氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)！

傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 3380 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 3376 0

GAN又開(kāi)辟了新疆界，MirrorGAN有多強(qiáng)？

與基本圖像生成問(wèn)題相反，T2I生成以文本描述為條件，而不是僅從噪聲開(kāi)始。利用GAN的強(qiáng)大功能，業(yè)界已經(jīng)提出了不同的T2I方法來(lái)生成視覺(jué)上逼真的和文本相關(guān)...

2019-03-18 標(biāo)簽：GaN鑒別器數(shù)據(jù)集 3370 0

碳化硅MMIC上的氮化鎵：高功率AESA雷達(dá)設(shè)計(jì)

除了導(dǎo)致更高的輸出頻率范圍外，對(duì)于地面雷達(dá)來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)考慮因素，地面雷達(dá)越來(lái)越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術(shù)，以在更小的封裝中封裝...

2023-05-24 標(biāo)簽：雷達(dá)GaNaesa 3346 0

具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 3327 0

使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

提高能效一直是電源制造商的一個(gè)長(zhǎng)期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本，而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...

2022-04-27 標(biāo)簽：安森美氮化鎵GaN 3272 0

柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源注意事項(xiàng)

氮化鎵 （GaN） 是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 （EV） 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...

2022-10-14 標(biāo)簽：GaN偏置電源柵極驅(qū)動(dòng)器 3228 0

用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵 （GaN） 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)...

2016-05-09 標(biāo)簽：GaN集成驅(qū)動(dòng)器共源電路 3220 0

確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法

　　TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測(cè)試來(lái)提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開(kāi)關(guān)具有令人興奮且具有突破...

2016-04-25 標(biāo)簽：德州儀器晶體管GaN 3113 0

AI正在創(chuàng)造一個(gè)獨(dú)特的虛擬（虛假）信息世界

這一想法最初的來(lái)源其實(shí)是英偉達(dá)最近開(kāi)源的 StyleGAN 算法，已經(jīng)證明有不錯(cuò)的靈活性。Philip Wang 在其 Facebook 上介紹稱，人臉...

2019-02-18 標(biāo)簽：AIGaN訓(xùn)練模型 3064 0