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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM,人們習慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
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內(nèi)存(DRAM-RandomAccessMemory)作為當代數(shù)字系統(tǒng)最主要的核心部件之一,從各種終端設備到核心層數(shù)據(jù)處理和存儲設備,從各種消費類電子設...
英特爾新一代傲騰持久內(nèi)存推出,將兼容DDR5 DIMM形態(tài)
在今年的內(nèi)存與存儲日活動上,Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級SSD D7-P5510/D5-P5316、消費級SSD 670...
長鑫儲存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計劃再建兩個晶圓廠
根據(jù)AnandTech的報道,長鑫存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖...
FPGA外設DDR2/DDR3硬件設計相關(guān)內(nèi)容
引言:本文我們介紹FPGA外設DDR2/DDR3硬件設計相關(guān)內(nèi)容,包括PCB板層數(shù)估計,信號端接、信號完整性及時序考慮等問題。 1.介紹 Artix-7...
關(guān)于DDR3和FPGA部分的20個設計規(guī)范總結(jié)
DQ0-7 八根線必須連到同一T塊(也稱為字節(jié)組)上,一旦分在一起,這個字節(jié)組就不能放地址線和控制線了,只能放數(shù)據(jù)線。 每組數(shù)據(jù)線對應的DQS必須連到N...
DDR4內(nèi)存條的價格已經(jīng)很便宜了,2021年就會有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場,但是新一代平臺值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以...
16位數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) LTC2000特性簡介
?LTC2000是之前Linear推出的16 位 2.5Gsps 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) LTC2000,該器件具出色的頻譜純度,在 200MHz 輸出...
fpga高速接口有哪些? FPGA(Field Programmable Gate Array)是一種可編程邏輯器件,可以實現(xiàn)高度定制的硬件功能。它在數(shù)...
DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成,DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器的縮寫。DDRSDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率接口,也就是在時...
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
所以內(nèi)存的帶寬并沒有你想象的那么快,在隨機IO工作模式的情況下,帶寬只有474M而已。現(xiàn)在SSD固態(tài)硬盤順序IO也差不多能達到這個數(shù)量級了。所以,我們以...
內(nèi)存廠商篤定DDR內(nèi)存2021年反彈,價格有望上漲30%
2020年內(nèi)存價格總體還是在下跌,DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段,2021年服務器市場就會率先引入DDR5內(nèi)存,新時代要開始了。然而2021年的價格走勢不一...
在今年年初,小米率先將LPDDR5內(nèi)存帶到了消費級的手機產(chǎn)品當中,預計LPDDR5內(nèi)存將成為此后高端旗艦手機的標配,因此,不少PC用戶都不禁會問“手機用...
2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達到DDR5-4...
初期DDR5可提供超過DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率,最終預期可達2.6倍8.4Gbps?;仡橨EDEC SDRAM歷代演進,提升幅度還算驚人,但到頭來也只...
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