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美光JEDEC合作制定3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)或成DDR4技術(shù)
美光科技今天表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機(jī),而是“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。
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美光計劃使用特殊設(shè)計的主從DRAM die,其中只有主die才與外界內(nèi)存控制器發(fā)生聯(lián)系,從die只是個跟班的小弟,同時還會用上優(yōu)化的DRAM die、每堆棧單個DLL、減少主動邏輯電路、共享的單個外部I/O、改進(jìn)時序、降低外部負(fù)載等等,最終目的是一方面改善內(nèi)存的時序、總線速度、信號完整性,另一方面降低內(nèi)存子系統(tǒng)的功耗和系統(tǒng)壓力。
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美光還特意展示了當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)在不同rank之間讀取時候的時序局限。由于系統(tǒng)限制,會在數(shù)據(jù)總線上出現(xiàn)一個周期的滯后,進(jìn)而影響整體系統(tǒng)帶寬。美光宣稱3DS技術(shù)可以消除這些局限,特別是可以從不同rank那里接受讀取指令,從而“改進(jìn)數(shù)據(jù)總線利用率和帶寬”。
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在此之前,美光已經(jīng)利用IBM 32nm HKMG工藝量產(chǎn)3D TSV硅穿孔內(nèi)存芯片。
- 內(nèi)存(72585)
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傲騰DDR4內(nèi)存條:3D Xpoint技術(shù),單條容量高達(dá)512GB
近日,Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條,代號Apache Pass,英文全稱為Optane DC Persistent Memory(直譯:傲騰數(shù)據(jù)中心專用非易失內(nèi)存)。
2018-06-20 07:47:00
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JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布
關(guān)鍵詞:JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn):DDR4,它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍,且功耗更低
2018-09-30 00:15:01
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DDR4技術(shù)有什么特點?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?
本文介紹了DDR4技術(shù)的特點,并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:28
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宜鼎發(fā)布全新強(qiáng)固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品
2018年11 月 15日 – 宜鼎今日發(fā)布全新強(qiáng)固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品,特別專注于各種工業(yè)嚴(yán)苛條件中的邊緣應(yīng)用。宜鼎國際DRAM全球事業(yè)處副總張偉民表示,DDR4 2666將于
2018-11-16 08:40:11
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Xilinx DDR4控制器和接口的速度運(yùn)行是2400 Mb/s
在安捷倫最新的測試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗證,UltraScale FPGA上運(yùn)行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存接口設(shè)計具有出色的信號質(zhì)量和JEDEC兼容性。
2018-11-30 06:01:00
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國產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相,年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場
隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:14
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瀾起科技表示正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定
日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動時表態(tài),公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:08
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瀾起科技積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定 布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片
瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一,該公司成立于2004年,是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一,憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平,在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢,公司2018年營業(yè)收入175,766.46萬元,凈利潤73,687.84萬元。
2019-12-16 16:10:00
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國產(chǎn)首枚DDR4內(nèi)存亮相 打破了海外市場的壟斷
2 月 28 日訊,國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上,目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片,全部產(chǎn)品都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:28
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江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域 DDR4高端商用內(nèi)存條
江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員,正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品,宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域,F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:22
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美企將與華為合作制定5G網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)
美國政府周一證實,將會修改禁止美國企業(yè)與華為進(jìn)行生意往來的禁令,允許其合作制定下一代5G網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)。美國政府去年將華為列入美國商務(wù)部的所謂“實體名單”,以國家安全為由限制向該公司出售美國的商品和技術(shù)。
2020-06-16 16:24:17
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內(nèi)存條ddr4和顯卡ddr5
中應(yīng)該都不支持DDR5,現(xiàn)階段更是沒有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過根據(jù)最新消息顯示,今年預(yù)計會有不少廠商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品,但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上,但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:12
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采用長鑫DRAM,國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條發(fā)售
近日,據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息,國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:47
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DDR5內(nèi)存和DDR4有啥不同
第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感,也許正是這個原因,很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺,特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同,我們要不要
2021-02-27 12:13:54
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國產(chǎn)內(nèi)存DDR4已通過統(tǒng)信認(rèn)證
嘉合勁威(阿斯加特/光威品牌母公司)今天宣布,旗下的“神可”(Sinker)系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:10
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NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)公布:斷電不丟數(shù)據(jù)、兼容DDR4
,和普通用戶無關(guān)。 現(xiàn)在,JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,序列編號JESD304-4.01,也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù),而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)規(guī)范,這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件,可以最大程度減少對于現(xiàn)有設(shè)備、平臺的更改,同
2021-02-19 10:04:02
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專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計的DDR4/DDR5 Interposr測試板
迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計,阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:48
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DDR4協(xié)議
本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范,包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:17
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ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:25
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DDR3和DDR4的技術(shù)特性對比
摘要:本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:10
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DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?
3是目前使用最為廣泛的計算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它已經(jīng)服務(wù)了計算機(jī)用戶多年。但是,DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步,成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz,而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:00
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