）的雙脈沖測(cè)試軟件 (WBG-DPT) 包含一種專為雙脈沖測(cè)試設(shè)計(jì)的新型消偏技術(shù)。這種新穎的方法與傳統(tǒng)方法截然不同，并且 速度顯著提升，可以將測(cè)試時(shí)間縮短數(shù)小時(shí) 。 該技術(shù)適用于使用FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）或IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的功率轉(zhuǎn)換器
2025-06-25 17:17:02
1543 
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。
2020-12-21 14:58:079335 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇
2020-12-21 14:25:4510373 
通常情況下，為了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)特性，我們都會(huì)搭建一個(gè)通用的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)。測(cè)試平臺(tái)的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測(cè)功率器件和驅(qū)動(dòng)電路。雙脈沖測(cè)試電路的原理為半橋電路，如圖1所示。
2022-04-17 09:16:307931 雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:133901 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測(cè)試對(duì)影響 IGBT 開關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:514187 IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:111891 通常我們對(duì)某款IGBT的認(rèn)識(shí)主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的，而實(shí)際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個(gè)性化的，往往會(huì)有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:056340 
通過雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:102667 
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法，為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段。本文將深入解析雙脈沖測(cè)試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，并介紹泰克專家高遠(yuǎn)新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
? ? 揚(yáng)杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測(cè)試更好的表征SiC MOS動(dòng)態(tài)能力？ ? 引言 隨著碳化硅（SiC）MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展，SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應(yīng)用潛力得到越來越多工程師
2025-12-02 09:36:222300 
雙脈沖測(cè)試就是給被測(cè)器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)，如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:319641 
有些是不能直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測(cè)試，對(duì)IGBT的性能進(jìn)行更為準(zhǔn)確的評(píng)估。雙脈沖測(cè)試的主要功能如下：1、測(cè)量IGBT的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)（td>r、Eon、td off、tf、Eoff 等
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請(qǐng)教下雙脈沖測(cè)試的幾個(gè)參數(shù)問題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管，開關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測(cè)試，有幾個(gè)疑問：（1）測(cè)試時(shí)的最大電流是按額定75A來，還是150A
2019-11-06 20:47:30
有沒有大佬幫忙分析下，做雙脈沖測(cè)試的時(shí)候，第一個(gè)脈沖在關(guān)斷的時(shí)候，馬上要關(guān)完了，結(jié)果驅(qū)動(dòng)出現(xiàn)了震蕩，導(dǎo)致管子立馬又開了，然后電流激增，直接就炸管了，這是什么問題啊，圖上是波形和驅(qū)動(dòng)電路，求指導(dǎo)
2025-03-06 16:45:31
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試雙脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/5zWSxhNFF19kqCKUh7B4zg上述視頻鏈接包含了以下四個(gè)方面內(nèi)容：— 雙脈沖測(cè)試要點(diǎn)回顧— 短路的分類與安全工作區(qū)— 短路測(cè)試方法— 測(cè)試注意事項(xiàng)講師PPT見附件。
2020-06-28 10:48:45
`如圖請(qǐng)問英飛凌IGBT參數(shù)頻率參數(shù)里最大最小值分別是什么意義`
2017-08-30 13:05:50
視頻講解雙脈沖基本原理及意義，點(diǎn)擊下方鏈接在線觀看https://mp.weixin.qq.com/s/8BZ8b-Y6yDbRn6uQASV9iA
2020-06-24 14:18:57
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述視頻講述了以下四方面內(nèi)容。- NPC I型三電平2種應(yīng)用方式- NPC I型三電平拓?fù)溥\(yùn)行狀態(tài)- NPC I型三電平雙脈沖測(cè)試方法- NPC I型三電平短路測(cè)試方法講師PPT見附件
2020-06-28 10:40:04
...
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T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測(cè)試方法
由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平應(yīng)用越來越廣，我們開發(fā)了IGBT7 1200V 62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A
2024-05-08 23:11:59
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述為視頻鏈接，主要講一下四個(gè)問題。講師PPT見附件?！?T型三電平拓?fù)涞乃姆N結(jié)構(gòu)— T型三電平拓?fù)溥\(yùn)行狀態(tài)— T型三電平雙脈沖測(cè)試方法— T型三電平短路測(cè)試
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到雙脈沖測(cè)試信號(hào)？可否通過軟件自帶的信號(hào)源得到？
2015-05-27 23:02:05
`一、實(shí)驗(yàn)儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭：2、多通道示波器及高壓差分探頭：3、手工繞制的空心電感：二、雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)臺(tái)但是對(duì)于開發(fā)電力電子裝置的工程師，無須專門搭建測(cè)試平臺(tái)，直接使用正在開發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
——測(cè)試平臺(tái)搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測(cè)試方案，集成強(qiáng)大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測(cè)試裝置及軟件。用戶可以自定義測(cè)試條件，測(cè)試項(xiàng)目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測(cè)試方法的意義（1） 對(duì)比不同的IGBT 的參數(shù) ， 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機(jī)控制器的性能和可靠性，需要對(duì)這些功率器件進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試，其中就包括雙脈沖測(cè)試。
案例簡(jiǎn)介 雙脈沖測(cè)試可以幫助工程師評(píng)估電機(jī)控制器中功率器件的開關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
信號(hào)3、泰克示波器MSO5運(yùn)行IGBT town 軟件進(jìn)行設(shè)定和自動(dòng)測(cè)試三、測(cè)試說明：采用雙脈沖法,用信號(hào)發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。采用MSO58功率
2021-05-20 11:17:57
于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至
2025-07-16 15:14:08
全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要：文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的IGBT脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路
2009-07-27 08:41:101382 
提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成，由單片機(jī)來控制IGBT的觸發(fā)，其設(shè)計(jì)輸出為方波，電壓幅值在50 100 kV可調(diào)，脈沖寬度在l～10 s可調(diào)，頻率在1～
2011-12-19 14:04:33
125 由于脈沖電源有斷續(xù)供電的特性，在很多領(lǐng)域都獲得了廣泛的應(yīng)用，其中高壓脈沖電源是系統(tǒng)的核心組成部分。為了獲取高重復(fù)頻率、陡前沿高壓脈沖電源，文中提出了一種基于IGBT的高
2012-04-05 15:25:49115 特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 IGBT的雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2020-01-08 08:00:0048 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實(shí)驗(yàn)和短路實(shí)驗(yàn)一般都會(huì)在一個(gè)階段進(jìn)行，但是有的時(shí)候短路測(cè)試會(huì)被忽略，原因有些時(shí)候會(huì)直接對(duì)裝置直接實(shí)施短路測(cè)試，但是此時(shí)實(shí)際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:077995 株洲中車的“汽車用IGBT模塊”專利針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，提供了一種能同時(shí)滿足極端高低溫狀況下的汽車級(jí)IGBT模塊雙脈沖測(cè)試方法和系統(tǒng)，具有測(cè)試操作簡(jiǎn)單、成本低、系統(tǒng)集成度以及測(cè)試效率高的優(yōu)勢(shì)。
2020-11-16 10:17:415556 
通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測(cè)試來評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 大家好，前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問：“在大功率變頻器應(yīng)用中，我們常用雙脈沖測(cè)試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征，在實(shí)際中有可比性嗎？”感覺這個(gè)問題提的比較好，也是作者想和大家討論的一個(gè)話題，那我們這期就來聊聊雙脈沖測(cè)試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力。
2022-04-15 09:15:025559 對(duì)雙脈沖測(cè)試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測(cè)試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個(gè)器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測(cè)試，通過給定兩個(gè)脈沖來測(cè)試IGBT的開關(guān)特性，進(jìn)而對(duì)器件性能進(jìn)行更準(zhǔn)確的評(píng)估。
2022-06-17 17:33:0135778 雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試，通過雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評(píng)估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等等。
2022-11-04 14:06:275433 我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測(cè)試來評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
一、雙脈沖測(cè)試。 雙脈沖測(cè)試硬件的基本框圖如上圖所示。 高壓源通過疊層母排與電容池連接，并給電容池充電。 低壓源給驅(qū)動(dòng)板供電，信號(hào)發(fā)生器給驅(qū)動(dòng)板發(fā)雙脈沖。 若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊下管，則上管截止
2023-02-22 15:16:184 （一）IGBT雙脈沖測(cè)試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 開通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開關(guān)S1,并控制輸出被
測(cè)雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測(cè)這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測(cè)試法’。
2023-02-22 14:25:005 功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)，開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過靜態(tài)參數(shù)一體化測(cè)試機(jī)或者源表等設(shè)備直接測(cè)出，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)則可以通過電容測(cè)試平臺(tái)描繪出，最后開關(guān)特性參數(shù)則需要用到雙脈沖測(cè)試才能準(zhǔn)確測(cè)得。
2023-02-22 14:40:208815 ，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。
用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其
恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。
2023-02-23 10:00:200 ??在LTspice中沒有雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個(gè)雙脈沖的波形只能用電壓源來進(jìn)行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫了一個(gè)雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。 雙脈沖波形發(fā)生器?！ ∪缦?，該元器件可以
2023-02-23 15:47:208 該信號(hào)發(fā)生器主要用于IGBT單脈沖、雙脈沖、短路測(cè)試發(fā)波控制，使用單USB口連接，集成供電、發(fā)波控制、程序升級(jí)于一體，
上位機(jī)串口發(fā)波控制，可靈活控制發(fā)送1~200uS波形，最小精度1uS，同時(shí)提供+5V和+15V兩種電平方便匹配不同驅(qū)動(dòng)板，上位機(jī)
控制方便易上手配置簡(jiǎn)單。
2023-02-23 15:30:085 IGBT雙脈沖測(cè)試matlab仿真模型，電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測(cè)試驗(yàn)證，學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測(cè)試驗(yàn)證資料，全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2.獲取IGBT在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適，評(píng)估是否需要配
2023-02-24 09:41:423 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被
2022-05-26 09:52:273761 
雙脈沖測(cè)試是一種用于測(cè)量電子設(shè)備的重要方法，其通過發(fā)送兩個(gè)相互獨(dú)立且短暫的脈沖信號(hào)來分析設(shè)備的性能和可靠性。在進(jìn)行雙脈沖測(cè)試時(shí)，我們需要注意一些重要事項(xiàng)，以確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。 首先，進(jìn)行雙
2023-07-03 11:45:271807 
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測(cè)試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動(dòng)態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測(cè)試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。通過對(duì)動(dòng)態(tài)特性
實(shí)驗(yàn)平臺(tái)關(guān)鍵問題進(jìn)行有限元仿真計(jì)算，實(shí)現(xiàn)平臺(tái)回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:281 了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法，借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:322891 
，不同的IGBT技術(shù)也造就了不同性能的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證元器件的性能，驗(yàn)證不同IGBT的性能，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法。通過這個(gè)工具，我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能： 詳細(xì)了解IGBT參數(shù)，如Eon、Eoff、Tdon、Tdoff、Tr、Tf、貼片開關(guān)特性等。本次測(cè)試的意義在于
2023-10-13 10:34:334422 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ■?? 雙脈沖測(cè)試? 雙脈沖測(cè)試中一個(gè)重要目標(biāo)是，準(zhǔn)確測(cè)量能量損耗。在示波器中進(jìn)行準(zhǔn)確的功率、能量測(cè)試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進(jìn)行校準(zhǔn)，消除時(shí)序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:293948 驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較
2023-12-05 16:20:07896 
信號(hào)發(fā)生器如何設(shè)置雙窄脈沖同步輸出？ 信號(hào)發(fā)生器是一種使用電子設(shè)備產(chǎn)生以下類型信號(hào)的儀器：連續(xù)波形、脈沖波形、調(diào)幅波形、調(diào)頻波形等。雙窄脈沖同步輸出是一種常見的需求，特別用于電子設(shè)備的測(cè)試和測(cè)量等
2023-12-21 14:13:312544 、電氣工程等領(lǐng)域，對(duì)于新材料的研發(fā)和應(yīng)用具有重要意義。 一、雙脈沖測(cè)試原理的基本概念 脈沖電壓：脈沖電壓是指在一定時(shí)間范圍內(nèi)，電壓由零迅速上升到最大值，然后緩慢下降到零的過程。脈沖電壓的形狀可以是方波、矩形波或三
2023-12-30 11:47:005602 
雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)介紹 雙脈沖試驗(yàn)是一種常用的電力系統(tǒng)測(cè)試方法，用于測(cè)量電力系統(tǒng)中的傳輸線路和設(shè)備的參數(shù)。這種試驗(yàn)方法通過施加兩個(gè)脈沖波形信號(hào)，從而可以精確地測(cè)量電力系統(tǒng)的傳輸線路的特性參數(shù)，包括
2024-01-05 15:08:031592 雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開始時(shí)捕捉到
2024-01-18 08:13:437633 雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)來
2024-02-18 09:29:233717 ），并測(cè)量其響應(yīng)來工作。 雙脈沖測(cè)試是一種專門用于評(píng)估功率開關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測(cè)試方法。這種測(cè)試特別適用于分析在導(dǎo)通過程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測(cè)試方法》，對(duì)于T-NPC拓?fù)鋪碚f也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測(cè)試方法由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平
2024-02-26 08:13:164233 對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)人士來說，不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商，我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見測(cè)試方法，其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
2024-03-11 16:01:555996 
雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào)，以模擬實(shí)際工作中的開關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測(cè)試需求。
2024-03-11 16:09:215204 
雙脈沖測(cè)試是一個(gè)用于測(cè)試高壓設(shè)備的重要方法，而高壓差分探頭在雙脈沖測(cè)試中扮演著重要的角色。它能夠測(cè)量高壓系統(tǒng)中的電位差，并幫助人們?cè)\斷系統(tǒng)中的問題。不過，在高壓差分探頭的使用過程中，也會(huì)遇到一些問題
2024-03-19 09:55:061170 
寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì)，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導(dǎo)體上下管雙脈沖測(cè)試，成為動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試的最經(jīng)典評(píng)估項(xiàng)目。
2024-08-06 17:30:502038 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號(hào)參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335022 圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要精心設(shè)計(jì)和測(cè)試以優(yōu)化性能。 雙脈沖測(cè)試 (DPT) 可有效測(cè)量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期間的一系列重要參數(shù)。設(shè)置和執(zhí)行這些測(cè)量可以手動(dòng)
2024-09-30 08:57:34951 
）及全控型（IGBT、MOSFET 為主）。其中IGBT（絕緣柵雙極晶體管）被廣泛應(yīng)用于中、高電壓及大電流場(chǎng)合的功率半導(dǎo)體器件。它綜合了 MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)，具有導(dǎo)通壓降低、開關(guān)速度快、電流和電壓定額高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于變頻
2024-11-24 15:02:121698 
在電子工程領(lǐng)域，脈沖測(cè)試儀器是不可或缺的工具，它們幫助工程師評(píng)估和驗(yàn)證電子系統(tǒng)在各種脈沖條件下的性能。 1. 了解脈沖測(cè)試儀器的基本原理 在開始使用脈沖測(cè)試儀器之前，了解其工作原理是至關(guān)重要的。脈沖
2024-11-26 10:01:031737 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開關(guān)損耗等； 2、通過實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002623 
是否過關(guān)，雙脈沖測(cè)試（Double Pulse Test）成為了一項(xiàng)重要的測(cè)試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT雙脈沖測(cè)試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
，成為了眾多電源及電源模塊的首選材料。特別是在功率半導(dǎo)體中，上下管雙脈沖測(cè)試已經(jīng)成為評(píng)估動(dòng)態(tài)參數(shù)的經(jīng)典方法，對(duì)于推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。那么，何為雙脈沖測(cè)試
2025-04-11 15:00:14797 
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號(hào)功率分配的無源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動(dòng)態(tài)雙脈沖測(cè)試，可將輸入信號(hào)按特定比例分流至多個(gè)輸出端口
2025-04-30 12:00:12762 
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動(dòng)態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試，主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計(jì)算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332 
，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通
2025-07-08 17:31:041892 傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測(cè)試（DPT）作為功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)性能評(píng)估黃金標(biāo)準(zhǔn)的核心價(jià)值。
2025-09-17 16:57:341114 
至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測(cè)試中，光隔離探頭不僅確保了測(cè)試的安全性，還提高了測(cè)試測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測(cè)試中不可或缺的原因。 雙脈沖測(cè)試的作用 雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種用于評(píng)估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
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