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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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臺(tái)積電宣布與旗下多個(gè)客戶聯(lián)手打造全球首款加速器專屬快取互聯(lián)一致性測(cè)試芯片
晶圓代工龍頭臺(tái)積電7納米制程再邁進(jìn)一步,宣布與旗下客戶包括Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國(guó)際)、Cadence Design Systems(益華...
泛林集團(tuán):一家能夠相當(dāng)程度地調(diào)動(dòng)全球人力資源服務(wù)于中國(guó)客戶的公司
關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)中國(guó)的重要性、中國(guó)要發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的急切心情我們就不必多說(shuō)了。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)資金和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。與過(guò)去相比,中國(guó)現(xiàn)在已經(jīng)不再缺少...
中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝
中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI...
中芯國(guó)際14納米制程獲重大進(jìn)展,已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
8月9日,中芯國(guó)際發(fā)布其2018年第二季度報(bào)。公告顯示,中芯國(guó)際第二季度不僅營(yíng)收、凈利雙增長(zhǎng),14納米制程更是獲得重大進(jìn)展!
臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表
持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC),于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn),并將有一個(gè)采用極紫外光微影(EUV)...
三星Exynos旗艦行動(dòng)處理器將很快亮相 將采用7納米FinFET制程技術(shù)
就在華為麒麟 980、蘋(píng)果 A12 處理器之后,三星 Exynos 旗艦行動(dòng)處理器也要朝 7 納米制程節(jié)點(diǎn)前進(jìn)了。隨著 2019 年三星旗下的智能型手機(jī)...
Achronix完成其基于16nm FinFET+工藝的Speedcore eFPGA技術(shù)量產(chǎn)級(jí)測(cè)試芯片的驗(yàn)證
要點(diǎn): 術(shù)量產(chǎn)級(jí)測(cè)試芯片的驗(yàn)證 Speedcore驗(yàn)證芯片通過(guò)了嚴(yán)格的整套測(cè)試,同時(shí)所有功能已獲驗(yàn)證 在所有的運(yùn)行條件下,復(fù)雜...
中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn)
中芯國(guó)際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺(tái)積電技術(shù)高層梁孟松后,首次于線上法說(shuō)會(huì)中現(xiàn)“聲”說(shuō)法,他表示非??春弥行驹诋a(chǎn)業(yè)中的機(jī)...
淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案
Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 12nm ...
2017-10-11 標(biāo)簽:tsmc物聯(lián)網(wǎng)mentor 3189 0
格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
美國(guó)加利福尼亞圣克拉拉,2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性...
格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即
加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿足...
三星第二代10納米制程開(kāi)發(fā)完成 | 老邢點(diǎn)評(píng)
三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成,未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
中國(guó)半導(dǎo)體工藝落后國(guó)際大廠 談突破先了解FinFET和胡正明
日前,中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化...
FinFET發(fā)明人胡正明 獲頒“潘文淵獎(jiǎng)”
今年得獎(jiǎng)?wù)邽槊绹?guó)加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他也曾是臺(tái)積電前技術(shù)長(zhǎng),主辦單位表示,胡研發(fā)的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小...
2016-12-30 標(biāo)簽:FinFET胡正明潘文淵獎(jiǎng) 1530 0
其中Exynos 8895M為高配版,CPU核心架構(gòu)為貓鼬M2+A53,其中貓鼬M2最高主頻為2.5GHz,而A53主頻為1.7GHz,GPU為20核的...
2016-12-29 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝Exynos8895 1495 0
7nm后,這個(gè)技術(shù)將接替FinFET延續(xù)摩爾定律
比利時(shí)微電子在2016國(guó)際電子元件會(huì)議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極...
據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指...
據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指...
據(jù)IEEE報(bào)道,來(lái)自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來(lái)經(jīng)過(guò)技術(shù)改進(jìn)有可...
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