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標(biāo)簽 > ddr
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
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LPDDR5X:重要性與日俱增的移動(dòng)存儲(chǔ)器
自 2000 年代中期獲得正式批準(zhǔn)以來,低功耗 DDR(LPDDR)一直是驅(qū)動(dòng)對面積和功率敏感的移動(dòng)設(shè)備上更復(fù)雜用例的基石。畢竟退回 2007 年,智能...
DDR 驗(yàn)證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一,因?yàn)樗婕拔挥?DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲(chǔ)器。在這里,我們...
使用高級驗(yàn)證與內(nèi)存技術(shù)保持同步
在存儲(chǔ)器密度低、性能緩慢且需要昂貴的硅空間的時(shí)代。然后我快進(jìn)到未來,當(dāng)內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到支持巨大的密度,超快的速度,同時(shí)保持低功耗,所有這些都在非常小的...
在這篇博客中,我將展示另一個(gè)功能,它使Verdi Protocol Analyzer成為調(diào)試內(nèi)存協(xié)議問題和驗(yàn)證正確系統(tǒng)行為的首選工具。此外,該工具還可用...
講解全志國產(chǎn)處理器T113-i與T113-S3的不同之處!
而T113-S3在不加散熱片情況下,工作溫度范圍較小(-25℃ ~ +75℃),并非真工業(yè)級。即使加了散熱片,T113-S3工作溫度范圍(-25℃ ~ ...
DDR PHY 接口 (DFI) 用于包括智能手機(jī)在內(nèi)的多種消費(fèi)電子設(shè)備。DFI 是一種接口協(xié)議,用于定義在 DRAM 設(shè)備之間以及 MC(微控制器)和...
下一代內(nèi)存技術(shù):準(zhǔn)備好迎接驗(yàn)證挑戰(zhàn)了嗎
NVDIMM:又名非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊。這是一個(gè)RAM DIMM,在電源關(guān)閉時(shí)不會(huì)丟失其數(shù)據(jù)。這兩種強(qiáng)大技術(shù)的結(jié)合為提高應(yīng)用程序性能、數(shù)據(jù)安全性和...
2023-05-26 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DDR計(jì)算機(jī) 1011 0
再見瓶頸 – 自動(dòng)SoC性能驗(yàn)證就在這里
SoC 性能是市場上的關(guān)鍵競爭優(yōu)勢,協(xié)議 IP 和互連的選擇和配置旨在最大限度地提高所述性能。一個(gè)典型的例子是使用 HBM(高帶寬內(nèi)存)技術(shù)和內(nèi)存控制器...
Toggle2NAND 在沒有時(shí)鐘的情況下使用雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR),但它與傳統(tǒng) SDR NAND 中支持的功能和命令兼容。在提供高數(shù)據(jù)傳輸速率的同時(shí)...
NVDIMM – 內(nèi)存和存儲(chǔ)的完美結(jié)合
與 DDR-DIMM 相比,SSD/HDD 提供對服務(wù)器的訪問速度要慢得多,并且會(huì)造成性能差距。為了克服固態(tài)硬盤/硬盤和 DDR-DIMM 之間的這種性...
Power Down,斷電。斷電不一定非要把芯片的外部供電給斷掉,如果芯片自帶PD腳,直接拉一下PD腳,也相當(dāng)于斷電了。攝像頭上會(huì)用到這根線,因?yàn)橐话愕?..
時(shí)鐘線容易干擾別人也容易被別人干擾,Layout的時(shí)候需要保護(hù)好。對于數(shù)字傳輸總線的時(shí)鐘,一般都標(biāo)稱為xxx_xCLK,如SPI_CLK、SDIO_CL...
內(nèi)存芯片中每個(gè)單元都有以字節(jié)線和比特線組合的獨(dú)立地址。以2016年主流4GB單面8芯片內(nèi)存條為例,每粒內(nèi)存芯片有4G個(gè)獨(dú)立地址。
之前的文章講述的都是阻性終端負(fù)載的反射。其實(shí)在負(fù)載(芯片管腳)上也有輸入電容存在,通常都是幾個(gè)pf。如下Table 174是某顆LPDDR4的各個(gè)輸入b...
set_input_delay中-add_delay的作用簡析
在默認(rèn)情況下,一個(gè)port只需要一個(gè)min和max的dealy值,如果我們設(shè)置兩次,那么第二次設(shè)置的值會(huì)覆蓋第一次的值:下面的第一行就無效了。
雙倍數(shù)據(jù)率 (DDR) 內(nèi)存簡介
串行數(shù)據(jù)傳輸與并行數(shù)據(jù)傳輸相比具有重要優(yōu)勢,在許多系統(tǒng)中,這些優(yōu)勢足以證明添加串行化和反串行化的并行數(shù)據(jù)電路是合理的,以便它可以作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而,...
2023-04-06 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸DDR串行數(shù)據(jù) 1311 0
buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。
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