DRAM存儲(chǔ)器面臨的商業(yè)及四大技術(shù)問(wèn)題

DRAM一直是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的行業(yè)。多年來(lái)，在競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下DRAM供應(yīng)商已經(jīng)經(jīng)歷了多次繁榮和蕭條的循環(huán)。但是現(xiàn)在，該行業(yè)面對(duì)著一個(gè)陰晴不定，甚至可以說(shuō)是無(wú)...

2016-05-06 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器DDR4 4199 0

Intel：DDR4內(nèi)存明年將統(tǒng)治PC

DDR4內(nèi)存已經(jīng)問(wèn)世有很長(zhǎng)一段時(shí)間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來(lái)爆發(fā)期。

2015-08-24 標(biāo)簽：IntelDDR4IDF 1323 0

Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2，666 Mbps。

2014-12-19 標(biāo)簽：FPGA存儲(chǔ)器Altera 4106 0

Cadence宣布推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY I...

2014-05-21 標(biāo)簽：CadenceDDR4FinFET 2169 0

Xilinx推出業(yè)界首款高性能DDR4內(nèi)存解決方案

All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （NASDAQ： XLNX）今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable...

2014-03-11 標(biāo)簽：賽靈思XilinxDDR4 1908 0

Xeon處理器RoadMap現(xiàn)身 驚曝Intel Skylake架構(gòu)芯片

最近外媒曝出Intel至強(qiáng)（Xeon）處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，該圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake會(huì)采用14nm制程，并...

2013-07-05 標(biāo)簽：處理器IntelPCIe 3881 0

Cadence首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

Cadence宣布業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR4 Design IP解決方案在28納米級(jí)芯片上得到驗(yàn)證

2012-09-10 標(biāo)簽：Cadence28納米DDR4 1617 0

預(yù)計(jì)下一代DDR4內(nèi)存將在2015年普及

據(jù)VR報(bào)道，英特爾將推出支持DDR4的高端CPU產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到2015年我們才會(huì)在桌面系統(tǒng)看到下一代的DDR4產(chǎn)品。Haswell四核系統(tǒng)目前已經(jīng)可以達(dá)到...

2012-04-05 標(biāo)簽：ddr3intelddr4 2149 0

美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。

2011-12-18 標(biāo)簽：美光DDR43D內(nèi)存 1470 0

美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)或成DDR4技術(shù)

美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。

2011-12-17 標(biāo)簽：內(nèi)存美光DDR4 996 0

JEDEC即將完成DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)...

2011-08-24 標(biāo)簽：DDR4JEDEC內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) 1988 0

三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)完成

　　三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。

2011-01-05 標(biāo)簽：DRAMDDR4 1515 0

DDR4,什么是DDR4

DDR4,什么是DDR4 DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)...

2010-03-24 標(biāo)簽：DDR4 3526 1