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標簽 > VDMOS
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在過去的二十年間,MOSFET作為開關器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限,被稱為“硅極限”。為了突...
如圖1所示,VDMOS結構就是P型注入和N+注入后兩次擴散形成P型區(qū)和N+型區(qū),在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道,在柵極加壓后溝道開啟,電流在溝道內(nèi)...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴散金屬氧化物半導體器件,...
Vdmos(垂直雙擴散金屬氧化物半導體)和MOS(金屬氧化物半導體)是兩種不同類型的半導體器件,它們在結構、工作原理、應用等方面都有所區(qū)別。 1. 結構...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進結構介紹
IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
類別:電力論文網(wǎng) 2017-11-01 標簽:VDMOS 1129 0
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標簽:VDMOS脈沖 797 0
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標簽:VDMOS 4334 0
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標簽:VDMOS 4372 0
平面型VDMOS和超結型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇?
平面型VDMOS和超結型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇? 平面型VDMOS和超結型VDMOS是常見的金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)...
詳細論述了器件制造過程中的關鍵工藝環(huán)節(jié),包括柵氧化、光刻套準、多晶硅刻蝕、P 阱推進等。流水所得VDMOS 實測結果表明,該器件反向擊穿特性良好
2011-12-02 標簽:VDMOS 3635 0
目前市場上使用較多的主要是N溝道增強型VDMOS產(chǎn)品,其也是目前各半導體公司開發(fā)生產(chǎn)的主流功率MOSFET產(chǎn)品。
2011-12-02 標簽:VDMOS 5055 0
直流無刷電機的逆變器由六個功率VDMOS管和六個續(xù)流二極管組成,六個續(xù)流二極管分別寄生在這六個VDMOS管里,因而從控制器外面看只有六個VDMOS管。
一種減少VDMOS寄生電容的新結構 0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關速度快,開關損耗小,輸入電阻高...
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