斥資100億美元！三星計(jì)劃在美國(guó)建立3納米芯片工廠 追趕臺(tái)積電

1月23日，彭博社最新消息，三星電子公司正在考慮斥資逾100億美元，在美國(guó)建設(shè)其最先進(jìn)的芯片制造廠，這是一項(xiàng)重大投資。三星希望借此贏得更多美國(guó)客戶，并幫...

2021-01-23 標(biāo)簽：芯片三星電子臺(tái)積電 5.2k 0

ASML 昨日交付了第一臺(tái) YieldStar 385 檢測(cè)系統(tǒng) 可用于 3nm 制程芯片檢測(cè)

1月21日消息 據(jù)微博 @科創(chuàng)版日?qǐng)?bào) 消息，ASML 昨日交付了第一臺(tái) YieldStar 385 檢測(cè)系統(tǒng)。這款產(chǎn)品具備更快速的工作臺(tái)以及更快的波長(zhǎng)切...

2021-01-21 標(biāo)簽：檢測(cè)系統(tǒng)芯片檢測(cè)ASML 3k 0

臺(tái)積電宣布今年大規(guī)模資本支出計(jì)劃后，將面臨巨大的盈利壓力

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，全球最大的代工芯片制造商臺(tái)積電預(yù)計(jì)2021年將投入250億至280億美元用于生產(chǎn)先進(jìn)芯片。 薩斯奎哈納金融集團(tuán)（Susquehann...

2021-01-20 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 1.6k 0

臺(tái)積電上演極限技術(shù)冒險(xiǎn)，是福還是禍

目前來(lái)看，臺(tái)積電全球晶圓代工霸主的地位似乎已經(jīng)不可動(dòng)搖。 十三年前，張仲謀在金融危機(jī)中復(fù)出，在28nm關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，為臺(tái)積電打好了崛起的基礎(chǔ)。2015...

2021-01-19 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓先進(jìn)制程 1.6k 0

中芯國(guó)際8大項(xiàng)技術(shù)“進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)階段”

恰逢新任副董事長(zhǎng)蔣尚義到來(lái)之際，此前中芯國(guó)際的聯(lián)席CEO梁孟松鬧出了辭職風(fēng)波，有報(bào)道稱這次事件背后是中芯國(guó)際的技術(shù)路線之爭(zhēng)。

2021-01-19 標(biāo)簽：中芯國(guó)際3nmEUV光刻機(jī) 2.6k 0

臺(tái)積電的3nm工藝將在2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)

1月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)臺(tái)積電公布的計(jì)劃，他們的3nm工藝，計(jì)劃在今年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。

2021-01-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電3nm 3.5k 0

臺(tái)積電資本支出沖上新高 蘋(píng)果、英特爾、超微大客戶紛紛下單

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近日，臺(tái)積電發(fā)布2020年第四季度報(bào)告，對(duì)于未來(lái)5年?duì)I運(yùn)超級(jí)樂(lè)觀，2021年資本支出更沖上250億~280億美元，臺(tái)積電表示8成將用在美...

2021-01-17 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電3nm 8.3k 0

臺(tái)積電擬砸150億美元研發(fā)3nm工藝

臺(tái)積電日前公布了2020年Q4季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收為3615.3億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)14.0%。凈利潤(rùn)為1427.7億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23.0%。

2021-01-15 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 1.5k 0

消息稱蘋(píng)果 A17、英特爾包攬臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能

1月15日消息 據(jù)供應(yīng)鏈權(quán)威媒體 Digitimes 報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電所定于 2021 年支的 250 億~ 280 億美元中大部分（超過(guò) ...

2021-01-15 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電蘋(píng)果 2.2k 0

臺(tái)積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過(guò)，最近它們好像都遇到了一些麻煩。

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 2.8k 0

新思科技攜手三星加快3nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的收斂和簽核

雙方合作包括多個(gè)簽核域和跨庫(kù)特征提取，以加速設(shè)計(jì)收斂 簽核解決方案的創(chuàng)新能夠解決從5納米到3納米的獨(dú)特挑戰(zhàn)，以確保簽核準(zhǔn)確性，并將運(yùn)行速度提高20倍、內(nèi)...

2021-01-11 標(biāo)簽：三星電子新思科技3nm 2k 0

麒麟9000迭代升級(jí)芯片將命名為麒麟9010

此前有消息稱，麒麟9000迭代升級(jí)芯片將命名為麒麟9010，基于3nm制造工藝設(shè)計(jì)，由于麒麟芯片目前的特殊處境，使得消息傳出后，引起了網(wǎng)友的熱議。

2021-01-06 標(biāo)簽：芯片3nm麒麟芯片 9.3k 0

臺(tái)積電研發(fā)3nm工藝遇阻

近日，外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱，目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn)，因此，最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。

2021-01-05 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2.6k 0

臺(tái)積電3nm工藝遭遇挑戰(zhàn),仍有足夠時(shí)間在2022年開(kāi)始量產(chǎn)

1月5日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在此前的報(bào)道中，英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)均遭遇關(guān)鍵瓶頸，研發(fā)進(jìn)度也不得不推遲。

2021-01-05 標(biāo)簽：芯片三星電子臺(tái)積電 820 0

臺(tái)積電計(jì)劃今年3nm工藝將完成試生產(chǎn)

外媒報(bào)道，臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此，臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。

2021-01-05 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2.2k 0

臺(tái)積電今年的資本支出超過(guò)200億美元

1月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從公布的月度營(yíng)收來(lái)看，芯片代工商臺(tái)積電去年的營(yíng)收將創(chuàng)下新高，而在芯片代工市場(chǎng)需求龐大、先進(jìn)工藝投產(chǎn)及研發(fā)的推動(dòng)下，他們的資...

2021-01-05 標(biāo)簽：臺(tái)積電5nm3nm 1.7k 0

臺(tái)積電將砸超200億美元全力推進(jìn)3nm

對(duì)于芯片代工龍頭，臺(tái)積電正在加大自己的研發(fā)費(fèi)用，從而獲得更領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。

2021-01-04 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電 1.6k 0

臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸，量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱，臺(tái)積...

2021-01-04 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2.9k 0

ASML完成第100臺(tái)EUV光刻機(jī)出貨：2021年產(chǎn)能將大增

2021-01-04 標(biāo)簽：5nmASML3nm 4.5k 0

臺(tái)積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進(jìn)度推遲

1月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中，臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠...

2021-01-04 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2.7k 0