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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電阻
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多管并聯(lián)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,驅(qū)動(dòng)電阻配置對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行效率和可靠性至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電阻的大小決定了開(kāi)關(guān)速度、功率損耗和電磁干擾等核心性能的平衡關(guān)系。采用單一...
2025-06-20 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 158 0
mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5239 0
PWM(Pulse Width Modulation,脈沖寬度調(diào)制)是一種常見(jiàn)的電子控制技術(shù),廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明、電源管理等領(lǐng)域。在PWM驅(qū)...
2024-08-08 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)驅(qū)動(dòng)電阻 1510 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)重要組成部分是...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電阻 2783 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量,以確保其符合設(shè)計(jì)要求,從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見(jiàn)的測(cè)試方法,并給出相應(yīng)的...
2024-07-23 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 2474 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的大小對(duì)其工作性能有著顯著的影響,這些影響涉及開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗、穩(wěn)定性、可靠性以及整個(gè)電路的性能表現(xiàn)。以下是對(duì)MOS管驅(qū)動(dòng)電阻大小影響...
2024-07-23 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 5256 0
工作頻率為300 kHz的汽車LED驅(qū)動(dòng)器
本應(yīng)用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓?fù)渲衅骄?LED 電流的依賴性來(lái)源。由于其設(shè)計(jì)工作在低于 150 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率,因此本文檔將介紹如何使用...
2024-01-30 標(biāo)簽:led電流驅(qū)動(dòng)電阻 676 0
這里,我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路,不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 1.1萬(wàn) 0
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù); 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適; 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩;
1、電氣間隙:兩相鄰導(dǎo)體或一個(gè)導(dǎo)體與相鄰電機(jī)殼表面的沿空氣測(cè)量的最短距離。 2、爬電距離:兩相鄰導(dǎo)體或一個(gè)導(dǎo)體與相鄰電機(jī)殼表面的沿絕絕緣表面測(cè)量的最短距離。
2023-10-17 標(biāo)簽:pcb運(yùn)算放大器emc 1490 0
MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算
在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后,如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。
三極管下拉電阻的作用 三極管驅(qū)動(dòng)電阻注意事項(xiàng)
三極管是我們?nèi)粘TO(shè)計(jì)電子電路非常常用的電子元器件。在課本里面我們學(xué)到三極管它本身有三個(gè)工作狀態(tài),分別為:截止?fàn)顟B(tài),放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。但是在日常應(yīng)用中我...
三極管開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻如何選擇
當(dāng)三極管基極偏置電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓,基極電流Ib=0時(shí),集電極Ic和發(fā)射極Ie沒(méi)電流(或只有微弱的弱電電流)通過(guò),此時(shí)三極管失去了電流放大作用,我...
2023-08-10 標(biāo)簽:三極管開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)電阻 1404 0
如何通過(guò)門(mén)極電阻來(lái)調(diào)整IGBT開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)特性呢?
IGBT的開(kāi)關(guān)特性是通過(guò)對(duì)門(mén)極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開(kāi)通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻并聯(lián)二極管的作用
今天學(xué)習(xí)LED開(kāi)關(guān)電源里面一個(gè)細(xì)節(jié):MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻為啥要并聯(lián)一個(gè)二極管。
2023-07-04 標(biāo)簽:led二極管開(kāi)關(guān)電源 1.2萬(wàn) 0
MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)案例
對(duì)于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
說(shuō)說(shuō)IGBT的開(kāi)通過(guò)程
一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí),對(duì)于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件,開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺(jué)人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3301 0
超結(jié)高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)特性有什么影響
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過(guò)程中溝道具有提前關(guān)斷的特性,因此,它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制,但是,并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)...
2023-02-16 標(biāo)簽:柵極功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻 1282 0
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