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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

2018年半導(dǎo)體資本支出的數(shù)據(jù)手冊(cè)存儲(chǔ)器IC占總數(shù)的53％

ICInsights預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)在一年中首次在資本支出上花費(fèi)超過(guò)1000億美元。這一1020億美元的支出...

2018-09-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 3967 0

DRAM和NAND閃存和其它存儲(chǔ)器技術(shù)的區(qū)別

相變存儲(chǔ)器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2022-10-18 標(biāo)簽：相變存儲(chǔ)器 DRAM Nand flash 3848 0

DRAM的總體結(jié)構(gòu)框圖

2009-12-04 標(biāo)簽：DRAM 3841 0

三管MOS DRAM基本單元電路原理單管MOS動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路原理

　　如果需要讀出數(shù)據(jù)，首先需要給T4加上一個(gè)預(yù)充電信號(hào)，然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電，代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”，進(jìn)行讀出時(shí)，讀選擇線是高電平。此時(shí)，如果原...

2023-02-03 標(biāo)簽：DRAM 電路原理 MOS 3840 0

FPGA中常用的存儲(chǔ)器資源

本文主要介紹FPGA中常用的RAM、ROM、CAM、SRAM、DRAM、FLASH等資源，包括特性、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景等。

2023-08-15 標(biāo)簽：fpga DRAM FlaSh 3840 0

NVMe閃存已成為主流企業(yè)存儲(chǔ)技術(shù)

四級(jí)單元（QLC）NAND正在進(jìn)入企業(yè)領(lǐng)域，它可幫助降低價(jià)格，低于目前領(lǐng)先的三級(jí)單元（TLC）NAND。四級(jí)單元應(yīng)該會(huì)讓NAND閃存在未來(lái)幾年保持主流地...

2020-03-06 標(biāo)簽：閃存 DRAM 存儲(chǔ)技術(shù) 3835 0

關(guān)于Graphcore IPU設(shè)計(jì)背后的思考

采用同構(gòu)多核（many-core）架構(gòu)，超過(guò)1000個(gè)獨(dú)立的處理器。每個(gè)處理器核的處理能力和具體支持的操作還不清楚。支持all-to-all的核間通信，...

2018-07-10 標(biāo)簽：dram 存儲(chǔ)器 ipu 3800 0

LPDDR5：增強(qiáng)物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和圖像處理的帶寬、可靠性和功耗

云計(jì)算、人工智能、自動(dòng)駕駛汽車、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、嵌入式視覺等新應(yīng)用正在推動(dòng)對(duì)內(nèi)存性能和能效的更嚴(yán)格要求。內(nèi)存是這些系統(tǒng)的核心，需要高帶寬和速度以及更低的功耗和...

2023-05-26 標(biāo)簽：DRAM 云計(jì)算自動(dòng)駕駛 3772 0

常用存儲(chǔ)單元的原理和特點(diǎn)

在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，通常需要用到各種類型的存儲(chǔ)單元，用以臨時(shí)或者永久地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，所用到的存儲(chǔ)單元也不同。本文對(duì)常見的幾個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行了介紹...

2022-12-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)單元 sram 3739 0

鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析

兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲(chǔ)器 3729 0

什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。

2024-03-20 標(biāo)簽：處理器 DRAM 人工智能 3644 0

堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)分析

在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。

2023-09-08 標(biāo)簽：電容 DRAM 存儲(chǔ)器 3580 0

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的定義和工作原理

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱DRAM）是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，它利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)中...

2024-09-26 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī) 3561 0

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片分類淺述

全球每年的存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模在1600億美元左右，而且隨著高性能計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，邊緣計(jì)算，智能穿戴市場(chǎng)，物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)全球市場(chǎng)規(guī)模的不斷做大，存儲(chǔ)器市場(chǎng)...

2023-07-03 標(biāo)簽：DRAM NAND 物聯(lián)網(wǎng) 3548 0

相比PCRAM、eMVM，MRAM有何優(yōu)勢(shì)

　雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級(jí)特征，但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個(gè)人提供了自己的一系列...

2022-06-10 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 3505 0

關(guān)于FPGA的46個(gè)基本概念你都知道嗎

DRAM ：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，必須不斷的重新的加強(qiáng) (REFRESHED) 電位差量，否則電位差將降低至無(wú)法有足夠的能量表現(xiàn)每一個(gè)記憶單位處于何種狀態(tài)。

2022-12-20 標(biāo)簽：fpga DRAM 有源濾波器 3503 0

基于NOR Flash的數(shù)據(jù)運(yùn)算方法專利揭秘

Computing in Memroy是在DRAM中嵌入邏輯電路，打造“存算一體”架構(gòu)，存算一體架構(gòu)會(huì)大幅降低資料在存儲(chǔ)器與處理器之間往返的負(fù)擔(dān)，降低芯...

2019-12-25 標(biāo)簽：閃存 dram ai 3494 0

DDR與LPDDR的工作原理及異同點(diǎn)？

DDR和LPDDR都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的類型，它們?cè)谟?jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2024-05-12 標(biāo)簽：DRAM DDR 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3485 0

用C語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)一個(gè)全連接層和激活函數(shù)ReLU

全連接層是將輸入向量X乘以權(quán)重矩陣W，然后加上偏置B的過(guò)程。下面轉(zhuǎn)載第二篇的圖，能按照這個(gè)圖計(jì)算就可以了。

2023-03-03 標(biāo)簽：fpga DRAM sram 3474 0

DRAMless并非永遠(yuǎn)代表低預(yù)算還有這些設(shè)計(jì)須知

除了設(shè)計(jì)沒有DRAM的SSD或USB磁盤驅(qū)動(dòng)器的成本外，還有其他原因。閃存控制器的設(shè)計(jì)要么具有外部DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一...

2020-02-12 標(biāo)簽：閃存 DRAM 3442 0

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長(zhǎng)電科技面向全球提供封裝設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開發(fā)及認(rèn)證，以及從芯片中測(cè)、封裝到成品測(cè)試及出貨的全套專業(yè)生產(chǎn)服務(wù)。長(zhǎng)電科技生產(chǎn)、研發(fā)和銷售網(wǎng)絡(luò)已覆蓋全球主要半導(dǎo)體市場(chǎng)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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