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邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的工作原理和應(yīng)用現(xiàn)狀
根據(jù)諧振腔制造工藝的不同,半導(dǎo)體激光芯片分為 邊發(fā)射激光芯片(EEL) 和 垂直腔面發(fā)射激光芯片 (VCSEL)兩大類,其具體結(jié)構(gòu)差異如圖1所示。相比于...
GaN已經(jīng)迅速發(fā)展成為促成一系列當(dāng)前和未來系統(tǒng)的一種技術(shù),但這也對pre-5G和5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用帶來了較大影響。Qorvo的Gary Burgin將要討論G...
SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較
超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來,在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...
氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷...
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示, AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到,由下往上依次為180nm高溫A...
GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計(jì)方案詳解
氮化鎵(GaN)開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了進(jìn)步。與使用等效硅器件的電路相比,它允許開發(fā)可在高開關(guān)頻率下工作的轉(zhuǎn)換器。GaN減小了變壓器的尺寸...
2021-04-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源開關(guān)AC-DC 4199 0
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法...
基于Agilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
新一代半導(dǎo)體功率器件主要有SiC場效應(yīng)晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場效晶體管,新一代SiC和Ga...
2020-01-25 標(biāo)簽:功率放大器PCB設(shè)計(jì)GaN 4180 0
RadialGAN讓我們可以利用多個(gè)不同來源的數(shù)據(jù)集
Lars等發(fā)表的這篇論文通過在GAN的訓(xùn)練過程中施加特定類別的梯度懲罰,在較老的架構(gòu)上取得了當(dāng)前最先進(jìn)的表現(xiàn)(在該項(xiàng)基準(zhǔn)測試上超過了之前最佳的學(xué)術(shù)成果)...
2018-09-07 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 4180 0
東京大學(xué)團(tuán)隊(duì)開源了一款名為「neural collage」的圖像編輯工具
sCBN 是一種特殊形式的條件批正則化方法 (CBN),作為批正則化方法 (BN) 的變體,它能夠?qū)?BN 中的參數(shù)按類語義信息進(jìn)行編碼。對于圖像的局部...
在芯片生產(chǎn)制造過程中,各工藝流程環(huán)環(huán)相扣,技術(shù)復(fù)雜,材料、環(huán)境、工藝參數(shù)等因素的微變常導(dǎo)致芯片產(chǎn)生缺陷,影響產(chǎn)品良率。
哪些TI技術(shù)引領(lǐng)我們在大數(shù)據(jù)的高速路上快速前進(jìn)?
馳騁在大數(shù)據(jù)的高速路上,我們會時(shí)常思量:是什么在引領(lǐng)我們前進(jìn),又將把我們帶向何方?來聽聽德州儀器首席技術(shù)官——Ahmad Bahai博士的暢想:TI顛覆...
面對5G基站巨大的耗電挑戰(zhàn),GaN是業(yè)界需要的英雄
消費(fèi)者目前已經(jīng)開始體驗(yàn)5G技術(shù)的優(yōu)勢,它不僅能夠憑借超快的下載速度與固網(wǎng)寬帶匹敵,而且將來還可能在蜂窩網(wǎng)絡(luò)服務(wù)區(qū)域內(nèi)支持更高密度的移動(dòng)設(shè)備和互連的物聯(lián)網(wǎng)...
2020-01-09 標(biāo)簽:移動(dòng)通信GaN蜂窩網(wǎng)絡(luò) 3993 0
深度壓縮感知(DCS)框架通過聯(lián)合訓(xùn)練生成器和通過元學(xué)習(xí)優(yōu)化重建過程,顯著提高了信號恢復(fù)的性能和速度。作者探索了針對不同目標(biāo)的測量訓(xùn)練,并給予最小化測量...
2019-05-25 標(biāo)簽:GaN深度學(xué)習(xí)DeepMind 3981 0
通過EPC的GaN EPC2032的電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)
GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸,非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用EPC的Ga...
5G 功放系統(tǒng)是TX的重要組成部分,起到功率發(fā)射、基站覆蓋的功能,尤其是在64TR 32TR系統(tǒng)里,功放數(shù)量大幅上升,功放的效率以及散熱會在整個(gè)AAU系...
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