iPhone15或使用臺(tái)積電3nm芯片,A17性能大幅度提升?

iPhone15或使用臺(tái)積電3nm芯片,A17性能大幅度提升?? iPhone 15是今年最受期待的設(shè)備之一，一如既往，用戶對(duì)此次新發(fā)布抱有很高的期望。...

2023-08-31 標(biāo)簽：晶體管人工智能FinFET 1748 0

驍龍820和天璣1100哪個(gè)好

驍龍820和天璣1100哪個(gè)好 在現(xiàn)今智能手機(jī)市場(chǎng)中，處理器成為了手機(jī)消費(fèi)者選擇一部手機(jī)時(shí)重要的參數(shù)之一。處理器不僅能夠影響手機(jī)的性能還直接關(guān)系到手機(jī)的...

2023-08-17 標(biāo)簽：處理器半導(dǎo)體技術(shù)FinFET 4204 0

g80和驍龍675哪個(gè)好

g80和驍龍675哪個(gè)好 在如今的智能手機(jī)市場(chǎng)中，用戶對(duì)處理器的性能要求越來(lái)越高。隨著各大品牌的不斷推出新款手機(jī)，其中的處理器性能也在不斷提高。現(xiàn)在，高...

2023-08-17 標(biāo)簽：處理器FinFET 1507 0

與芯片實(shí)際利潤(rùn)的縮減作斗爭(zhēng)

更小的工藝節(jié)點(diǎn)，加上不斷尋求在設(shè)計(jì)中添加更多功能，迫使芯片制造商和系統(tǒng)公司選擇哪些設(shè)計(jì)和制造團(tuán)隊(duì)能夠獲得不斷縮小的技術(shù)利潤(rùn)。

2023-08-07 標(biāo)簽：處理器芯片制造FinFET 1212 0

Silicon Box計(jì)劃建設(shè)chiplet半導(dǎo)體代工廠

Silicon Box察覺到當(dāng)前市場(chǎng)缺乏chiplet的先進(jìn)封裝能力，因此決定填補(bǔ)這個(gè)空白。其生產(chǎn)模式僅專注于chiplet，這是以前從未見過的。

2023-08-02 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計(jì)QFN封裝 1626 0

臺(tái)積電向?qū)W界開放16nm FinFET技術(shù)

臺(tái)積電宣布推出大學(xué)FinFET專案，目的在于培育未來(lái)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。

2023-04-23 標(biāo)簽：臺(tái)積電制程FinFET 5755 0

EDA三大巨頭拿下中國(guó)90%市場(chǎng)份額 國(guó)產(chǎn)EDA軟件廠商有新的突破

EDA領(lǐng)域，美國(guó)三大巨頭Synopsys、Cadence，Siemens EDA（位于美國(guó)，被西門子收購(gòu)）拿下了全球約80%的份額。而在中國(guó)市場(chǎng)，這3大...

2023-04-20 標(biāo)簽：edaSynopsysEDA軟件 7274 0

淺談半導(dǎo)體裝備市場(chǎng)產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)和技術(shù)驅(qū)動(dòng)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，未來(lái)數(shù)年中裝備市場(chǎng)的宏觀增長(zhǎng)速度會(huì)大概率繼續(xù)跑贏整體的器件市場(chǎng)。

2023-03-22 標(biāo)簽：臺(tái)積電半導(dǎo)體器件FinFET 749 0

基于3nm支持的A17處理器值得期待嗎

與5nm制程工藝相比，3nm制程的邏輯密度將提升約70%，同等功耗下速度提升10-15%，或同等速度下功耗降低25-30% 。

2023-03-21 標(biāo)簽：處理器FinFET3nm 1348 0

臺(tái)積電3nm FinFET工藝

最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。F...

2023-01-04 標(biāo)簽：臺(tái)積電單柵極FinFET 3007 0

臺(tái)積電3nm的晶圓價(jià)格高達(dá)20,000美元

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，臺(tái)積電的每片晶圓銷售價(jià)格從亞10nm工藝節(jié)點(diǎn)開始呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，其中3nm的晶圓價(jià)格高達(dá)20,000美元。

2022-11-23 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓代工晶體管 2270 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動(dòng)能力

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）是立體多柵器件的一種，其主要特征是由魚鰭形（Fin）的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道，并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。

2022-09-09 標(biāo)簽：集成電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET 3413 1

3納米量產(chǎn)在即 如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片？

據(jù)悉，臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息：一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即，2納米2025年量產(chǎn)。

2022-09-06 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電納米芯片 3788 0

全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成...

2022-08-01 標(biāo)簽：晶體管柵極FinFET 1603 0

芯片級(jí)別靜電防護(hù)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)策略

近年，隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，大量手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域所應(yīng)用的專業(yè)芯片陸續(xù)采用FinFET先進(jìn)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，以滿足高性能設(shè)計(jì)需求...

2022-05-23 標(biāo)簽：芯片FinFET靜電防護(hù) 6854 0