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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

應(yīng)對存儲器芯片封裝技術(shù)挑戰(zhàn)的長電解決方案

存儲器想必大家已經(jīng)非常熟悉了，大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端，小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機(jī)、電腦等電子設(shè)備，都離不開它。作為計算機(jī)的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和...

2020-12-16 標(biāo)簽：DRAM 存儲器存儲技術(shù) 2881 0

一文讀懂SSD硬盤

隨著人們對數(shù)據(jù)需求增多，存儲系統(tǒng)的瓶頸越來越明顯。而在嵌入式領(lǐng)域移動設(shè)備和工業(yè)自動化控制等惡劣環(huán)境下，傳統(tǒng)硬盤機(jī)械結(jié)構(gòu)已經(jīng)無法滿足要求，而所有這一切隨著...

2018-04-19 標(biāo)簽：dram 三星電子 ssd 2874 0

存儲器的分類及其區(qū)別

初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲器分類。按照存儲器的存儲功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。

2025-02-08 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲器 2831 0

關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點(diǎn)

通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標(biāo)簽：放大器 DRAM 存儲器 2828 0

汽車存儲器的種類和功能是什么

汽車?yán)锩總€SoC和高端MCU都需要存儲器配合，用量最大的是座艙SoC和智能駕駛SoC，其次是T-Box和儀表，再次是網(wǎng)關(guān)和底盤。

2023-09-05 標(biāo)簽：mcu DRAM 存儲器 2811 0

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 CMOS工藝 2806 0

DRAM中的靈敏恢復(fù)/讀出放大器

2009-12-04 標(biāo)簽：DRAM 2668 0

串行接口的速率會比并行快的四種因素

高速串口不需要時鐘信號來同步數(shù)據(jù)流，也就沒有時鐘周期性的邊沿，頻譜不會集中，所以噪聲干擾少很多。

2023-01-11 標(biāo)簽：DRAM 并行接口串行接口 2666 0

知存科技助力AI應(yīng)用落地：WTMDK2101-ZT1評估板實(shí)地評測與性能揭秘

隨著當(dāng)今數(shù)據(jù)迅速增長，傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)內(nèi)存墻正在成為計算性能進(jìn)一步提升的阻礙。新一代的存內(nèi)計算（IMC）和近存計算（NMC）架構(gòu)有望突破這一瓶頸，顯著...

2024-05-16 標(biāo)簽：DRAM AI 憶阻器 2660 0

DRAM產(chǎn)品低功耗設(shè)計與演化

前期我們從工作電壓，頻率，容量等產(chǎn)品規(guī)格，prefetch/burst length內(nèi)部訪問方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些...

2023-06-01 標(biāo)簽：DRAM DDR3 接口 2658 0

DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

DDR內(nèi)存通過在時鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個時鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。

2024-04-27 標(biāo)簽：DRAM SDRAM 存儲器 2650 0

通過CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制的大容量、高速度FIFO設(shè)計

許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴(kuò)展，這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高。本文分別針對Hynix公司...

2018-07-26 標(biāo)簽：cpld dram sram 2643 0

關(guān)于存儲技術(shù)涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲器的區(qū)別

RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random access memory(隨機(jī)存取...

2018-07-10 標(biāo)簽：閃存 dram 存儲器 2597 0

什么是存儲器的刷新

存儲器的刷新是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）維護(hù)所存信息的一種重要機(jī)制。由于DRAM利用存儲元中的柵極電容來存儲電荷，而電容本身存在漏電流，導(dǎo)致電荷會逐...

2024-09-10 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 cpu 2572 0

基于CXL技術(shù)的大內(nèi)存池化方案解析

如果 FaceBoo k平臺創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個不同的內(nèi)存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務(wù)器主板之外有大量池化內(nèi)存而帶來的稍高的延遲。

2022-10-20 標(biāo)簽：DRAM cpu 人工智能 2555 0

SSD常用術(shù)語的簡單介紹

SSD主要由控制單元和存儲單元組成，控制單元包括SSD控制器、主機(jī)接口、DRAM等，存儲單元主要是NAND FLASH顆粒。NAND FLASH內(nèi)部存儲...

2024-01-02 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 2524 0

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本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過程中，會...

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四種閃存設(shè)計優(yōu)劣點(diǎn)分析

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我們對四種常見閃存設(shè)計...

2013-06-18 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAS 2469 0

讓你徹底看懂LCD屏的控制原理！

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2023-07-18 標(biāo)簽：微控制器 DRAM 液晶屏 2463 0

一文知道DRAM的組織方式

隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的...

2020-12-18 標(biāo)簽：DRAM 組織方式 2437 0

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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