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GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,...
準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域,特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動電路、保護(hù)電路...
方案介紹 | 東科24W集成GAN器件高PF低THD的恒壓LED方案分享
本文將為大家介紹以DK8924AN為核心的一款24WLED方案,具有恒壓精度高,待機(jī)功耗低,啟動迅速等特點,適用于LED燈帶電源,智能照明等多種應(yīng)用場景...
同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有...
氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場強(qiáng)大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動器級、驅(qū)動器邏輯控制和保護(hù)功能。該驅(qū)動器可配...
納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動能力,可以顯著...
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負(fù)載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達(dá)100V。高性能...
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設(shè)計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優(yōu)化采用100V Ga...
Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices ADPA1116 GaN功率放大器具有39.5dBm飽和輸出功率(P ~OUT~ ),功率附加效率(PAE)為40%,輸入...
E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號,ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐壓700V,推薦功率60W,采用的是ESOP-7封裝。
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率,實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...
UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27611 是一款針對 5V 驅(qū)動優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動器,專門針對增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋址。驅(qū)動電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
LMG1205 適用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
該 LMG1205 設(shè)計用于在同步降壓、升壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件具有集成的 100V 自舉二極管以及用...
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