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標(biāo)簽 > 閃存
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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pSLC帶來的“新”存儲(chǔ)容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性
（ 作者：Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...
耐輻射FPGA具備高可靠性和可重構(gòu)性，助力解決航天器設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)
在各種輻射效應(yīng)中，有一種稱為總電離劑量（TID），它是由空間中的帶電粒子和伽馬射線引起的輻射所致。
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，...
蘋果airtag工作原理是怎么樣的？拆解蘋果AirTag發(fā)現(xiàn)內(nèi)部奧秘
AirTag的工作原理就很簡(jiǎn)單了，電源通過銅線圈驅(qū)動(dòng)固定在電池蓋上的磁鐵從而帶動(dòng)電池蓋發(fā)出聲音，讓你找到丟失的物品。
閃存單元由修改的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）組成，在控制柵極和通道之間的絕緣層中具有額外的“浮置”柵極。 通過施加高壓將電荷注入到浮柵上（或從浮柵上去除）。 ...
由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。
基于RISC-V內(nèi)核的K1986BK025微控制器的功能和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
目前，基于開放標(biāo)準(zhǔn)指令集架構(gòu)RISC-V的解決方案在市場(chǎng)上的占有率越來越高。今天我們?yōu)榇蠹医榻B一款俄羅斯初創(chuàng)公司Milandr剛剛推出的RISC-V處理...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD固態(tài)硬盤的詳細(xì)資料介紹
長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌——致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見面，并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問...
現(xiàn)在在MCU上實(shí)現(xiàn)固件升級(jí)（OTA）功能變得越來越普遍，今天我們就來探討一下MCU固件升級(jí)（OTA）的幾種閃存（Flash）劃分方式。
市面上常見的手機(jī)閃存規(guī)格有eMMC、UFS與NVMe，其中Android手機(jī)主要采用eMMC與UFS標(biāo)準(zhǔn)，而NVMe則是蘋果iPhone所使用的閃存標(biāo)準(zhǔn)。
NAND閃存是一種大眾化的非易失性存儲(chǔ)器，主要是因?yàn)樾⌒停凸那覉?jiān)固耐用。 盡管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲(chǔ)，但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時(shí)，需要考慮許多重要特...
2020-12-18 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ)技術(shù) 2.8k 0
閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側(cè)各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號(hào)觸點(diǎn)。它們二者有何區(qū)別？
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您...
采用可編程邏輯器件ISPLSI1032E對(duì)閃存芯片實(shí)現(xiàn)控制
存儲(chǔ)器的發(fā)展具有容量更大、體積更小、功耗更低、價(jià)格更低的趨勢(shì)，這在閃速存儲(chǔ)器行業(yè)表現(xiàn)得淋漓盡致。隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展，主流閃速存儲(chǔ)器廠家采用90nm...
驍龍865 CPU性能對(duì)比 搭載UFS3.0+閃存補(bǔ)刀
如果不出意外，本月我們將看到很多武裝驍龍865移動(dòng)平臺(tái)的年度Android旗艦，比如三星Galaxy S11系列、小米10系列、OPPO Find X2...
閃存存儲(chǔ)設(shè)備以及閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)的詳解
閃存設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含芯片、芯片控制器、存儲(chǔ)處理器、緩存、控制器內(nèi)存以及接口。目前主流的接口包括 UFS、SATA、PCIe 等
2020-07-15 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)UFS 2.7k 0
未來存儲(chǔ)發(fā)展的六大趨勢(shì)是怎么樣的
以前，各類CPU的應(yīng)用場(chǎng)所相對(duì)明確。除了少數(shù)幾個(gè)廠家采用ASIC芯片應(yīng)用于特定的計(jì)算場(chǎng)合之外，Intel憑借著超強(qiáng)的算力、充足的PCI-e帶寬、穩(wěn)定的設(shè)...
NOR閃存器件的發(fā)展特點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)低成本存儲(chǔ)器解決方案
SPI串行結(jié)構(gòu)的EEPROM最早出現(xiàn)于20世紀(jì)80年代中期，由摩托羅拉在其MC68HC系列中首先引入，MicroWire是由國(guó)半制定的總線標(biāo)準(zhǔn)，它和SP...
DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算 還有這些設(shè)計(jì)須知
除了設(shè)計(jì)沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動(dòng)器的成本外，還有其他原因。 閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一...
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