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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>制造新聞>格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

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發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)

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及復(fù)旦微電子團(tuán)隊(duì)交付下一代雙界面智能卡

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2018-08-31 14:44:336228

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納米技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域

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12月13 日,羅方德公司今天宣布,已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長(zhǎng)距離56Gbps SerDes性能。作為羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分,F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的長(zhǎng)距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備。
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推出面向數(shù)據(jù)中心、機(jī)器學(xué)習(xí)和5G網(wǎng)絡(luò)的7納米專用集成電路平臺(tái)

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推出面向數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和云應(yīng)用的2.5D高帶寬內(nèi)存解決方案

加利福尼亞,圣克拉拉(2017年8月9日)——今日宣布推出2.5D封裝解決方案,展示了其針對(duì)高性能14納米FinFET FX-14?ASIC集成電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)的功能。
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2017-09-23 10:32:124604

為什么這些公司都采用 7 納米工藝的 CCIX 測(cè)試芯片

賽靈思、Arm、Cadence和臺(tái)積公司今日宣布計(jì)劃在 2018 年交付 7 納米 FinFET 工藝芯片。這一測(cè)試芯片旨在從硅芯片層面證明 CCIX 能夠支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器實(shí)現(xiàn)一致性互聯(lián)。
2017-09-25 11:20:207378

堅(jiān)持FDX和FinFET技術(shù)路線

半導(dǎo)體行業(yè)觀察:全球第二大晶圓代工廠半導(dǎo)體股份有限公司宣布,正式啟動(dòng)建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地 關(guān)鍵詞:
2017-10-24 15:48:4310095

什么是FinFET?FinFET的工作原理是什么?

在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49:00123257

宣布以7納米制程生產(chǎn)的AMD Zen2 架構(gòu)處理器將在2018年底前亮相

之前跳過(guò) 20 納米及 10 納米制程節(jié)點(diǎn),直接進(jìn)入 14 納米7 納米制程節(jié)點(diǎn),14 納米制程穩(wěn)定量產(chǎn),而 7 納米制程預(yù)計(jì)在 2018 年底前量產(chǎn)。制程進(jìn)展從合作伙伴 AMD 得到的反應(yīng)都還不錯(cuò),可讓 AMD 的 Zen 2、Zen 3 架構(gòu)處理器按計(jì)劃執(zhí)行生產(chǎn)。
2018-05-18 15:27:085516

14納米FinFET制程良率達(dá)95%,預(yù)計(jì)2019量產(chǎn)

國(guó)際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達(dá)到95%的水準(zhǔn),距離2019年正式量產(chǎn)的目標(biāo)似乎已經(jīng)不遠(yuǎn)
2018-07-06 15:23:524048

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認(rèn)證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進(jìn)14納米FinFET制程技術(shù)認(rèn)證。ANSYS和聯(lián)電透過(guò)認(rèn)證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計(jì)解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動(dòng)和高效能運(yùn)算(HPC)應(yīng)用不斷成長(zhǎng)的需求。
2018-07-17 16:46:004095

三星10nm工藝性能方面如何? 7nm工藝是極限了嗎?

與上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝在減少30%芯片尺寸基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%功耗降低。讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。
2018-07-22 11:13:495153

宣布將于2019年大規(guī)模量產(chǎn)7納米制程,與臺(tái)積電同時(shí)供應(yīng)AMD

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),晶圓代工大廠(Globalfoundries)技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton日前表示,將在2018年底推出7納米制程,并且將于2019年大規(guī)模量產(chǎn)。Gary Patton指出,
2018-08-06 11:01:003565

國(guó)際再獲技術(shù)重大突破

國(guó)際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進(jìn)展 8月9日,中國(guó)際公布了在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得的重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量,良率達(dá)到業(yè)界水平。
2018-08-18 10:31:004587

退出7nm市場(chǎng)臺(tái)積電就真的成為最大贏家了嗎

8月28日,全球第二大晶圓代工芯片制造商GlobalFoundries(以下簡(jiǎn)稱)宣布將擱置7nm FinFET項(xiàng)目,以支持公司戰(zhàn)略調(diào)整。集邦咨詢研究經(jīng)理林建宏認(rèn)為,這對(duì)全球晶圓格局影響有限,當(dāng)下全球7nm代工晶圓市場(chǎng)以臺(tái)積電為首的格局已定,即便如此,停產(chǎn)對(duì)臺(tái)積電并非完全有利。
2018-08-30 16:22:002274

退出7納米制程或?qū)е翴BM訂單轉(zhuǎn)交臺(tái)積電

晶圓代工大廠在28日宣布,無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程,及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751

放棄開(kāi)發(fā)7納米制程 臺(tái)積電或?qū)⒎€(wěn)坐7納米寶座

全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程競(jìng)賽,臺(tái)積電的對(duì)手又有一名退出。全球最大半導(dǎo)體芯片制造商之一(Globalfoundries)已決定退出開(kāi)發(fā)最先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的爭(zhēng)奪戰(zhàn),電子業(yè)對(duì)臺(tái)積電的倚賴將進(jìn)一步加深。
2018-08-28 15:26:002931

宣布退出7nm工藝研發(fā) 最大受害者是誰(shuí)

Globalfoundries(簡(jiǎn)稱)公司今天宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝??紤]到這幾年來(lái)營(yíng)收及盈利狀況
2018-08-29 15:13:003967

退出7納米制程研發(fā)后 晶圓代工市場(chǎng)格局將如何轉(zhuǎn)變

全球第二大半導(dǎo)體晶圓代工廠宣布,將在7納米FinFET先進(jìn)制程發(fā)展無(wú)限期休兵。聯(lián)電之后半導(dǎo)體大廠先進(jìn)制程競(jìng)逐又少一家,外界擔(dān)憂將對(duì)全球代工晶圓產(chǎn)業(yè)造成什么影響,集邦咨詢(TrendForce)針對(duì)幾個(gè)面向進(jìn)行分析。
2018-08-31 15:12:004163

聞資訊:不玩7納米、三星再超英特爾、華為申請(qǐng)F(tuán)TC召開(kāi)聽(tīng)證會(huì)

據(jù)報(bào)道,晶圓代工大廠宣布退出7 納米,市場(chǎng)以利多解讀臺(tái)積電后市,異康集團(tuán)及青興資本首席顧問(wèn)楊應(yīng)超指出,從先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)來(lái)說(shuō),臺(tái)積電確實(shí)是受惠者,然而大廠退出市場(chǎng),也反映半導(dǎo)體高成長(zhǎng)不再。
2018-08-31 14:19:053811

GlobalFoundries宣布將暫停所有7納米FinFET技術(shù)的研發(fā)

方面表示,他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來(lái)幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開(kāi)發(fā)資源,讓14/12納米 FinFET平臺(tái)更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲(chǔ)器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043646

擱置7納米FinFET項(xiàng)目!是技術(shù)的羈絆,還是成本的考量?

提供7納米及以下的晶圓代工替代選項(xiàng),讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開(kāi)合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司,他們需要ASIC服務(wù)同時(shí)生產(chǎn)規(guī)模需求無(wú)法僅由提供。
2018-08-31 16:18:284490

退出7nm軍備競(jìng)賽,臺(tái)積電獨(dú)霸市場(chǎng)大獲全勝

全球第二大晶圓代工廠(GlobalFoundries)昨(28)日意外宣布,將無(wú)限期擱置7納米計(jì)劃。
2018-08-31 17:32:193223

重塑技術(shù)組合,重點(diǎn)關(guān)注日益增長(zhǎng)的差異化產(chǎn)品市場(chǎng)需求

(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布其轉(zhuǎn)型的重要一步,繼今年初湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)接任首席執(zhí)行官后,正在重塑其技術(shù)組合,依照嘉菲爾德所闡述的戰(zhàn)略方向,重點(diǎn)關(guān)注為高增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供真正的差異化產(chǎn)品。 正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來(lái)幾年采用該技術(shù)的下
2018-09-03 07:41:01477

超微7納米芯片將由臺(tái)積電代工

美國(guó)晶圓代工廠(GlobalFoundries)退出7納米競(jìng)賽后,知情人士消息證實(shí),超微正與格重談晶圓供給協(xié)議(Wafer Supply Agreement,WSA)。
2018-09-10 10:08:004134

表示退出7納米制程不一定是壞事 12納米以下制程規(guī)模依然穩(wěn)固

8月底,全球第二大晶圓代工廠(Globalfoundries,“GF”)宣布退出7納米及以下先進(jìn)制程的研發(fā)與投資,這是繼聯(lián)電之后,第二家宣布放棄10納米以下制程的半導(dǎo)體公司。雖然放棄7納米及以下
2018-09-27 16:14:005049

為實(shí)現(xiàn)未來(lái)智能系統(tǒng)擴(kuò)展FinFET產(chǎn)品新特性

關(guān)鍵詞: , FinFET 功能豐富的半導(dǎo)體平臺(tái)為下一代計(jì)算應(yīng)用提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的性能和可擴(kuò)展性 今日在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上宣布計(jì)劃在其14/12nm FinFET產(chǎn)品中引入全套
2018-10-04 00:09:01415

芯片巨頭羅方德放棄7納米技術(shù)研究中會(huì)進(jìn)入7納米的研究中嗎

著名的美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)羅方德半導(dǎo)體股份有限公司Global Foundries宣布,將放棄未來(lái)7納米技術(shù)的研發(fā),這意味著未來(lái)參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠只剩英特爾、三星和臺(tái)積電三家。
2018-10-28 09:38:176115

將FDX工藝優(yōu)勢(shì)延伸到了人工智能領(lǐng)域 工藝與技術(shù)之戰(zhàn)才剛剛打響

8月份,宣布將擱置7納米 FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。同時(shí),為了更好地施展在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資,將建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。
2018-11-01 09:25:241376

FDX技術(shù)助中國(guó)AI芯片客戶云天勵(lì)飛成功流片

關(guān)鍵詞:22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日,云天勵(lì)飛以及瑞微電子宣布,它們采用22FDX技術(shù)自主研發(fā)設(shè)計(jì)的AI芯片成功流片。2018年7月,宣布其22FDX技術(shù)憑借優(yōu)良性能
2018-11-05 16:31:02500

回應(yīng)為何擱置7納米FinFET項(xiàng)目

三個(gè)月前,晶圓代工大廠突然宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目,業(yè)內(nèi)嘩然。在臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正在努力搶占7nm制程市場(chǎng)之時(shí),為何作出此舉?放棄7nm制程后,未來(lái)的路又將走向何方?這是業(yè)界關(guān)心的問(wèn)題。
2018-12-03 14:30:563452

先進(jìn)工藝大進(jìn)展:14nm量產(chǎn)在即、12nm取得突破

如果中國(guó)際能夠批量生產(chǎn)14納米FinFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管,并且,進(jìn)一步向前推進(jìn)“半世代”工藝12納米,那么將使中與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并駕齊驅(qū),甚至超前,居于國(guó)內(nèi)晶圓代工的領(lǐng)先地位。尤其,臺(tái)積電受限于登陸投資,工藝卡位在16納米,那么12納米對(duì)于中而言,就具備地利優(yōu)勢(shì)。
2019-02-20 15:58:036232

官方回應(yīng)出售新加坡Fab7廠的消息和猜測(cè)純屬謠言

日前,業(yè)界再度傳出晶圓代工廠(GLOBALFOUNDRIES)正在為其新加坡Fab 7廠尋找買(mǎi)家。對(duì)此,今天官方作出回應(yīng)。
2019-03-15 15:54:283042

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開(kāi)發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799

宣布與安森美半導(dǎo)體達(dá)成最終協(xié)議

值得注意的是,去年6月,開(kāi)始全球裁員,在建的成都12寸晶圓廠項(xiàng)目招聘暫停。去年8月,宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:214152

關(guān)于中14nm的性能分析和介紹

在昨日的財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上,中國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士說(shuō):“中國(guó)際在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,我們28納米HKC+技術(shù)開(kāi)發(fā)也已完成。
2019-08-30 16:07:447804

新開(kāi)發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測(cè)試芯片 成熟穩(wěn)定性優(yōu)于7納米制程芯片

指出,新開(kāi)發(fā)出基于ARM架構(gòu)的3D高密度測(cè)試芯片,是采用的12納米FinFET制程所制造,采用3D的ARM網(wǎng)狀互連技術(shù),允許資料更直接的傳輸?shù)狡渌麅?nèi)核,極大化的降低延遲性。而這樣的架構(gòu),這可以降低資料中心、邊緣運(yùn)算以及高端消費(fèi)者應(yīng)用程式的延遲,并且提升數(shù)據(jù)的傳輸速度。
2019-08-12 16:36:543247

宣布與SiFive展開(kāi)合作 將合作研發(fā)12LP+FinFET解決方案

才與臺(tái)積電進(jìn)行專利訴訟官司和解,并簽訂10年交互授權(quán)協(xié)議的晶圓代工大廠(GLOBALFOUNDRIES)宣布,與IC設(shè)計(jì)廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲(chǔ)器(HBM2E)運(yùn)用于最近宣布
2019-11-06 15:59:553626

國(guó)際取得海思14納米FinFET工藝代工訂單

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣消息報(bào)道,中國(guó)大陸芯片代工廠商中國(guó)際已經(jīng)從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電手中,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:433455

國(guó)際從臺(tái)積電手中奪得海思14納米FinFET工藝芯片代工訂單

關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》(DigiTimes)1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱,中國(guó)大陸芯片代工廠商中國(guó)際擊敗臺(tái)積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:016363

3nm相較于7nm FinFET功耗減半性能增加30%

三星日前簡(jiǎn)要介紹了GAAFET中核心技術(shù)MCBFET(多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管),基于它打造的3nm芯片,相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗,增加30%的性能。
2020-04-15 09:12:363882

臺(tái)積電將繼續(xù)采用FinFET晶體管技術(shù),有信心保持良好水平

臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù),這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸,甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下,在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過(guò)其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682

FinFET解決方案12LP+完成技術(shù)認(rèn)證,可助力芯片產(chǎn)品快速上市

7月3日消息,作為先進(jìn)的特色工藝半導(dǎo)體代工廠,? (GF?) 近日宣布其先進(jìn)的FinFET解決方案12LP+已完成技術(shù)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入生產(chǎn)。12LP+是推出的差異化解決方案,針對(duì)人工智能(AI
2020-07-06 15:16:562563

2年后的在特色工藝領(lǐng)域狀況如何?

宣布為支持公司戰(zhàn)略調(diào)整,將擱置7納米FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。 簡(jiǎn)單地說(shuō):就是 ,哥以后不跟著臺(tái)積電玩了,哥要走特色工藝去了。這個(gè)官宣
2020-12-02 14:16:273066

國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

據(jù)科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)報(bào)道稱,中國(guó)際的第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 科創(chuàng)板中國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn);第二代FinFETN+1已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段
2020-12-04 18:08:152429

國(guó)際稱第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者時(shí)表示,第二代FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 在回答投資者 近來(lái)公司 7 納米產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)進(jìn)展如何?的問(wèn)題時(shí),中國(guó)際表示,公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:373352

淺談在硅光領(lǐng)域的發(fā)展成果

當(dāng)我們聊到的時(shí)候,行業(yè)內(nèi)的人都知道他們是在全球都名列前茅的晶圓代工廠。在產(chǎn)品線方面,他們不但擁有成熟的平面晶體管制造工藝,還擁有性能優(yōu)越的FinFET工藝。此外,這些年來(lái)還在FD-SOI
2021-02-22 15:45:043114

與博世將合作開(kāi)發(fā)和制造下一代汽車(chē)?yán)走_(dá)技術(shù)

博世之所以選擇作為下一代毫米波汽車(chē)?yán)走_(dá)的合作伙伴,是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">格在射頻和毫米波特殊工藝半導(dǎo)體代工解決方案方面處于領(lǐng)先地位。22FDX射頻解決方案具備出色的性能、功耗和廣泛的功能集成能力,是汽車(chē)?yán)走_(dá)的理想半導(dǎo)體解決方案。
2021-03-17 10:08:382563

天數(shù)智云端7納米GPGPU芯片產(chǎn)品BI及產(chǎn)品卡正式發(fā)布,率先邁出批量生產(chǎn)和商用步伐

上海天數(shù)智半導(dǎo)體今日正式發(fā)布全自研高性能云端7納米芯片BI及產(chǎn)品卡,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)高性能GPGPU歷史上的突破。
2021-03-31 16:01:034270

先進(jìn)FinFET工藝的多項(xiàng)流片鞏固了世電子的業(yè)界領(lǐng)先地位

擁有一套經(jīng)過(guò)自身驗(yàn)證的芯片設(shè)計(jì)流程和法則,是世成功的關(guān)鍵。它不僅能優(yōu)化功耗、性能和面積的設(shè)計(jì),同時(shí)還能符合客戶嚴(yán)格的流片計(jì)劃要求。世完整的7/6/5納米設(shè)計(jì)能力包括大規(guī)模芯片設(shè)計(jì)里必要的分區(qū)和簽核、測(cè)試設(shè)計(jì)流程
2022-04-14 14:39:401697

5納米芯片和7納米芯片的區(qū)別

5納米芯片相比7納米芯片的工藝技術(shù)要求更高、更好更低、性能更好。芯片工藝中5nm和7nm的兩個(gè)數(shù)值,代表的是芯片晶體管導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)度。
2022-06-29 17:00:3930825

3納米量產(chǎn)在即 如何實(shí)現(xiàn)2納米芯片?

據(jù)悉,臺(tái)積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點(diǎn)信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)。
2022-09-06 16:00:204177

行業(yè)首創(chuàng)!恩智浦?jǐn)y手臺(tái)積電,推出汽車(chē)級(jí)16納米FinFET嵌入式MRAM

的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車(chē)MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車(chē)處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車(chē)嵌入式MRAM(磁隨機(jī)存儲(chǔ)器)。在向軟件定義汽車(chē)(SDV)的過(guò)渡中,汽車(chē)廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:021289

數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid

今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid,它也是一種設(shè)計(jì)點(diǎn)。介紹該點(diǎn)前,我們首先來(lái)了解一下什么是FinFET技術(shù)。
2023-07-12 17:31:452208

增強(qiáng)技術(shù)平臺(tái)

半導(dǎo)體科技編譯 新的解決方案支持提高電源性能和效率、安全性和連接性的需求。 在其年度技術(shù)峰會(huì)上,(Global Foundries)宣布了其兩個(gè)技術(shù)平臺(tái)的進(jìn)展,將支持自動(dòng)駕駛、互聯(lián)和電動(dòng)汽車(chē)
2023-09-06 17:38:59827

升級(jí)技術(shù)平臺(tái), 滿足汽車(chē)行業(yè)需求

AutoPro?平臺(tái)的一部分,該平臺(tái)為的汽車(chē)客戶提供廣泛的技術(shù)解決方案和制造服務(wù),最大限度地減少認(rèn)證工作并加快上市時(shí)間。該技術(shù)的結(jié)溫為175℃,適合在極端溫度下管理車(chē)輛的關(guān)鍵功能。 博世公司汽車(chē)電子執(zhí)行副總裁Jens Fabrowsky表示:“通過(guò)在AutoPro平臺(tái)上利用這種40納米
2023-12-25 14:49:04948

性能翻倍的新型納米片晶體管

IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是,它可能會(huì)導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開(kāi)發(fā)。
2023-12-26 10:12:551206

強(qiáng)化AI市場(chǎng)布局,收購(gòu)泰戈?duì)柨萍嫉?b class="flag-6" style="color: red">技術(shù)團(tuán)隊(duì)

)的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及其完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合。此次收購(gòu)不僅標(biāo)志著技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的又一里程碑,也預(yù)示著其在汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)及人工智能數(shù)據(jù)中心等前沿應(yīng)用市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)更為顯著的效率提升與性能飛躍。
2024-07-08 10:10:213349

收購(gòu) Tagore Technology 的 GaN 技術(shù)

來(lái)源:Silicon Semiconductor 此次技術(shù)收購(gòu)擴(kuò)展了 GF() 的電源管理解決方案和差異化路線圖。 GlobalFoundries ()收購(gòu)了 Tagore
2024-07-08 12:33:011271

Agile Analog擴(kuò)展合作版圖:攜手提供定制模擬IP

上,全面提供可定制化的模擬IP解決方案。這一合作不僅鞏固了Agile Analog在模擬IP設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,也進(jìn)一步拓寬了工藝技術(shù)的應(yīng)用邊界。
2024-07-27 14:41:321733

非晶納米晶磁是什么材料

非晶納米晶磁是一種具有特殊磁性特性的材料,廣泛應(yīng)用于電子和電力領(lǐng)域。這種材料的磁性能主要來(lái)源于其獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu),即非晶態(tài)和納米晶態(tài)的結(jié)合。 1. 非晶納米晶磁的基本概念 非晶納米晶磁是一種由非
2024-10-09 09:10:282896

國(guó)際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術(shù)躍遷與拓能半導(dǎo)體的封裝革命

流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬(wàn)片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國(guó)大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中國(guó)際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu),通過(guò)引入高介電常數(shù)金屬柵極(HKMG)和極紫外光刻(EUV)預(yù)研技術(shù),將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110998

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