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交流輸入功率因數(shù)的CrM PFC控制器芯片——MK2562系列
PFC是功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)的縮寫,是一種電源管理技術(shù),可以在交直流轉(zhuǎn)換(ACDC)時(shí)提高電源對(duì)市電的利用率。
01:采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段高功率射頻應(yīng)用
本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用(包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合)。
硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化...
通過(guò)將GAN和AR技術(shù)結(jié)合,真的能把素面吃出拉面味!
對(duì)于食物到食物的圖像轉(zhuǎn)換,這里用了基于 StarGAN 的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),實(shí)時(shí)運(yùn)行。因此,該系統(tǒng)可以根據(jù)原始食物的變化,動(dòng)態(tài)并且可交互地進(jìn)行操作。此外,因?yàn)槭?..
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強(qiáng)的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無(wú)需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...
藝術(shù)創(chuàng)作過(guò)程中與生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)碰撞出的火花
那么你的角色是什么呢?輕微調(diào)整游戲規(guī)則(網(wǎng)絡(luò)的超參數(shù)),成為了美術(shù)館館長(zhǎng)(curator)。作為館長(zhǎng)你要從GAN的輸出中進(jìn)行挑選,因?yàn)镚AN會(huì)生成很多不...
2018-09-17 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN機(jī)器學(xué)習(xí) 3513 0
采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用
本次會(huì)議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用(包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合)。
LMG3410:方波波形開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)幾乎完美,你值得擁有
所有功率級(jí)設(shè)計(jì)者期望在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形??焖偕仙?下降邊降低了開(kāi)關(guān)損耗,而低過(guò)沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
關(guān)于GAN模型我們還要可以深入了解、探討哪些問(wèn)題?
大多數(shù) GAN 研究都廣泛應(yīng)用于圖像合成。特別是在部分標(biāo)準(zhǔn)圖像數(shù)據(jù)集上訓(xùn)練 GAN,如 MNIST,CIFAR-10,STL-10,CelebA和Ima...
2019-05-05 標(biāo)簽:GaN模型數(shù)據(jù)集 3466 0
AI正在創(chuàng)造一個(gè)獨(dú)特的虛擬(虛假)信息世界
除了眾所周知的 Deepfake 這樣的換臉技術(shù)外,今天要介紹的是與人們息息相關(guān)的指紋,它被廣泛應(yīng)用于指紋鎖、手機(jī)、安檢等應(yīng)用場(chǎng)景中,有極高的安全等級(jí)。...
2019-02-27 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaNai技術(shù) 3465 0
集成柵極驅(qū)動(dòng)器的GaN ePower超快開(kāi)關(guān)
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注,但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間,但GaN...
2024-03-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN激光驅(qū)動(dòng)器 3460 0
高通公司總裁 Cristiano Amon 在2018 高通 4G / 5G 峰會(huì)上表示:預(yù)計(jì)明年上半年和年底圣誕新年檔期將會(huì)是兩波 5G 手機(jī)上市潮,...
在本文中,我們將仔細(xì)研究氮化鎵 (GaN)晶體管,以及這種新的半導(dǎo)體技術(shù)如何有望徹底改變 D 類放大器的性能。 憑借其非常低的導(dǎo)通電阻、非常高且干凈的開(kāi)...
對(duì)緊湊而強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)的需求給設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。為了最大限度地提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們正在轉(zhuǎn)向高壓和高頻操作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)...
應(yīng)用于高密度電源設(shè)計(jì)的GaN半導(dǎo)體材料
GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計(jì)
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
探針臺(tái)測(cè)試的校準(zhǔn)通常會(huì)在同軸端面和探針端面分別進(jìn)行S參數(shù)的校準(zhǔn),同時(shí)在同軸端面進(jìn)行功率校準(zhǔn),通過(guò)兩級(jí)S參數(shù)校準(zhǔn)得到的參數(shù)對(duì)探針端面的功率進(jìn)行修正確保探針...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 3386 0
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