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使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進步,但對于許多應(yīng)用來說,完全不依賴純電池設(shè)計可能是...
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價值數(shù)十億美元的市場。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動汽...
自從 40 多年前,第一款開關(guān)電源問世以來,PCB 的布局就一直是電力電子設(shè)計中不可或缺的一環(huán)。無論采用哪種晶體管技術(shù),我們必須理解和管理 PCB 布局...
如何從零開始構(gòu)建深度學(xué)習(xí)項目?(如何啟動一個深度學(xué)習(xí)項目)
性能重大提升的背后往往是模型設(shè)計的改變。不過有些時候?qū)δP瓦M行微調(diào)也可以提升機器學(xué)習(xí)的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應(yīng)任務(wù)的基準(zhǔn)測試結(jié)果。
2024-01-11 標(biāo)簽:GaN機器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 485 0
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...
2024-01-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2522 0
氮化鎵是一種無機化合物,化學(xué)式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 434 0
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來進行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力,處理電壓...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達成。但是,隨著GaN功率器件輻照強化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會得到更大...
基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理
一些光柵結(jié)構(gòu)也實現(xiàn)了向二維方向的拓展,使TE、TM兩個極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。
讓AC/DC電源適配器體積縮小一半、效率超95%,剖析TI低功耗GaN新品
電源適配器作為電子設(shè)備的核心組件之一,隨著電子設(shè)備升級迭代速度加快,電源適配器也在經(jīng)歷著前所未有的快速發(fā)展。為了提高充電效率和安全性,電源適配器在高性能...
使用 GaN 器件縮小外部醫(yī)療 AC/DC 電源的尺寸
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路取得了進步,但醫(yī)療系統(tǒng)是完全不受束縛的純電池設(shè)計可能不可行、...
針對氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進行原子層蝕刻的研究
基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言,GaN的相關(guān)材料,如Al...
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