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      標簽　>　GaN

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      鎵創(chuàng)晶合：從GaN材料到器件研發(fā)，打造三大應(yīng)用競爭力

      氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費電子的快充向工業(yè)級功率領(lǐng)域滲透，這給了國內(nèi)廠商非常大的市場機會。在2025CITE電子展上，鎵創(chuàng)晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分...

      2025-04-16 標簽：GaN 448 1

      GaN充電器高頻化之路：分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題？

      GaN充電器高頻化之路：分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題？

      本文針對 GaN 器件高頻化挑戰(zhàn)，合科泰分析寄生電感振蕩與驅(qū)動信號失真問題，提出通過器件選型、PCB 布局及電路優(yōu)化等方案，提升高頻應(yīng)用性能與可靠性。

      2025-04-11 標簽：充電器分立器件GaN 153 0

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      gan數(shù)據(jù)手冊

      型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
      GS61008P-MR 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM

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