、器件以及集成電路開(kāi)發(fā)與制造的高科技公司。近日，芯片項(xiàng)目主廠房經(jīng)過(guò)1...

2019-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體英諾賽科 1.3萬(wàn) 0

英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶蘇州市吳江區(qū)，總投資60億

6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開(kāi)工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯...

2018-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體英諾賽科 1.2萬(wàn) 0

最具看點(diǎn)的的中國(guó)半導(dǎo)體新貴有哪些

與寒武紀(jì)1A相比，三款新品在功耗、能效比、成本開(kāi)銷等方面進(jìn)行了優(yōu)化，性能功耗比再次實(shí)現(xiàn)飛躍，適用范圍覆蓋了圖像識(shí)別、安防監(jiān)控、智能駕駛、無(wú)人機(jī)、語(yǔ)音識(shí)別...

2018-03-09 標(biāo)簽：寒武紀(jì)比特大陸英諾賽科 4008 0

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