產(chǎn)能之外，HBM先進封裝的競爭

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）作為存儲行業(yè)當下的新寵，HBM在AI的推動下，已經(jīng)陷入了前所未有的市場狂熱。最大的噱頭自然是產(chǎn)能之爭，比如SK海力士表示明...

2024-05-10 標簽：DRAMHBM先進封裝 3.5k 0

三星電子提前組建DRAM技術(shù)開發(fā)團隊

全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光，計劃在今年三季度到明年逐步實現(xiàn)1cnm的量產(chǎn)。然而，1dnm工藝則排在1cnm之后，預計量...

2024-05-09 標簽：DRAM三星電子SK海力士 846 0

芯金邦獲A+輪融資，系擁有自研內(nèi)存顆粒測試機的模組廠商

近日，國信弘盛旗下億合新興產(chǎn)業(yè)基金參與成都芯金邦科技有限公司A+輪融資。

2024-05-08 標簽：半導體DRAM 1.6k 0

AI浪潮拉動DRAM與NAND閃存合約價飆升

首先來看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預測漲幅為13...

2024-05-07 標簽：DRAMNAND閃存DDR5 796 0

HBM供應商議價提前，2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分

　至于為何供應商提前議價，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品...

2024-05-07 標簽：DRAM人工智能HBM 905 0

現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世

一次偶然的機會，登納德靈光一閃，想到利用單個晶體管中的電容正負極來記錄數(shù)據(jù)，并通過反復充電實現(xiàn)數(shù)據(jù)動態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎。

2024-05-06 標簽：電容DRAM晶體管 903 0

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標簽：DRAMSK海力士HBM 1.2k 0

HBM內(nèi)存市場旺盛，2025年產(chǎn)能與市場份額將攀升

該報告顯示，2023 年 HBM 在市場中的占比僅為 2%，但預計今年將增至 5%，明年則有望突破 10%；而在市場份額上，從去年的 8%上升至今年的 ...

2024-05-06 標簽：DRAM內(nèi)存HBM 1.7k 0

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大...

2024-05-06 標簽：DRAMSK海力士 864 0

AMD與臺積電聯(lián)手推動先進工藝發(fā)展

展望未來，臺積電正通過多個方向推動半導體行業(yè)持續(xù)發(fā)展：包括硅光子學的研發(fā)、與DRAM廠商在HBM領(lǐng)域的深度合作以及探索將3D堆疊技術(shù)應用于晶體管層級的C...

2024-04-29 標簽：DRAM臺積電晶體管 809 0

SK海力士考慮在美國或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠

據(jù)了解，由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲，預計今年內(nèi)存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導體高管表示，“我們得知，SK海力士不僅愿意在韓國設立新廠，同時也在...

2024-04-29 標簽：半導體DRAMSK海力士 636 0

三星與AMD達成30億美元合作協(xié)議

三星和AMD日前宣布達成了一項價值30億美元的合作協(xié)議，引起了半導體領(lǐng)域的巨大轟動。

2024-04-28 標簽：amdDRAMHBM 1.2k 0

存儲芯片行業(yè)曙光初現(xiàn)，上下游漲價拉鋸戰(zhàn)持續(xù)

進入4月，固態(tài)硬盤的現(xiàn)貨價格保持穩(wěn)定，甚至出現(xiàn)部分產(chǎn)品價格高于官方售價的倒掛現(xiàn)象，進而引發(fā)了跌價。

2024-04-28 標簽：DRAM固態(tài)硬盤存儲芯片 1.5k 0

江波龍國際合規(guī)成果顯著，Lexar美國業(yè)務解約

江波龍強調(diào)，此次重大突破不僅使Lexar（雷克沙）的業(yè)務運作更具靈活性，產(chǎn)品與服務更具效率與創(chuàng)新力，以更好地滿足消費者需求，提升用戶體驗。同時，這也彰顯...

2024-04-26 標簽：DRAM存儲器江波龍 1.2k 0

SK海力士發(fā)布2024財年第1季度財報，創(chuàng)歷史同期新高

本季度，SK海力士實現(xiàn)了歷史最高的收入水平，同時營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀錄。公司認為這標志著長期低迷后的全面復蘇。

2024-04-25 標簽：DRAMSK海力士HBM3 1k 0

韓國創(chuàng)新型相變存儲器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點

然而，盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性兩個優(yōu)點，但由于制造工藝復雜且成本較高，同時還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài)，導致生產(chǎn)過程耗電量巨大。

2024-04-25 標簽：PCMDRAM存儲器 971 0

SK海力士擴充AI基礎設施DRAM產(chǎn)能

SK海力士將于本月底啟動建設工程，預計2025年11月完工并開始量產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設備投資，預計向M15X投資超過20萬億韓元，以進一步擴大產(chǎn)能。

2024-04-24 標簽：半導體DRAMSK海力士 1.2k 0

SK海力士提升AI基建產(chǎn)能，助力韓國成為AI半導體強國

SK海力士計劃在本月底啟動建設，預計到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設備投資，預計在M15X的總投資額將超過20萬億韓元，以此來...

2024-04-24 標簽：半導體DRAMSK海力士 985 0

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。

2024-04-23 標簽：DRAMSK海力士HBM 1.2k 0