平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇？

平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFETs)的不同設(shè)計(jì)類(lèi)型。它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)上存在一些細(xì)微的差異，這些差異對(duì)它們的雪崩耐量和性能產(chǎn)生一定影響。在選擇哪種類(lèi)型的MOSFET時(shí)需要仔細(xì)評(píng)估應(yīng)用的需求和要求。在本篇文章中，我們將詳細(xì)探討平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的差異并討論如何選擇適合的類(lèi)型。

平面型VDMOS與超結(jié)型VDMOS的基本結(jié)構(gòu)有所不同。平面型VDMOS的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，它由一個(gè)溝道區(qū)、一個(gè)擴(kuò)散區(qū)和一個(gè)漏結(jié)組成。這種設(shè)計(jì)提供了低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)勢(shì)。然而，平面型VDMOS的導(dǎo)通電阻高，適用于低電壓應(yīng)用。與之相反，超結(jié)型VDMOS的結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，它在溝道區(qū)添加了一個(gè)差壓區(qū)(超結(jié))。這種設(shè)計(jì)在高電壓應(yīng)用中具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的控制能力，但其開(kāi)關(guān)損耗較大。

在雪崩耐壓方面，超結(jié)型VDMOS相對(duì)平面型VDMOS具有更高的雪崩耐壓能力。這是因?yàn)槌Y(jié)型VDMOS在結(jié)構(gòu)上引入了一個(gè)差壓區(qū)，使其能夠支持更高的耐壓。差壓區(qū)可在管子關(guān)閉時(shí)承受高電壓，防止電荷累積，從而提高了設(shè)備的耐受能力。平面型VDMOS的雪崩耐壓相對(duì)較低，主要適用于低電壓應(yīng)用。

選擇適當(dāng)?shù)腗OSFET類(lèi)型取決于應(yīng)用場(chǎng)景和需求。以下是一些因素和指南，可以幫助選擇平面型VDMOS還是超結(jié)型VDMOS：

1. 工作電壓范圍：如果應(yīng)用需要較低的電壓級(jí)別，平面型VDMOS是一個(gè)合適的選擇。它可以在低電壓下提供低導(dǎo)通電阻和低開(kāi)關(guān)損耗。

2. 高電壓要求：如果應(yīng)用需要高電壓級(jí)別，超結(jié)型VDMOS是更好的選擇。它能夠提供較低的導(dǎo)通電阻以及較高的耐壓能力，適用于高電壓應(yīng)用。

3. 開(kāi)關(guān)頻率要求：如果應(yīng)用需要高開(kāi)關(guān)頻率，平面型VDMOS通常更適合。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較快的開(kāi)關(guān)速度，能夠提供較低的開(kāi)關(guān)損耗。

4. 散熱能力：超結(jié)型VDMOS的結(jié)構(gòu)相對(duì)較復(fù)雜，需要更好的熱管理。如果應(yīng)用無(wú)法提供足夠的散熱能力，平面型VDMOS可能更適合。

5. 成本：通常情況下，平面型VDMOS比超結(jié)型VDMOS成本更低。如果成本是一個(gè)重要的考慮因素，平面型VDMOS可能是更經(jīng)濟(jì)的選擇。

綜上所述，平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS在結(jié)構(gòu)和性能方面存在差異。選擇哪種類(lèi)型的MOSFET取決于應(yīng)用的需求和要求。評(píng)估應(yīng)用的工作電壓范圍、高電壓要求、開(kāi)關(guān)頻率要求、散熱能力和成本等因素，可以幫助選擇適合的MOSFET類(lèi)型。