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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。
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關(guān)于DDR內(nèi)存電源的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
電源設(shè)計(jì)小貼士 41:DDR 內(nèi)存電源
PCB設(shè)計(jì)時(shí)DDR線寬和阻抗是怎樣確定下來的呢?全過程詳細(xì)分析
PCB設(shè)計(jì)時(shí)DDR線寬和阻抗是怎樣確定下來的呢?讓我們通一個(gè)具體的項(xiàng)目來學(xué)習(xí)一下。
關(guān)于Prefetch和Burst相關(guān)的內(nèi)容
可以發(fā)現(xiàn),Column Address的A2,A1,A0三位被用于Burst Order功能,并且A3也被用于Burst Type功能。由于一般情況,我...
DIMM被分為single-rank和double-rank
作為對single-sided和double-sided的補(bǔ)充,DIMM還被分為single-rank和double-rank(也就是我們在內(nèi)存的lab...
這樣一來,信號完整性就會受到不同程度的影響,為了能夠保持等效電阻一致,我們希望ODT的RTT(終結(jié)電阻)是可以動態(tài)修改的,而不需要每次都要通過MRS C...
DDR2與DDR的區(qū)別,DDR3與DDR2的區(qū)別
突發(fā)長度,由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(BL,Burst Length)也固定位8,而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng),BL=4也...
CFM與CC各有優(yōu)缺點(diǎn),CFM的校正速度快,僅用兩個(gè)時(shí)鐘周期,但容易受到噪音干擾,如果測量失誤,則內(nèi)部的延遲就永遠(yuǎn)錯(cuò)下去。CC的優(yōu)點(diǎn)則是更穩(wěn)定可靠,如果...
存儲單元數(shù)量=行數(shù)*列數(shù)(得到一個(gè)L-Bank的存儲單元數(shù)量)*L-Bank的數(shù)量也可用M*W的方式表示芯片的容量,M是該芯片中存儲單元的總數(shù),單位是兆...
可以很清楚地發(fā)現(xiàn),DDR、DDR2、DDR3和DDR4之間的接口并不兼容,當(dāng)然,其工作電壓也是不一樣的。(除了DDR4是臺式機(jī)的接口,前三個(gè)為筆記本上的接口)
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Sy...
兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的區(qū)別和注意要點(diǎn)
菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)主要在DDR3中使用,菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的主要優(yōu)勢是支路走線短,一般認(rèn)為菊花鏈支路走線長度小于信號上升沿傳播長度的1/10,可以有效削弱支路信...
2018-04-28 標(biāo)簽:DDRPCB設(shè)計(jì) 1.8萬 0
嵌入式 DDR(Double Data Rate,雙數(shù)據(jù)速率)設(shè)計(jì)是含DDR的 嵌入式 硬件設(shè)計(jì)中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強(qiáng)...
了解雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識這個(gè)全稱;它通??s寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊...
2018-04-02 標(biāo)簽:存儲器DDR線性穩(wěn)壓器 8620 0
從DDR的前世與今生入手,關(guān)于存儲的基礎(chǔ)知識,你又知道多少呢?
DDR SDRAM又是在SDRAM的基礎(chǔ)上發(fā)展而來,這種改進(jìn)型的DRAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得...
有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí),需要考慮電壓,電流是否滿足要求,電源的上電順序和電源的上電時(shí)間,單調(diào)性等...
2018-01-26 標(biāo)簽:mcuddr硬件設(shè)計(jì) 9140 0
使用Vivado 2015.4在Nexys4 DDR開發(fā)板上實(shí)現(xiàn)DDR的讀寫例程
最近項(xiàng)目需要用到DDR,于是在網(wǎng)上找相關(guān)資料,發(fā)現(xiàn)網(wǎng)上關(guān)于Xilinx DDR的資料不多,而且比較老,官方文檔又是純英文,且超級長。所以筆者寫了這篇文章...
芯片驅(qū)動該如何選擇 越強(qiáng)是否意味著更好?
我們一般所說的驅(qū)動強(qiáng)就是指上面的兩個(gè)方面或者至少其中一個(gè)方面。例如下面這個(gè)DDR控制器接50歐姆負(fù)載后的驅(qū)動輸出波形如下:其中在fast斜率下不同驅(qū)動內(nèi)...
采用FPGA與IP來實(shí)現(xiàn)DDR RAM控制和驗(yàn)證的方法
隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛,數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加。現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已廣泛應(yīng)用...
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