相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:44
6127 
DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:244648 
日本著名存儲設備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453924 據(jù)報道，長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標準規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長鑫特別強調(diào)
2020-02-27 09:01:1110349 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006845 求大神賜個全面的3D PCB封裝庫（PCB封裝附帶3D模型）?。?！~
2015-08-06 19:08:43
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設計中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
；?增加ACT_n控制指令為增強數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點主要有：?DBI；?Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-12 08:07:07
Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義對比如圖1所示，DDR3中存在VDD、VDDQ、VREFDQ、VREFCA四種電源，其中VDD=VDDQ=1.5V
2019-11-12 12:40:17
DDR4內(nèi)存峰會，而這也標志著DDR4標準制定工作的展開。一般認為這樣的會議召開之后新產(chǎn)品將會在3年左右的時間內(nèi)上市，而這也意味著我們將可能在2011年的時候使用上DDR4內(nèi)存，最快也有可能會提前到2010
2011-02-27 16:47:17
`AD16的3D封裝庫問題以前采用封裝庫向?qū)傻?b class="flag-6" style="color: red">3D元件庫，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設置都沒有改變，怎么生成的3D庫就沒有管腳了呢？請問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
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2021-05-08 17:42:19
進一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。在內(nèi)存密度方面，DDR5內(nèi)存標準將允許單個內(nèi)存芯片的密度達到64Gbit，這比DDR4內(nèi)存標準的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度，再結(jié)合多芯片封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)最高40
2022-10-26 16:37:40
可以達到128GB，媲美SSD了。功耗更低功耗方面，DDR3內(nèi)存采用1.5V標準電壓，DDR4功耗明顯降低，電壓降到1.2V甚至更低，功耗下降了，更省電，并且可以減少內(nèi)存的發(fā)熱。DDR4和DDR3內(nèi)存可以
2019-07-25 14:08:13
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2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項目時，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr3
2020-05-11 09:17:30
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時候封裝會遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
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2021-01-30 17:36:35
回收DDR4，收購DDR4,24h開心財富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長期專業(yè)高價回收flash， 回收DDR，回收手機字庫?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com。回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
2010年3D大熱，藍光3D產(chǎn)品成焦點
3D電影阿凡達(Avatar)靠著栩栩如生的3D特效成功擄獲全球影迷，挾著電影熱賣氣勢， 3D影像顯示技術(shù)順勢躍居3D技術(shù)的主流發(fā)展方向，國際
2010-01-22 09:03:481056 電子快門眼鏡或成主流 3D電視標準年底出臺難
3月18日消息，騰訊科技今日從消息人士處獨家獲悉，今年內(nèi)中國3D標準制定基本無
2010-03-21 10:01:221148 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 任天堂3DS非官方設計欣賞 簡單時尚
之前愛活網(wǎng)介紹過支持裸眼3D立體顯示的任天堂新掌機3DS頗受大家的關(guān)注。現(xiàn)在，離新版3DS發(fā)布時間越來越近，
2010-04-09 09:36:441496 從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:146408 
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領(lǐng)導制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關(guān)鍵屬性。 預計將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標準與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:462350 近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
2011-12-01 09:09:00929 美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-17 21:28:561223 美光今天也宣布了另外一種DDR3內(nèi)存的登場：30nm工藝制造的DDR3L-RS DRAM已經(jīng)開始批量供應，主要針對超極本、平板機等超輕薄計算設備。
2012-09-19 11:32:242145 微電子產(chǎn)業(yè)標準機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標準：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標準的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:562016 3D元件封裝庫3D元件封裝庫3D元件封裝庫3D元件封裝庫
2016-03-21 17:16:57
0 本文為您講述ROM存儲介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標準，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標準和NVMe標準。
2016-10-12 15:54:243880 。 DDR4的I/O架構(gòu)稱為PSOD（Pseudo Open Drain），這個新的設計，將會帶來接收端功耗的變化，以及Vref電平的差異。接下來的將會討論PSOD輸出和上一代DDR3標準的差異。 POD
2017-10-13 20:13:1810 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5155968 
雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010 本文主要介紹了DDR4封裝規(guī)格.
2018-06-26 08:00:0057 3DS高清拆解
2018-07-02 03:27:336172 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 (388.64 KB)
“DDR4技術(shù)標準的發(fā)布是下一代DRAM生產(chǎn)的里程碑，”美光DRAM市場部副總裁Robert Feurle說?！案叩男阅?、更低的功耗使DDR4成為下一代企業(yè)和消費者產(chǎn)品有吸引力的存儲器解決方案，”他說到，“我們也期待把這項技術(shù)推向市場?！?
2018-09-30 00:15:013010 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因為硬件極客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2827840 目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存，一種是LPDDR3，多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中，不可更換；另一種是DDR4，常見于14英寸輕薄本或游戲本中，可更換。
2019-04-18 09:46:1344670 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進的數(shù)據(jù)完整性，增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗檢測。
2019-07-26 14:34:0151736 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認，表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:383418 
2019年國內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時取得了重大突破，長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431694 2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標準規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281708 在此前高調(diào)地宣布“分道揚鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525 德國豐田研發(fā)中心TOYOTA Motorsport GmbH（TMG）和3D打印機生產(chǎn)商3D Systems和宣布合作開發(fā)“first-to-market”的增材制造（3D打?。┙鉀Q方案。
2020-05-09 16:19:362254 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠
2020-05-28 15:00:575104 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:472390 才能將當前的PC和服務器設計為與DDR5兼容。 同時，為了幫助減緩需求曲線以提高數(shù)據(jù)速率，DDR4進行了升級，具有更高的密度，更快的速度和更快的響應速度。以下是DDR4的一些最新進展，以保持其3A游戲中的份額。 美光為游戲做好準備 美光的全球計算機內(nèi)存和存儲消費品牌
2020-09-23 16:37:533796 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認證。
2021-01-28 11:02:102504 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:394194 供應鏈的消息，1月份服務器DRAM價格止跌上漲，32GB DDR4 RDIMM合約價月增4.6％達115美元，64GB DDR4 LRDIMM合約價月增4.9％達235美元。 1月份PC標準型DRAM價格
2021-02-03 16:59:202336 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達 DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:162523 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-06 13:51:01165 POD模式；? 增加ACT_n控制指令為增強數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點主要有：? DBI；? Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-06 20:36:0030 Autodesk 3DS MAX 激活破解版免費安裝 是一款先進的專業(yè) 3D 效果圖制作軟件，可用于創(chuàng)建 3D 動畫、模型、游戲和圖像。 該軟件提供了最好的 3D 建模工具集和一個綜合環(huán)境，使用戶
2021-12-03 17:41:431138 
帶來太大的影響。 三星對客戶通知2022年年終之前仍會繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單，并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后，SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)，不對客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存，不過三大芯片供應商中的美光
2022-04-06 12:22:566223 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設計，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:488531 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標準旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 現(xiàn)在市面上發(fā)布了三款針對蘋果iOS系統(tǒng)的3DS模擬器，分別是emuThree DS、Citra iOS 3DS和EGG 3DS，三者均使用Citra模擬器核心開發(fā)，也均能在iOS上模擬3DS游戲。不過在使用體驗上，emuThree DS、Citra iOS 3DS與EGG 3DS沒有太大的可比性
2023-06-05 16:07:081808 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:473 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535585 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1835674 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:106051 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:0013839 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-09 09:51:219 01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設計技術(shù)交流活動時間：2024年7月6日（本周六）10：00地點：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號線，高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51979 
DDR4內(nèi)存作為當前廣泛應用的內(nèi)存標準，盡管其性能穩(wěn)定且技術(shù)成熟，但在實際使用過程中仍可能遇到一些常見問題。
2024-09-04 12:35:046074 DDR4內(nèi)存模塊是計算機內(nèi)存技術(shù)的一項重要進步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:503948 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個隨著技術(shù)進步而不斷演變的指標。目前，DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結(jié)合多個方面來討論。
2024-09-04 12:37:1512505 DDR4（Double Data Rate 4）作為當前主流的計算機內(nèi)存技術(shù)，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個方面都有了顯著提升。
2024-09-04 12:43:1013362 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:256007 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運行時所能達到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個重要指標。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:396941 DDR4（Double Data Rate 4）時序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時所需時間的一組關(guān)鍵參數(shù)，它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時序參數(shù)的詳細解釋，涵蓋了主要的時序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:0711142 隨著技術(shù)的不斷進步，計算機內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計算機的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:2211362 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037925 據(jù)傳輸速率相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。DDR4內(nèi)存的標準起始速率為2133MT/s，而DDR5內(nèi)存的起始速率為4800MT/s。這意味著DDR5內(nèi)存在相同的時間內(nèi)可以傳輸更多的數(shù)據(jù)，從而提高系統(tǒng)的處理
2024-11-29 14:58:405418 ，這些主板通常支持較新的Intel處理器，并具備較高的性能和擴展性。它們通常配備4個或更多的DDR4內(nèi)存插槽，支持較高的內(nèi)存頻率和容量。 B系列主板 ： 如B360、B365、B450、B460
2024-11-29 15:03:4715989 DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819710 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513465 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）前段時間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應鏈波動，同時在供給不足的擔憂
2025-06-19 00:54:0010160 
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