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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
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LP2998系列 帶關斷引腳的 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-29 標簽:運算放大器DDR線性穩(wěn)壓器 191 0
TPS51200 3A 灌電流 / 拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器,帶有 VTTREF 緩沖基準數(shù)據(jù)手冊
TPS51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計。 該TPS51...
TPS53317 低輸入電壓、6A 同步降壓 SWIFT? 轉(zhuǎn)換器,用于 DDR 存儲器終止數(shù)據(jù)手冊
該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器,主要設計 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出~DDQ~具有 Sink 和 Source 功能...
TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個同步降...
TPS53317A 0.9V-6V 輸入、6A 輸出、D-CAP+ 模式、用于 DDR VTT 的 SWIFT 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器,主要設計 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出~DDQ~具有 Sink 和 Source 功能...
2025-04-26 標簽:電流DDR降壓穩(wěn)壓器 183 0
TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設計 考慮。 ...
TPS54116-Q1 具有 4A、2MHz VDDQ 直流/直流轉(zhuǎn)換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案數(shù)據(jù)手冊
TPS54116-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有 兩個集成 MOSFET 和 1A 灌/拉雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT ...
一、前言DDRSDRAM,即雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器,是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)中至關重要的一種核心組件,其應用范圍極其廣泛。無論是在消費電子產(chǎn)品中,還是在...
內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的核心組件之一,在計算機、汽車與消費電子產(chǎn)品上可謂無所不在。
DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本,最大的數(shù)據(jù)速率峰值超過 12000 MT/s。
內(nèi)存(DRAM-Random Access Memory)作為當代數(shù)字系統(tǒng)最主要的核心部件之一,從各種終端設備到核心層數(shù)據(jù)處理 和存儲設備,從各種消費類...
概述 DDR(Double Data Rate)和LPDDR(Low Power Double Data Rate)是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)技術...
無論對于芯片設計商還是器件制造商來說,DDR內(nèi)存可謂是無處不在——除了在服務器、工作站和臺式機中之外,還會內(nèi)置在消費類電子產(chǎn)品、汽車和其他系統(tǒng)設計中。每...
一文看懂NAND、DDR、LPDDR、eMMC幾種存儲器的區(qū)別
存儲領域發(fā)展至今,已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用: 1 NANDNAND Flash存儲器是Flash存儲器的一種...
高密度DDR(Double Data Rate)芯片是一種先進的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)芯片,具有極高的數(shù)據(jù)存儲密度和傳輸速率。與傳統(tǒng)的DRAM相...
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