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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

紫光國(guó)芯亮相2025中國(guó)國(guó)際消費(fèi)電子展覽會(huì)

2025年9月19日,2025中國(guó)國(guó)際消費(fèi)電子展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱“電博會(huì)”)在青島國(guó)際會(huì)展中心開幕,紫光國(guó)芯與新紫光集團(tuán)旗下來(lái)自芯片、ICT等版塊的十余家重要...

2025-09-20 標(biāo)簽:DRAM消費(fèi)電子紫光國(guó)芯 2.1k 0

概倫電子亮相IDAS 2025設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)

由 EDA2 主辦的第三屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì) IDAS 2025于9月16日在杭州國(guó)際博覽中心盛大落幕。作為國(guó)內(nèi)首家EDA上市公司、關(guān)鍵核心技術(shù)具備國(guó)際...

2025-09-18 標(biāo)簽:DRAMeda概倫電子 1.9k 0

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性能優(yōu)于HBM,超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)來(lái)了!

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實(shí)錘!美光中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整!官方停止移動(dòng)NAND開發(fā)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,據(jù)業(yè)內(nèi)可靠消息稱,近日美光Micron中國(guó)區(qū)進(jìn)行了業(yè)務(wù)調(diào)整。但并非網(wǎng)傳的“波及上海、深圳等地,以及嵌入式研發(fā)骨干、測(cè)試工程師及FA...

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美光科技第三屆鏈博會(huì)圓滿落幕

此前,2025年7月16至20日,作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商,美光再度以“深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域,賦能數(shù)字中國(guó)”為主題亮相第三屆中國(guó)國(guó)際供應(yīng)鏈促進(jìn)博...

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存儲(chǔ)技術(shù)全解析

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2025-07-24 標(biāo)簽:FPGADRAM存儲(chǔ)技術(shù) 1.7k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)...

2025-07-18 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器HBM 1.7k 0

嵌入式應(yīng)用如何兼顧高性能與低功耗

對(duì)于嵌入式系統(tǒng)工程師而言,選擇合適的 DRAM 至關(guān)重要,需綜合考慮帶寬、時(shí)延與功耗限制。在近期發(fā)布的白皮書中,我們?cè)敿?xì)比較了主要的內(nèi)存類型(包括 DD...

2025-07-10 標(biāo)簽:FPGA嵌入式DRAM 1.9k 0

清華大學(xué)TOP EE+項(xiàng)目參訪美光上海

此前,2025年6月4日至6日,清華大學(xué)TOP EE+ 項(xiàng)目于美光上海的參訪活動(dòng)圓滿舉行。為期三天的活動(dòng)匯聚了來(lái)自清華大學(xué)電子工程系的優(yōu)秀留學(xué)生與美光的...

2025-07-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)美光 1.1k 0

華邦電子客制化內(nèi)存解決方案助力可持續(xù)發(fā)展

隨著全球?qū)Ω悄?、更快速電子系統(tǒng)需求的不斷增長(zhǎng),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨雙重挑戰(zhàn):在提升性能的同時(shí)降低環(huán)境影響。華邦電子正面臨著這一挑戰(zhàn),將#可持續(xù)發(fā)展 理念融入...

2025-07-04 標(biāo)簽:閃存DRAM內(nèi)存 1.1k 0

SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實(shí)力

SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術(shù)的支撐,其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過(guò)對(duì)肉眼難以辨識(shí)的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理,SK海力士憑借壓...

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利基DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)

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不同于HBM,這種創(chuàng)新的堆疊式DRAM,功耗有望降低50%

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存儲(chǔ)DRAM:擴(kuò)張與停產(chǎn)雙重奏

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紫光國(guó)芯亮相2025上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)

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2025-05-07 標(biāo)簽:DRAM紫光國(guó)芯車規(guī)芯片 1.6k 0

紫光國(guó)芯亮相2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇

近日,由陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的“2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)成立20周年大會(huì)”在西安舉辦。大會(huì)由省市相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、院士專家、...

2025-05-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM紫光國(guó)芯 1.2k 0

HBM重構(gòu)DRAM市場(chǎng)格局,2025年首季DRAM市占排名

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一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動(dòng)對(duì)服務(wù)器DRAM需求,PC和移動(dòng)需求復(fù)蘇力度也較預(yù)期更為明顯,此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補(bǔ)庫(kù)存需求的共同影響下,2025年一季...

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LPDDR5X速率刷新記錄,LPDDR5-Ultra-Pro DRAM來(lái)了

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上三星推出最新LPDDR5規(guī)范,將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到12700MT/s (12.7GT/s)。 ?...

2025-02-28 標(biāo)簽:DRAM 3.9k 0

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