隔離式柵極驅(qū)動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

報告作者：DAVID SEYMOUR

報告內(nèi)容包含：

效率和功率密度推動變革

基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能

驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）

驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）

驅(qū)動器進化以支持 GaN（氮化鎵）

未來的驅(qū)動器的改進

審核編輯：黃飛

閱讀全文

MOSFET(230975) MOSFET(230975)
IGBT(261269) IGBT(261269)
SiC(68650) SiC(68650)
GaN(79580) GaN(79580)
柵極驅(qū)動器(40292) 柵極驅(qū)動器(40292)

隔離式柵極驅(qū)動器的峰值電流

隔離式柵極驅(qū)動器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動強度，以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動，并且能夠在使用合適的器件時提供安全柵。示例應用程序如圖 1 所示。VDD1和 V

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2019-01-29 09:58:32

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的相關內(nèi)容，包括 LLC 拓撲結(jié)構(gòu)在隔離式柵極驅(qū)動器電源設計中的應用、具體設計方案、變壓器設計、整流二極管選擇等方面，旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離式柵極驅(qū)動器提供低成本

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SiC/GaN功率開關有什么優(yōu)勢

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柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

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柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能怎么樣？

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柵極驅(qū)動器是什么

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隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

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隔離式柵極驅(qū)動器的揭秘

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隔離式太陽能柵極驅(qū)動參考設計包括BOM及層圖

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隔離型 4 軌推挽式 IGBT 門驅(qū)動電源

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驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

，其中SiC MOSFET用于高頻開關，Si IGBT用于低頻開關。隔離式柵極驅(qū)動器必須能夠驅(qū)動不同要求的開關，其中較多的是并聯(lián)且采用硅IGBT/SiC MOS混合式多電平配置。客戶希望一種器件就能

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CMOS隔離柵極驅(qū)動器是怎么強化供電系統(tǒng)的？

隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案

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SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A單通道隔離柵極驅(qū)動器

有沒有在電機驅(qū)動和電源設計中被隔離驅(qū)動問題而困擾許久的，直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動器能同時駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。一、特性： 驅(qū)動

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一文研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能

Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅(qū)動器。這些驅(qū)動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅(qū)動器芯片

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三相逆變器的隔離式IGBT柵極驅(qū)動器評估系統(tǒng)設計

描述TIDA-00195 參考設計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器 ISO5852S（適用于各種應用中的電機控制）。此設計可對三相逆變器（其中整合了額定

2018-12-27 11:41:40

使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南

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2022-11-02 12:07:56

可避免柵極電流回路機制的并聯(lián)IGBT驅(qū)動器

驅(qū)動半橋配置中的并聯(lián) IGBT。并聯(lián) IGBT 在柵極驅(qū)動器級（驅(qū)動強度不足）以及系統(tǒng)級均會帶來挑戰(zhàn)：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式

2018-12-07 14:05:13

四路輸出隔離式IGBT柵極驅(qū)動Fly-Buck電源包括BOM及層圖

描述TIDA-00174 參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓

2018-09-05 08:54:59

如何使用電流源極驅(qū)動器BM60059FV-C驅(qū)動SiC MOSFET和IGBT？

過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD

2023-02-21 16:36:47

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

闡述這些設計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT

2018-10-23 11:49:22

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設計基礎

驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂

2018-10-16 16:00:23

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設計途徑

展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力?！　〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制

2018-09-26 09:57:10

新型功率開關技術和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局

將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-16 06:20:46

新型功率開關技術和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局

頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET

2018-10-16 21:19:44

新型功率開關技術和隔離式柵極驅(qū)動器的趨勢和格局

減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些

2018-10-24 09:47:32

汽車類雙通道SiC MOSFET柵極驅(qū)動器包括BOM及層圖

描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V

2018-10-16 17:15:55

用于三相逆變器的IGBT柵極驅(qū)動隔離型電源包括BOM及層圖

描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型

2018-09-06 09:07:35

用于三相逆變器的寬輸入隔離型 IGBT 柵極驅(qū)動 Fly-Buck 電源

`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負電壓軌。此參考設計采用 Fly-Buck? 控制拓撲，從單一變壓器生成用于三相逆變器

2015-03-23 14:53:06

電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎知識”

電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器基礎知識”

2022-10-25 17:20:12

適合于IGBT柵極驅(qū)動器偏置的四路輸出隔離式Fly-Buck電源參考設計

描述TIDA-00174參考設計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負偏置電壓用于

2022-09-26 07:54:11

適用于SiC/GaN器件的雙通道隔離驅(qū)動方案SLMi8232BDCG-DG介紹

柵極驅(qū)動器，小體積封裝（SOP16W）和高可靠性設計特別適合高噪聲環(huán)境下的功率驅(qū)動需求。通過可編程死區(qū)時間和完善的保護功能，該芯片為工業(yè)電源、新能源逆變及電動汽車充電等應用提供了緊湊且安全的解決方案。 #隔離驅(qū)動器 #柵極驅(qū)動 #SiC驅(qū)動 #SLMi8232

2025-09-18 08:20:40

適用于UPS和逆變器的碳化硅FET和IGBT柵極驅(qū)動器參考設計

描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx

2018-09-30 09:23:41

采用MP188XX 隔離式柵極驅(qū)動器系列構(gòu)建電源系統(tǒng)

概述電源對5G 通信、數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、車載電源、充電樁以及LED 控制系統(tǒng)至關重要。與此同時，所有這些電源系統(tǒng)都需要一個隔離式柵極驅(qū)動器來高效、可靠地驅(qū)動開關管，以進行電源轉(zhuǎn)換。隔離式柵極

2022-09-30 14:05:41

開源硬件-TIDA-00785-隔離式 GaN 驅(qū)動器 PCB layout 設計

該參考設計包含一個增強型雙通道數(shù)字隔離器、一個 GaN 柵極驅(qū)動器和多個隔離式電源。該緊湊型參考設計旨在控制電源、直流到直流轉(zhuǎn)換器、同步整流、太陽能逆變器和電機控制中的 GaN。適用于柵極驅(qū)動器且

2012-09-12 22:14:06

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設計基礎

隔離式半橋柵極驅(qū)動器可用于許多應用，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，探索隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。

2017-02-09 17:40:11

3617

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器

許多應用都采用隔離式半橋柵極驅(qū)動器來控制大量功率，從要求高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器等等，不一而足。本文將詳細闡述這些設計理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。

2017-02-10 07:57:41

8497

隔離式GaN驅(qū)動器參考設計

該參考設計包含一個增強型雙通道數(shù)字隔離器，一個甘柵極驅(qū)動器和多個隔離式電源。該緊湊型參考設計旨在控制電源，直流到直流轉(zhuǎn)換器，同步整流，太陽能逆變器和電機控制中甘的。適用于柵極驅(qū)動器且基于開環(huán)推挽拓撲

2017-05-05 11:21:13

開源硬件-TIDA-01160-適用于 UPS 和逆變器的緊湊型、單通道、隔離式 SiC 和 IGBT 柵極驅(qū)動器 PCB layout 設計

此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設計為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS

2017-12-25 11:13:00

用于三相逆變器系統(tǒng)的隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器評估平臺參考設計

本參考設計采用一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強型隔離式 (IGBT) 柵極驅(qū)動器 ISO5852S，適用于交流驅(qū)動器等各類三相逆變器。

2018-05-08 17:03:25

開源硬件-TIDA-00638-隔離式太陽能柵極驅(qū)動 PCB layout 設計

該參考設計包含具有增強型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器以及專用柵極驅(qū)動器電源的單個模塊。該緊湊型參考設計可控制光伏逆變器中的 IGBT。該設計使用具有內(nèi)置 IGBT DESAT 檢測和米勒鉗位保護

2018-06-28 08:00:00

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。

2019-04-16 17:07:39

6332

IGBT柵極驅(qū)動器的隔離式反激轉(zhuǎn)換器的設計

工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動器需要隔離式電源，以實現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是，基于標準電源控制IC的隔離式電源設計并非易事。要使用離散的組件定制解決方案，就需要專門知識和大量的驗證工作

2021-05-26 18:05:17

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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、...

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隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

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UG-1194：評估ADuM4138<em>i</em>耦合器、帶隔離式反激控制器的高壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器

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本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態(tài)。

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實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設計基礎

隔離式半橋柵極驅(qū)動器用于許多應用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關重要的太陽能逆變器。本文將詳細討論這些設計概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。

2023-01-17 11:08:46

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隔離式柵極驅(qū)動器：什么、為什么以及如何

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2023-01-30 17:17:12

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保姆級攻略 | 使用隔離式柵極驅(qū)動器的設計指南（一）

(onsemi) 的隔離柵極驅(qū)動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術所需的最高開關速度和系統(tǒng)尺寸限制而設計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設計人員對于在諸多類型的電力電子應用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經(jīng)驗，

2023-02-05 05:55:01

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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設計指南（二）：電源、濾波設計與死區(qū)時間

點擊藍字?關注我們本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開關器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南（詳情可點擊查看

2023-02-08 21:40:03

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6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiC MOSFET）

新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT

2023-07-31 17:55:56

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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載

2023-11-22 16:48:15

實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設計基礎

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2023-11-22 16:57:32

使用隔離式柵極驅(qū)動器的設計指南（一）

使用隔離式柵極驅(qū)動器的設計指南（一）

2023-11-28 16:18:10

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PMP30629.1-具有集成開關PSR反激式轉(zhuǎn)換器的隔離式2.5W SiC和IGBT柵極驅(qū)動器 PCB layout 設計

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2024-05-17 14:34:53

TIDA-020030-具有熱敏二極管和感應 FET 的 SiC/IGBT 隔離式柵極驅(qū)動器 PCB layout 設計

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2024-05-16 15:09:31

適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:17:51

PC86320隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

描述 PC86320是一個隔離的雙通道柵極驅(qū)動器具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它設計有5A峰值源和6A峰值吸收電流來驅(qū)動電源高達2MHz的MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管開關頻率

2024-05-09 17:57:33

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Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

2024-05-23 11:26:30

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Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器

近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關注。

2024-05-23 11:34:21

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隔離式柵極驅(qū)動器的影響

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2024-07-13 09:31:18

使用隔離式 IGBT 和 SiC 柵極驅(qū)動器的 HEV/EV 牽引逆變器設計指南

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2024-09-11 14:21:39

電隔離柵極驅(qū)動器選型指南

電隔離式（GI）柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術憑借其

2024-11-11 17:12:32

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電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC

2024-11-11 17:16:13

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英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動器系列，適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟高效的柵極驅(qū)動器電源

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列。2EP1xxR

2024-12-10 01:00:52

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川土微電子發(fā)布CA-IS3212單通道隔離式柵極驅(qū)動器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離式柵極驅(qū)動器新品發(fā)布，該系列產(chǎn)品為驅(qū)動SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設計。

2025-01-10 18:08:42

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UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件包括功率晶體管保護，例如基于分流電阻器

2025-05-15 11:32:02

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UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-05-16 09:17:06

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UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-05-16 09:30:59

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UCC23113 具有功能隔離（1.2kVRMS）的 4A/5A 單通道光兼容隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動器，具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V

2025-05-16 10:49:24

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ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術手冊

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術在輸入信號和輸出柵極

2025-05-30 10:32:44

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ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術手冊

ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術在輸入信號和輸出柵極驅(qū)動器之間實現(xiàn)隔離。

2025-05-30 14:14:44

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Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

，可驅(qū)動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21330可配置為兩個低側(cè)、兩個高側(cè)或半橋驅(qū)動器。輸入側(cè)通過5kV~RMS~ 隔離柵與兩個輸出驅(qū)動器隔離，該隔離柵具有最小125V/ns的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。

2025-08-03 16:29:23

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Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值

2025-08-03 17:04:13

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UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFET和IGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。

2025-08-27 15:17:20

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德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器技術解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動EV/HEV應用中的大功率SiC

2025-08-29 09:28:22

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UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅(qū)動器技術解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動器，設計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進的保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。

2025-09-09 15:37:02

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?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動器總結(jié)

該UCC21330是一個隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列，具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設計，可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管

2025-10-11 16:20:14

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安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動器：NCx575y0系列的深度解析

在電子工程領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的應用極為廣泛，而其柵極驅(qū)動器的性能對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關鍵作用。今天我們就來深入探討安森美（onsemi）的NCx575y0系列隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動器，包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產(chǎn)品。

2025-12-05 11:18:25

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深入解析 onsemi NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

在電子工程師的日常設計中，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關的關鍵組件。今天，我們就來深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，看看它有哪些特性和優(yōu)勢，以及在實際應用中需要注意的要點。

2025-12-05 15:33:08

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深入解析 onsemi NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器

在電力電子設計領域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關的關鍵組件。今天我們要詳細探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離式雙通道柵極驅(qū)動器，它具備諸多出色特性，適用于多種應用場景。

2025-12-05 15:41:49

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探索NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動器評估板的奧秘

在電子設計領域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關的關鍵組件。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的NCP51563隔離式雙通道柵極驅(qū)動器評估板（NCP51563 EVB），了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。

2025-12-08 14:20:24

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