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analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關(guān)頻率...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器深度解析與設計指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應用指南
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動器設計用于N溝道增強模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達220V電壓軌。這些驅(qū)...
PI技術(shù)白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢,展示了其經(jīng)過實際應用驗證的可靠性以及滿足800...
2025-10-14 標簽:PI數(shù)據(jù)中心SiC 268 0
TMS320F280037C微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F280038C-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F28003x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F28003x系列微控制器數(shù)據(jù)手冊的全文總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F280039微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F280033微控制器數(shù)據(jù)手冊總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F280038-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
TMS320F280036-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設計,包...
?TMS320F28P55x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設計,包括但不...
?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術(shù)解析
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG34...
2025-09-26 標簽:半橋GaN同步降壓轉(zhuǎn)換器 163 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括...
突破功率密度邊界:TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應用
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管(FET)集成了驅(qū)動器和保護功能,可使設計人員在電子設備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率...
無需鉗位電路,精準測量GaN動態(tài)導通電阻Rds(on)
導言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設計中,寬禁帶半導體(GaN、SiC)器件扮演著越來越關(guān)鍵的角色。然而,理解這些器件在高速開關(guān)過程中的真實性...
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