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標(biāo)簽 > ddr

ddr

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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫(xiě),即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。

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ddr技術(shù)

如何使用其gearbox功能來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的比率的串并轉(zhuǎn)換功能

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在SelectIO簡(jiǎn)介連載一中介紹了其架構(gòu),本章會(huì)繼續(xù)介紹如何使用其gearbox功能來(lái)實(shí)現(xiàn)不同的比率的串并轉(zhuǎn)換功能。7 Series FPGA中LVD...

2022-08-02 標(biāo)簽:fpgaDDRXilinx 3952 0

使用集成的原理圖、布局和仿真工具消除DDR設(shè)計(jì)中的猜測(cè)

使用集成的原理圖、布局和仿真工具消除DDR設(shè)計(jì)中的猜測(cè)

DDR 內(nèi)存正在迅速成為不僅是領(lǐng)先技術(shù),而且是內(nèi)存設(shè)計(jì)中唯一使用的技術(shù)。因此,DDR 系統(tǒng)在科技行業(yè)的需求量很大。與原理圖和 PCB 設(shè)計(jì)軟件集成的高速...

2022-07-28 標(biāo)簽:DDR 1562 0

Zynq MPSoC系列器件的AXI總線介紹

MPSoC有六個(gè)PL側(cè)高性能(HP)AXI主接口連接到PS側(cè)的FPD(PL-FPD AXI Masters),可以訪問(wèn)PS側(cè)的所有從設(shè)備。這些高帶寬的接...

2022-07-22 標(biāo)簽:控制器DDR總線 3751 0

使用AXI-Full接口的IP進(jìn)行DDR的讀寫(xiě)測(cè)試

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首先對(duì)本次工程進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明:本次工程使用AXI-Full接口的IP進(jìn)行DDR的讀寫(xiě)測(cè)試。在我們的DDR讀寫(xiě)IP中,我們把讀寫(xiě)完成和讀寫(xiě)錯(cuò)誤信號(hào)關(guān)聯(lián)到PL...

2022-07-18 標(biāo)簽:DDRAXI總線SDK 6095 0

一般涉及DDR讀寫(xiě)仲裁的控制邏輯需要注意哪些方面

基于vivado2020.1和zcu102開(kāi)發(fā)板(rev1.1)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,工程涉及DDR4(MIG)和PL端多個(gè)讀寫(xiě)接口交互的問(wèn)題,通過(guò)AXI inte...

2022-06-15 標(biāo)簽:DDR阻塞AXI 2320 0

芯耀輝軟硬結(jié)合的智能DDR PHY訓(xùn)練技術(shù)

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在實(shí)際的應(yīng)用中,命令(command)路徑上的延時(shí)會(huì)超過(guò)數(shù)據(jù)(DQ)路徑的延時(shí)。假設(shè)路徑差值 = 命令路徑延時(shí) – 數(shù)據(jù)路徑延時(shí),一般路徑差值在0~5個(gè)...

2021-07-05 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DDR芯耀輝 1.2萬(wàn) 0

IP新銳芯耀輝多點(diǎn)破局DDR PHY技術(shù)瓶頸

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DDR PHY是DRAM和內(nèi)存控制器通信的橋梁,它負(fù)責(zé)把內(nèi)存控制器發(fā)過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成符合DDR協(xié)議的信號(hào),并發(fā)送到DRAM。

2021-04-20 標(biāo)簽:DRAMDDRPHY 5038 0

DDR模塊端接電阻的擺放位置需要注意些什么

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第一步要做的是從仿真上去驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果,我們分別對(duì)800M的時(shí)鐘和地址信號(hào)做下仿真,結(jié)果的確很符合測(cè)試的情況。

2021-03-27 標(biāo)簽:DDR差分線 7729 1

Longsys DDR5內(nèi)存橫空出世,多項(xiàng)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)首次對(duì)公眾開(kāi)放

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此次DDR5的產(chǎn)品發(fā)布,涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標(biāo)準(zhǔn)型PC Unbuffered DIMM 288PIN On...

2021-03-16 標(biāo)簽:DDR固態(tài)存儲(chǔ)江波龍 6504 0

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本實(shí)驗(yàn)為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實(shí)驗(yàn)做鋪墊,通過(guò)循環(huán)讀寫(xiě)DDR3內(nèi)存,了解其工作原理和DDR3控制器的寫(xiě)法,由于DDR3控制復(fù)雜,控制器的編寫(xiě)難度高,這里...

2021-02-05 標(biāo)簽:fpgaDDR3DDR 1.0萬(wàn) 0

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第三十二章PL讀寫(xiě)PS端DDR數(shù)據(jù)

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PL和PS的高效交互是zynq soc開(kāi)發(fā)的重中之重,我們常常需要將PL端的大量數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)送到PS端處理,或者將PS端處理結(jié)果實(shí)時(shí)送到PL端處理,常規(guī)我們...

2021-01-30 標(biāo)簽:fpgaDDRdma 1.5萬(wàn) 0

關(guān)于四層板PCB設(shè)計(jì)阻抗匹配的要求和建議

最近設(shè)計(jì)了一塊四層板pcb,因?yàn)槭歉咚匐娐?,有阻抗匹配的要求,所以在發(fā)給pcb板廠打樣時(shí),特定指定了哪些線要做

2020-12-07 標(biāo)簽:pcb阻抗DDR 2.2萬(wàn) 0

DDR的三大關(guān)鍵技術(shù)詳解

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差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)非常重要的設(shè)計(jì),是對(duì)觸發(fā)時(shí)鐘進(jìn)行校準(zhǔn),主要原因是DDR數(shù)據(jù)的雙沿采樣。

2020-11-05 標(biāo)簽:DDR 8549 0

PCB設(shè)計(jì):DDR的調(diào)試案例

由于FPGA芯片是有關(guān)于DDR的設(shè)計(jì)指導(dǎo)文檔,我司的PCB工程師和客戶在投板前也反復(fù)確認(rèn)了該DDR模塊的設(shè)計(jì)是完全按照文檔上面每一條細(xì)致的指導(dǎo)去布線的。

2021-03-17 標(biāo)簽:fpgaDDRAI 3588 0

NVDIMM-P內(nèi)存最新技術(shù),能夠在意外斷電時(shí)保留原有數(shù)據(jù)

隨著 DRAM 內(nèi)存容量和頻率的持續(xù)增長(zhǎng),現(xiàn)有電腦內(nèi)存的安全性也一直沒(méi)有得到提升。近日,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布的最新第一代協(xié)議是由對(duì)DRAM容量和帶...

2021-03-17 標(biāo)簽:DRAMDDRFLASH閃存 5595 0

關(guān)于一個(gè)一個(gè)等時(shí)不等長(zhǎng)的DDR設(shè)計(jì)

關(guān)于DDR的設(shè)計(jì),經(jīng)歷過(guò)無(wú)數(shù)項(xiàng)目歷練的攻城獅們,肯定是很得心應(yīng)手的。對(duì)于信號(hào)質(zhì)量方面的改善,相信大家應(yīng)該已經(jīng)有自己的獨(dú)門(mén)技巧了。同組同層,容性負(fù)載補(bǔ)償,...

2021-03-26 標(biāo)簽:SDRAMDDRLayout 2849 0

芯片驅(qū)動(dòng)內(nèi)阻是不是越小越好,上升沿的斜率是不是越陡越好?

對(duì)于我們而言,我們感觀上肯定是覺(jué)得驅(qū)動(dòng)越強(qiáng),幅度越高,上升沿越陡是越好的,真的是這樣嗎??對(duì)于驅(qū)動(dòng)內(nèi)阻是不是越小越好,上升沿的斜率是不是越陡越好,我們還...

2021-03-31 標(biāo)簽:控制器DDR 4956 0

PCB設(shè)計(jì):我們需要背鉆嗎?

背鉆,相信從事PCB設(shè)計(jì)或加工的朋友來(lái)說(shuō)不會(huì)陌生。我們知道,這個(gè)工藝現(xiàn)在已經(jīng)比較廣泛應(yīng)用在10G以上的高速串行通道設(shè)計(jì)中了,它的作用主要是解決過(guò)孔stu...

2021-03-31 標(biāo)簽:DDRPCB設(shè)計(jì)并行信號(hào) 4536 0

DDR仿真需要提取多少頻率 不同的頻率對(duì)波形有何差別

DDR仿真作為一個(gè)非常普遍的仿真模塊,基本上入門(mén)SI行業(yè)的人都會(huì)首先接觸到。記得本人剛接觸這個(gè)行業(yè)的時(shí)候,也是先接觸DDR模塊的仿真。從DDR2到DDR...

2021-03-31 標(biāo)簽:DDR波形 3222 0

關(guān)于DDR信號(hào)的如何去判斷信號(hào)質(zhì)量?

關(guān)于DDR信號(hào)的如何去判斷信號(hào)質(zhì)量?

通常,DDR設(shè)計(jì)完成之后 ,對(duì)信號(hào)質(zhì)量并沒(méi)有一個(gè)完全確定的概念,需要我們通過(guò)仿真和測(cè)試的手段去判斷和驗(yàn)證。而此時(shí),往往我們拿到的就是一個(gè)波形,測(cè)試波形或...

2021-04-09 標(biāo)簽:DDR3DDR電磁波 6349 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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