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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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finfet資訊

臺(tái)積電宣布與旗下多個(gè)客戶聯(lián)手打造全球首款加速器專屬快取互聯(lián)一致性測(cè)試芯片

晶圓代工龍頭臺(tái)積電7納米制程再邁進(jìn)一步,宣布與旗下客戶包括Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國(guó)際)、Cadence Design Systems(益華...

2018-05-03 標(biāo)簽:臺(tái)積電finfet測(cè)試芯片 1175 0

泛林集團(tuán):一家能夠相當(dāng)程度地調(diào)動(dòng)全球人力資源服務(wù)于中國(guó)客戶的公司

關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)中國(guó)的重要性、中國(guó)要發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的急切心情我們就不必多說(shuō)了。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)資金和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)。與過(guò)去相比,中國(guó)現(xiàn)在已經(jīng)不再缺少...

2018-05-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體finfet 1.6萬(wàn) 0

中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝

中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松透露,中芯國(guó)際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝,2019年上半年開(kāi)始試產(chǎn)14nm FinFET工藝,并藉此進(jìn)入AI...

2018-05-14 標(biāo)簽:中芯國(guó)際finfet 5818 0

中芯國(guó)際14納米制程獲重大進(jìn)展,已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段

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8月9日,中芯國(guó)際發(fā)布其2018年第二季度報(bào)。公告顯示,中芯國(guó)際第二季度不僅營(yíng)收、凈利雙增長(zhǎng),14納米制程更是獲得重大進(jìn)展!

2018-08-10 標(biāo)簽:中芯國(guó)際晶圓FinFET 2796 0

臺(tái)積電宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點(diǎn)的首個(gè)時(shí)間表

持續(xù)同時(shí)朝多面向快速進(jìn)展的晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC),于美國(guó)硅谷舉行的年度技術(shù)研討會(huì)上宣布其7納米制程進(jìn)入量產(chǎn),并將有一個(gè)采用極紫外光微影(EUV)...

2018-05-11 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓finfet 3814 0

三星Exynos旗艦行動(dòng)處理器將很快亮相 將采用7納米FinFET制程技術(shù)

就在華為麒麟 980、蘋(píng)果 A12 處理器之后,三星 Exynos 旗艦行動(dòng)處理器也要朝 7 納米制程節(jié)點(diǎn)前進(jìn)了。隨著 2019 年三星旗下的智能型手機(jī)...

2018-11-07 標(biāo)簽:處理器三星電子FinFET 2107 0

Achronix完成其基于16nm FinFET+工藝的Speedcore eFPGA技術(shù)量產(chǎn)級(jí)測(cè)試芯片的驗(yàn)證

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要點(diǎn):   術(shù)量產(chǎn)級(jí)測(cè)試芯片的驗(yàn)證   Speedcore驗(yàn)證芯片通過(guò)了嚴(yán)格的整套測(cè)試,同時(shí)所有功能已獲驗(yàn)證   在所有的運(yùn)行條件下,復(fù)雜...

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什么是FinFET?FinFET的工作原理是什么?

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在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用...

2018-07-18 標(biāo)簽:cmos半導(dǎo)體finfet 12.2萬(wàn) 0

中芯攬三星電子、臺(tái)積電技術(shù)猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產(chǎn)

中芯國(guó)際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺(tái)積電技術(shù)高層梁孟松后,首次于線上法說(shuō)會(huì)中現(xiàn)“聲”說(shuō)法,他表示非??春弥行驹诋a(chǎn)業(yè)中的機(jī)...

2017-11-27 標(biāo)簽:中芯國(guó)際臺(tái)積電FinFET 1554 0

淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案

Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 12nm ...

2017-10-11 標(biāo)簽:tsmc物聯(lián)網(wǎng)mentor 3189 0

格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)

美國(guó)加利福尼亞圣克拉拉,2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性...

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格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù),其40%的跨越式性能提升將滿足...

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三星第二代10納米制程開(kāi)發(fā)完成 | 老邢點(diǎn)評(píng)

三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成,未來(lái)爭(zhēng)取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

2017-04-27 標(biāo)簽:三星電子FinFET10nm制程 1719 1

中國(guó)半導(dǎo)體工藝落后國(guó)際大廠 談突破先了解FinFET和胡正明

日前,中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化...

2017-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FD-SOIFinFET 3383 0

FinFET發(fā)明人胡正明 獲頒“潘文淵獎(jiǎng)”

今年得獎(jiǎng)?wù)邽槊绹?guó)加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他也曾是臺(tái)積電前技術(shù)長(zhǎng),主辦單位表示,胡研發(fā)的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小...

2016-12-30 標(biāo)簽:FinFET胡正明潘文淵獎(jiǎng) 1530 0

10納米FinFET工藝制程的Exynos8895呼之欲出

其中Exynos 8895M為高配版,CPU核心架構(gòu)為貓鼬M2+A53,其中貓鼬M2最高主頻為2.5GHz,而A53主頻為1.7GHz,GPU為20核的...

2016-12-29 標(biāo)簽:FinFET半導(dǎo)體工藝Exynos8895 1495 0

7nm后,這個(gè)技術(shù)將接替FinFET延續(xù)摩爾定律

比利時(shí)微電子在2016國(guó)際電子元件會(huì)議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體的CMOS集成電路,其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極...

2016-12-12 標(biāo)簽:摩爾定律FinFET7nm制程 2767 0

三星被指盜取FinFET芯片專利技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指...

2016-12-05 標(biāo)簽:三星電子FinFET 703 0

三星被指盜取FinFET芯片專利技術(shù) 將被起訴

據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指...

2016-12-05 標(biāo)簽:芯片三星電子FinFET 857 0

下一代高性能晶體管——納米線能否繼任FinFET

據(jù)IEEE報(bào)道,來(lái)自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來(lái)經(jīng)過(guò)技術(shù)改進(jìn)有可...

2016-11-23 標(biāo)簽:SiGe晶體管FinFET 4348 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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