縮減硅工藝的可怕競(jìng)爭(zhēng),最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德(GlobalFoundries)今日宣布,它將無(wú)限期地暫停 7nm LP 工藝的開(kāi)發(fā),以便將資源轉(zhuǎn)移到更加專業(yè)的 14nm 和 12nm
2018-08-28 09:24:20
5192 今年對(duì)于格芯來(lái)說(shuō),是其轉(zhuǎn)型開(kāi)始的重要一年。 8月份,格芯宣布將擱置7納米FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。同時(shí),格芯為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景
2018-11-01 09:57:39
1950 延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米加強(qiáng)版(7+)制程將按既定時(shí)程于3月底正式量產(chǎn),而全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將在2019年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。 據(jù)了解,獨(dú)家
2019-02-13 10:08:15
5233 延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),臺(tái)積電支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米加強(qiáng)版(7+)制程將按既定時(shí)程于3月底正式量產(chǎn),而全程采用EUV技術(shù)的5納米制程也將在2019年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。
2019-02-14 00:06:00
2519 生產(chǎn)線比其他代工廠的生產(chǎn)線要小得多。 中芯國(guó)際的前代制造技術(shù)為28納米,因此14納米工藝切實(shí)提高了晶體管密度,提高了性能,并降低了功耗,這自然使該公司能夠生產(chǎn)更復(fù)雜,更昂貴的芯片,而這些芯片原本可以外包給更大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。 目前,中芯國(guó)際在其300毫米晶
2019-11-19 10:40:26
7769 那么20納米的平面型晶體管還有市場(chǎng)價(jià)值么?這是一個(gè)很好的問(wèn)題,就在此時(shí),在2013年初,20nm的平面型晶體管技術(shù)將會(huì)全面投入生產(chǎn)而16納米/14納米 FinFET器件的量產(chǎn)還需要一到兩年,并且還有
2013-03-15 09:02:54
2671 
Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Cadence Design Systems, Inc.)(納斯達(dá)克代碼:CDNS)今日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議,共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù),以其適用于
2013-04-09 11:00:05
1123 格羅方德表示2015年推出10納米,此進(jìn)度比臺(tái)積電領(lǐng)先兩年,也比英特爾2016年投入研發(fā)還領(lǐng)先一年。
2013-04-28 09:11:36
1210 我們的FinFET制程分為兩個(gè)世代,包括14納米和7納米。過(guò)去我們的14納米是和三星電子(Samsung Electronics)合作,在7納米上我們選擇不同技術(shù),加上收購(gòu)IBM資產(chǎn)后,我們的研發(fā)資源變廣,因此決定自己開(kāi)發(fā)7納米制程技術(shù)。
2016-11-03 09:17:28
1902 12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時(shí)滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場(chǎng)上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高
2017-09-25 16:12:36
9306 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國(guó)所展示的,格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)
2017-09-25 17:21:09
8685 美國(guó)加利福尼亞圣克拉拉,2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開(kāi)發(fā)的工藝
2017-09-27 11:11:29
10466 格芯各類技術(shù)與解決方案,覆蓋主題十分廣泛,包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT,5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車(chē)解決方案智能應(yīng)用,F(xiàn)DX?、FinFET和射頻技術(shù),嵌入式內(nèi)存解決方案和主流平臺(tái)等。
2017-10-24 10:12:24
7800 美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉及中國(guó)上海,(2017年11月15日)——格芯(GLOBALFOUNDRIES)及上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日宣布,已通過(guò)使用格芯55納米低功率擴(kuò)展(55LPx) 技術(shù)
2017-11-16 14:31:53
13706 制程進(jìn)度,共同執(zhí)行長(zhǎng)趙海軍表示,先進(jìn)制程14納米FinFET將于2019年量產(chǎn),第二代28納米HKMG制程也會(huì)于2018年底問(wèn)世,外界都睜大眼睛等著檢視成績(jī)單。 中芯國(guó)際15日的線上法說(shuō)中,仍是由趙海軍主持會(huì)議,梁孟松僅簡(jiǎn)短發(fā)言,代表加入新團(tuán)隊(duì)后的首次現(xiàn)“聲”,也滿
2017-11-27 16:29:53
1679 根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息指出,中國(guó)大陸最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際,目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn)。因此,距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)了。
2018-06-15 14:09:46
9752 8月30日,中芯國(guó)際發(fā)布2018年中期業(yè)績(jī),收入同比增長(zhǎng)11.5%至17.22億美元;毛利同比增長(zhǎng)5.6%至4.38億美元。中芯國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。中芯國(guó)際的第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
2018-08-31 14:44:33
6228 晶圓代工大廠格芯宣布,旗下最先進(jìn)的FinFET解決方案“12LP+”,已通過(guò)技術(shù)驗(yàn)證,目前準(zhǔn)備在紐約州馬爾他的Fab 8進(jìn)行生產(chǎn),預(yù)計(jì)在今年下半年進(jìn)行試產(chǎn)。
2020-07-06 10:06:05
4198 這款測(cè)試芯片是業(yè)界首款采用12納米FinFet(FF)技術(shù)為音頻IP提供完整解決方案的產(chǎn)品。該芯片完美結(jié)合了高性能、低功耗和優(yōu)化的占板面積,為電池供電應(yīng)用提供卓越的音質(zhì)與功能。這款專用測(cè)試芯片通過(guò)
2024-02-22 14:46:18
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2013年韓國(guó)首爾納米技術(shù)展NANO KOREA2013年韓國(guó)納米展 韓國(guó)納米展 首爾納米展新材料展 微電子技術(shù)展 精密陶瓷展展會(huì)時(shí)間:2013年7月 10-12日主辦單位:韓國(guó)納米組織委員會(huì) 韓國(guó)
2013-02-24 13:52:34
Finfet技術(shù)(3D晶體管)詳解
2012-08-19 10:46:17
的日常防護(hù)需求。尤其適合對(duì)手機(jī),智能穿戴設(shè)備做整機(jī)處理,并可達(dá)到IPX7的專業(yè)防水等級(jí)。特點(diǎn):具有防水、耐腐蝕,導(dǎo)電性能。 主要工藝:在真空狀態(tài),一定條件納米材料形成氣體沉積在產(chǎn)品表面。360°無(wú)死角
2018-09-19 13:34:06
`納米防水技術(shù)還在推廣當(dāng)中。很多人沒(méi)接觸過(guò)。納米技術(shù)的防水、防潮,耐腐蝕。技術(shù)的應(yīng)用的比較廣,比如音響喇叭網(wǎng),容易吸潮,納米鍍膜后完全不會(huì)吸潮。對(duì)音質(zhì)測(cè)試完全無(wú)影響。藍(lán)牙耳機(jī)耐汗耐腐蝕。鞋子防水抗濺,莫高檔品牌已經(jīng)在做了。LED防水防潮等等。`
2018-09-21 15:26:09
XP3358是一款數(shù)字高性能單級(jí)高PF(PF>0.9)恒壓(V)控制芯片適用于反(Fyback)或升降壓(buck-boost)電源拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">芯格諾專利的數(shù)字控制算法使得XP3358具備
2023-08-11 16:32:14
`7納米芯片一直被視為芯片業(yè)“皇冠上的珍珠”,令全球芯片企業(yè)趨之若鶩。在大家熱火朝天地競(jìng)相布局7納米工藝時(shí),全球第二大的芯片大廠GlobalFoundries(格羅方德,格芯,以下簡(jiǎn)稱GF)突然宣布
2018-09-05 14:38:53
蘋(píng)果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版(FinFET Plus)將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn),搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù),在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
`AGM(傲格芯),成立于2012年,是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的提供可編程邏輯SOC芯片的半導(dǎo)體集成電路,AGM自有編譯全套軟件,(包括自有的synthesis,place,route,timing
2020-09-01 15:01:39
隨著智能家居技術(shù)的不斷進(jìn)步,即熱式熱水器作為現(xiàn)代家庭中的重要組成部分,正逐漸向智能化、節(jié)能化方向發(fā)展。本方案通過(guò)采用武漢芯源半導(dǎo)體的CW32F030系列單片機(jī),以其高性能、超強(qiáng)抗干擾等特性,為即熱式
2024-06-06 14:17:47
。公司主要投資人帶領(lǐng)的科研工作組從事新材料、納米技術(shù)的研究已有十幾年的時(shí)間,并在納米基礎(chǔ)材料的研究中取得了一系列的成果。研制開(kāi)發(fā)了幾項(xiàng)在國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先的產(chǎn)品技術(shù),具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。現(xiàn)已擁有5項(xiàng)授權(quán)專利
2011-11-12 09:57:00
的芯片代工業(yè)務(wù),隨著電子行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)升級(jí),我們將能看到更多省電又輕薄的手機(jī)。比如目前全球領(lǐng)先芯片制作商都在追的10nm線程,不僅如此,廠商們還把目光投向7納米甚至是5納米,相信不久的將來(lái)會(huì)有更精湛的產(chǎn)品呈現(xiàn)在我們面前。敬請(qǐng)期待吧!
2016-12-16 18:20:11
,并以此為資本爭(zhēng)奪下一代iPhone的芯片代工業(yè)務(wù),隨著電子行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)升級(jí),我們將能看到更多省電又輕薄的手機(jī)。比如目前全球領(lǐng)先芯片制作商都在追的10nm線程,不僅如此,廠商們還把目光投向7納米甚至是5納米,相信不久的將來(lái)會(huì)有更精湛的產(chǎn)品呈現(xiàn)在我們面前。敬請(qǐng)期待吧!
2016-06-29 14:49:15
1、引言自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái),納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究,是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)。基于碳納米管獨(dú)特的電學(xué)特性,提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想
2019-05-28 07:58:57
中芯國(guó)際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”,紐約
2009-10-15 08:22:44
1035 中芯國(guó)際65納米技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先
虎年春節(jié),寧先捷終于和家人一起過(guò)了年。身為中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司技術(shù)開(kāi)發(fā)中心負(fù)責(zé)人,他此
2010-03-23 11:10:16
1260 該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:55
1642 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:30
8361 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布,立即推出基于臺(tái)積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))。
2014-05-21 09:44:54
3163 FastSPICE? (AFS) 平臺(tái)。除此之外,Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺(tái)已可應(yīng)用在基于TSMC 7 納米 FinFET 工藝最新設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè) (DRM) 和 SPICE 模型的初期設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和 IP 設(shè)計(jì)。
2016-03-24 11:13:19
1110 12月13 日,格羅方德公司今天宣布,已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長(zhǎng)距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分,F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的長(zhǎng)距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備。
2016-12-15 14:03:26
1971 加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術(shù)的FX-7TM專用集成電路(ASIC)。FX-7是一個(gè)集成式設(shè)計(jì)平臺(tái),將先進(jìn)的制造工藝技術(shù)與差異化
2017-06-14 16:35:07
3033 加利福尼亞,圣克拉拉(2017年8月9日)——格芯今日宣布推出2.5D封裝解決方案,展示了其針對(duì)高性能14納米FinFET FX-14?ASIC集成電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)的功能。
2017-08-14 17:46:54
1075 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布一項(xiàng)合作,將共同構(gòu)建首款基于臺(tái)積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性(CCIX)的加速器測(cè)試芯片,并計(jì)劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:12
4604 賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布計(jì)劃在 2018 年交付 7 納米 FinFET 工藝芯片。這一測(cè)試芯片旨在從硅芯片層面證明 CCIX 能夠支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器實(shí)現(xiàn)一致性互聯(lián)。
2017-09-25 11:20:20
7378 半導(dǎo)體行業(yè)觀察:全球第二大晶圓代工廠格芯半導(dǎo)體股份有限公司宣布,正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地 關(guān)鍵詞:格芯
2017-10-24 15:48:43
10095 在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49:00
123257 
格芯之前跳過(guò) 20 納米及 10 納米制程節(jié)點(diǎn),直接進(jìn)入 14 納米及 7 納米制程節(jié)點(diǎn),14 納米制程穩(wěn)定量產(chǎn),而 7 納米制程預(yù)計(jì)在 2018 年底前量產(chǎn)。制程進(jìn)展從合作伙伴 AMD 得到的反應(yīng)都還不錯(cuò),可讓 AMD 的 Zen 2、Zen 3 架構(gòu)處理器按計(jì)劃執(zhí)行生產(chǎn)。
2018-05-18 15:27:08
5516 中芯國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:52
4048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:00
4095 與上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝在減少30%芯片尺寸基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%功耗降低。讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。
2018-07-22 11:13:49
5153 根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),晶圓代工大廠格芯(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton日前表示,格芯將在2018年底推出7納米制程,并且將于2019年大規(guī)模量產(chǎn)。Gary Patton指出,格
2018-08-06 11:01:00
3565 中芯國(guó)際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日,中芯國(guó)際公布了在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量,良率達(dá)到業(yè)界水平。
2018-08-18 10:31:00
4587 8月28日,全球第二大晶圓代工芯片制造商GlobalFoundries(以下簡(jiǎn)稱格芯)宣布將擱置7nm FinFET項(xiàng)目,以支持公司戰(zhàn)略調(diào)整。集邦咨詢研究經(jīng)理林建宏認(rèn)為,這對(duì)全球晶圓格局影響有限,當(dāng)下全球7nm代工晶圓市場(chǎng)以臺(tái)積電為首的格局已定,即便如此,格芯停產(chǎn)對(duì)臺(tái)積電并非完全有利。
2018-08-30 16:22:00
2274 晶圓代工大廠格芯在28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:00
2751 全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程競(jìng)賽,臺(tái)積電的對(duì)手又有一名退出。全球最大半導(dǎo)體芯片制造商之一格芯(Globalfoundries)已決定退出開(kāi)發(fā)最先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的爭(zhēng)奪戰(zhàn),電子業(yè)對(duì)臺(tái)積電的倚賴將進(jìn)一步加深。
2018-08-28 15:26:00
2931 Globalfoundries(簡(jiǎn)稱格芯)公司今天宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝??紤]到格芯這幾年來(lái)營(yíng)收及盈利狀況
2018-08-29 15:13:00
3967 全球第二大半導(dǎo)體晶圓代工廠格芯宣布,將在7納米FinFET先進(jìn)制程發(fā)展無(wú)限期休兵。聯(lián)電之后半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程競(jìng)逐又少一家,外界擔(dān)憂將對(duì)全球代工晶圓產(chǎn)業(yè)造成什么影響,集邦咨詢(TrendForce)針對(duì)幾個(gè)面向進(jìn)行分析。
2018-08-31 15:12:00
4163 據(jù)報(bào)道,晶圓代工大廠格芯宣布退出7 納米,市場(chǎng)以利多解讀臺(tái)積電后市,異康集團(tuán)及青興資本首席顧問(wèn)楊應(yīng)超指出,從先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)來(lái)說(shuō),臺(tái)積電確實(shí)是受惠者,然而大廠退出市場(chǎng),也反映半導(dǎo)體高成長(zhǎng)不再。
2018-08-31 14:19:05
3811 格芯方面表示,他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來(lái)幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開(kāi)發(fā)資源,讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:04
3646 提供7納米及以下的晶圓代工替代選項(xiàng),讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開(kāi)合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司,他們需要ASIC服務(wù)同時(shí)生產(chǎn)規(guī)模需求無(wú)法僅由格芯提供。
2018-08-31 16:18:28
4490 全球第二大晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)昨(28)日意外宣布,將無(wú)限期擱置7納米計(jì)劃。
2018-08-31 17:32:19
3223 (GLOBALFOUNDRIES)今天宣布其轉(zhuǎn)型的重要一步,繼今年初湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)接任首席執(zhí)行官后,格芯正在重塑其技術(shù)組合,依照嘉菲爾德所闡述的戰(zhàn)略方向,重點(diǎn)關(guān)注為高增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供真正的差異化產(chǎn)品。 格芯正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來(lái)幾年采用該技術(shù)的下
2018-09-03 07:41:01
477 美國(guó)晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)退出7納米競(jìng)賽后,知情人士消息證實(shí),超微正與格芯重談晶圓供給協(xié)議(Wafer Supply Agreement,WSA)。
2018-09-10 10:08:00
4134 8月底,全球第二大晶圓代工廠格芯(Globalfoundries,“GF”)宣布退出7納米及以下先進(jìn)制程的研發(fā)與投資,這是繼聯(lián)電之后,第二家宣布放棄10納米以下制程的半導(dǎo)體公司。雖然放棄7納米及以下
2018-09-27 16:14:00
5049 關(guān)鍵詞:格芯 , FinFET 功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和可擴(kuò)展性 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套
2018-10-04 00:09:01
415 著名的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司Global Foundries宣布,將放棄未來(lái)7納米技術(shù)的研發(fā),這意味著未來(lái)參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠只剩英特爾、三星和臺(tái)積電三家。
2018-10-28 09:38:17
6115 8月份,格芯宣布將擱置7納米 FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。同時(shí),格芯為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資,將建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。
2018-11-01 09:25:24
1376 關(guān)鍵詞:22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日,云天勵(lì)飛以及瑞芯微電子宣布,它們采用格芯22FDX技術(shù)自主研發(fā)設(shè)計(jì)的AI芯片成功流片。2018年7月,格芯宣布其22FDX技術(shù)憑借優(yōu)良性能
2018-11-05 16:31:02
500 三個(gè)月前,晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目,業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場(chǎng)之時(shí),格芯為何作出此舉?放棄7nm制程后,格芯未來(lái)的路又將走向何方?這是業(yè)界關(guān)心的問(wèn)題。
2018-12-03 14:30:56
3452 如果中芯國(guó)際能夠批量生產(chǎn)14納米FinFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并且,進(jìn)一步向前推進(jìn)“半世代”工藝12納米,那么將使中芯與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并駕齊驅(qū),甚至超前,居于國(guó)內(nèi)晶圓代工的領(lǐng)先地位。尤其,臺(tái)積電受限于登陸投資,工藝卡位在16納米,那么12納米對(duì)于中芯而言,就具備地利優(yōu)勢(shì)。
2019-02-20 15:58:03
6232 日前,業(yè)界再度傳出晶圓代工廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在為其新加坡Fab 7廠尋找買(mǎi)家。對(duì)此,格芯今天官方作出回應(yīng)。
2019-03-15 15:54:28
3042 4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:23
3799 值得注意的是,去年6月,格芯開(kāi)始全球裁員,在建的成都12寸晶圓廠項(xiàng)目招聘暫停。去年8月,格芯宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:21
4152 在昨日的財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上,中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士說(shuō):“中芯國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,我們28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。
2019-08-30 16:07:44
7804 格芯指出,新開(kāi)發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測(cè)試芯片,是采用格芯的12納米FinFET制程所制造,采用3D的ARM網(wǎng)狀互連技術(shù),允許資料更直接的傳輸?shù)狡渌麅?nèi)核,極大化的降低延遲性。而這樣的架構(gòu),這可以降低資料中心、邊緣運(yùn)算以及高端消費(fèi)者應(yīng)用程式的延遲,并且提升數(shù)據(jù)的傳輸速度。
2019-08-12 16:36:54
3247 才與臺(tái)積電進(jìn)行專利訴訟官司和解,并簽訂10年交互授權(quán)協(xié)議的晶圓代工大廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布,與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器(HBM2E)運(yùn)用于格芯最近宣布
2019-11-06 15:59:55
3626 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣消息報(bào)道,中國(guó)大陸芯片代工廠商中芯國(guó)際已經(jīng)從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電手中,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:43
3455 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》(DigiTimes)1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱,中國(guó)大陸芯片代工廠商中芯國(guó)際擊敗臺(tái)積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:01
6363 三星日前簡(jiǎn)要介紹了GAAFET中核心技術(shù)MCBFET(多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管),基于它打造的3nm芯片,相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗,增加30%的性能。
2020-04-15 09:12:36
3882 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù),這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸,甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下,在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過(guò)其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:23
3682 7月3日消息,作為先進(jìn)的特色工藝半導(dǎo)體代工廠,格芯? (GF?) 近日宣布其先進(jìn)的FinFET解決方案12LP+已完成技術(shù)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。12LP+是格芯推出的差異化解決方案,針對(duì)人工智能(AI
2020-07-06 15:16:56
2563 宣布為支持公司戰(zhàn)略調(diào)整,格芯將擱置7納米FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。 簡(jiǎn)單地說(shuō):就是 ,哥以后不跟著臺(tái)積電玩了,哥要走特色工藝去了。這個(gè)官宣
2020-12-02 14:16:27
3066 據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱,中芯國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn);第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:15
2429 中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者時(shí)表示,第二代FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 在回答投資者 近來(lái)公司 7 納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何?的問(wèn)題時(shí),中芯國(guó)際表示,公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:37
3352 當(dāng)我們聊到格芯的時(shí)候,行業(yè)內(nèi)的人都知道他們是在全球都名列前茅的晶圓代工廠。在產(chǎn)品線方面,他們不但擁有成熟的平面晶體管制造工藝,還擁有性能優(yōu)越的FinFET工藝。此外,格芯這些年來(lái)還在FD-SOI
2021-02-22 15:45:04
3114 博世之所以選擇格芯作為下一代毫米波汽車(chē)?yán)走_(dá)的合作伙伴,是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">格芯在射頻和毫米波特殊工藝半導(dǎo)體代工解決方案方面處于領(lǐng)先地位。格芯22FDX射頻解決方案具備出色的性能、功耗和廣泛的功能集成能力,是汽車(chē)?yán)走_(dá)的理想半導(dǎo)體解決方案。
2021-03-17 10:08:38
2563 上海天數(shù)智芯半導(dǎo)體今日正式發(fā)布全自研高性能云端7納米芯片BI及產(chǎn)品卡,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高性能GPGPU歷史上的突破。
2021-03-31 16:01:03
4270 擁有一套經(jīng)過(guò)自身驗(yàn)證的芯片設(shè)計(jì)流程和法則,是世芯成功的關(guān)鍵。它不僅能優(yōu)化功耗、性能和面積的設(shè)計(jì),同時(shí)還能符合客戶嚴(yán)格的流片計(jì)劃要求。世芯完整的7/6/5納米設(shè)計(jì)能力包括大規(guī)模芯片設(shè)計(jì)里必要的分區(qū)和簽核、測(cè)試設(shè)計(jì)流程
2022-04-14 14:39:40
1697 5納米芯片相比7納米芯片的工藝技術(shù)要求更高、更好更低、性能更好。芯片工藝中5nm和7nm的兩個(gè)數(shù)值,代表的是芯片晶體管導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)度。
2022-06-29 17:00:39
30825 據(jù)悉,臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)。
2022-09-06 16:00:20
4177 的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車(chē)處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車(chē)嵌入式MRAM(磁隨機(jī)存儲(chǔ)器)。在向軟件定義汽車(chē)(SDV)的過(guò)渡中,汽車(chē)廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02
1289 今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid,它也是一種設(shè)計(jì)格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前,我們首先來(lái)了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2023-07-12 17:31:45
2208 
半導(dǎo)體芯科技編譯 新的解決方案支持提高電源性能和效率、安全性和連接性的需求。 在其年度技術(shù)峰會(huì)上,格芯(Global Foundries)宣布了其兩個(gè)技術(shù)平臺(tái)的進(jìn)展,將支持自動(dòng)駕駛、互聯(lián)和電動(dòng)汽車(chē)
2023-09-06 17:38:59
827 AutoPro?平臺(tái)的一部分,該平臺(tái)為格芯的汽車(chē)客戶提供廣泛的技術(shù)解決方案和制造服務(wù),最大限度地減少認(rèn)證工作并加快上市時(shí)間。該技術(shù)的結(jié)溫為175℃,適合在極端溫度下管理車(chē)輛的關(guān)鍵功能。 博世公司汽車(chē)電子執(zhí)行副總裁Jens Fabrowsky表示:“通過(guò)在格芯AutoPro平臺(tái)上利用這種40納米
2023-12-25 14:49:04
948 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是,它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:55
1206 )的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及其完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。此次收購(gòu)不僅標(biāo)志著格芯在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的又一里程碑,也預(yù)示著其在汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)及人工智能數(shù)據(jù)中心等前沿應(yīng)用市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)更為顯著的效率提升與性能飛躍。
2024-07-08 10:10:21
3349 來(lái)源:Silicon Semiconductor 此次技術(shù)收購(gòu)擴(kuò)展了 GF(格芯) 的電源管理解決方案和差異化路線圖。 GlobalFoundries (格芯)收購(gòu)了 Tagore
2024-07-08 12:33:01
1271 上,全面提供可定制化的模擬IP解決方案。這一合作不僅鞏固了Agile Analog在模擬IP設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也進(jìn)一步拓寬了格芯工藝技術(shù)的應(yīng)用邊界。
2024-07-27 14:41:32
1733 非晶納米晶磁芯是一種具有特殊磁性特性的材料,廣泛應(yīng)用于電子和電力領(lǐng)域。這種材料的磁性能主要來(lái)源于其獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu),即非晶態(tài)和納米晶態(tài)的結(jié)合。 1. 非晶納米晶磁芯的基本概念 非晶納米晶磁芯是一種由非
2024-10-09 09:10:28
2896 流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬(wàn)片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國(guó)大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國(guó)際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu),通過(guò)引入高介電常數(shù)金屬柵極(HKMG)和極紫外光刻(EUV)預(yù)研技術(shù),將晶體管密
2025-08-04 15:22:21
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評(píng)論