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標簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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物聯(lián)網(wǎng)應用帶動FD-SOI制程快速增長
物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用將帶動全耗盡型(Fully Detleted)制程技術加速成長。為滿足低功耗、低成本、高效能之設計需求,格羅方德(GlobalFou...
2016-11-17 標簽:物聯(lián)網(wǎng)FinFETFD-SOI制程 1139 0
半導體領域FinFET技術發(fā)明人胡正明說,由于半導體技術的突破,網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。
Xilinx宣布16nm UltraScale+ 產(chǎn)品提前量產(chǎn)
All Programmable 技術和器件的全球領先企業(yè)賽靈思公司(Xilinx, Inc. )宣布,16nm UltraScale+? 產(chǎn)品組合提前...
2016-10-13 標簽:賽靈思FinFETUltraScale 1653 0
判斷FinFET、FD-SOI與平面半導體制程的市場版圖還早
獲得英 特爾(Intel)、三星、臺積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當14納米節(jié) 點,...
Globalfoundries下一代FD-SOI制程正在研發(fā)
Globalfoundries技術長Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開...
2016-05-27 標簽:FinFETGlobalfoundriesFD-SOI制程 1428 0
ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動前沿移動計算未來
2016年5月19日,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測...
三星半導體(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術藍圖細節(jié),包括將擴展其FD-SOI產(chǎn)能,以及提...
TSMC認證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)
TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler? II布局及 布線解決方案,完成了在其最先進的10-納米(nm)級FinFET v1.0技術節(jié)...
安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議,針對7奈米FinFET制程技術進行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設計解決方...
Mentor Graphics 優(yōu)化工具和流程助設計師成功應對 三星代工廠10 納米 FinFET 工藝
俄勒岡州威爾遜維爾,2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司(納斯達克代碼:MENT)今日宣布,與三星電子合作,為三星代工廠的...
三星確認驍龍 820 使用第二代 14nm FinFET 工藝
驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn),今天三星官方正式確認了這個消息,并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術投入量產(chǎn)
三星于2015年第一季度發(fā)布了半導體芯片行業(yè)首款采用14nmLPE (Low-Power Early) 工藝量產(chǎn)的Exynos 7 Octa處理器,成為...
最近大家應該都聽說了蘋果(Apple)最新iPhone 6s/6s Plus智慧型手機同時采用兩種不同處理器晶片版本(Apple A9 SoC)的消息—...
Mentor Graphics獲得TSMC 10nm FinFET工藝技術認證
Mentor Graphics公司(納斯達克代碼:MENT)今天宣布,Calibre? nmPlatform 已通過TSMC 10nm FinFET ...
2015-09-21 標簽:FinFETMentor Graphics 1556 0
GlobalFoundries公開宣布7nm\10nm:閉門自研
GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE),總算是邁入了1Xnm的大關。
2015-09-21 標簽:芯片代工FinFETGlobalFoundries 980 0
三星的14nm FinFET工藝并不是真正意義上的14nm工藝,不過其確實實現(xiàn)了縮小芯片尺寸的目的。
華力微拉攏聯(lián)發(fā)科搶攻FinFET制程 較勁中芯、高通
華力微業(yè)界傳出大陸華力微電子高層近期來臺拜會聯(lián)發(fā)科,表達大陸半導體政策已不再滿足于28納米制程,希望先進邏輯制程技術全面擁抱FinFET制程世代。
2015-08-09 標簽:高通聯(lián)發(fā)科FinFET 1288 0
聯(lián)發(fā)科10核Helio X30傳著手研發(fā) 預期明年初問世
相關消息指出,聯(lián)發(fā)科在旗艦款處理器Helio X20之后,將計畫持續(xù)推出改良款Helio X22,并且將于后續(xù)推出新款Helio X30,預期以臺積電1...
2015-08-03 標簽:處理器FinFET聯(lián)發(fā) 1005 0
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