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半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
全球首款“反AI變臉刑偵檢測工具”,專用于檢測AI變臉/換臉造假技術(shù)
DARPA 的這款工具主要是基于紐約州立大學(xué)奧爾巴尼分校教授Siwei Lyu和他的學(xué)生 Yuezun Li 和 Ming-Ching Chang 的共...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方案
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2025-03-13 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)驅(qū)動電路功率器件 1.3萬 0
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前,GaN的制造...
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔
GaN有哪些特點(diǎn)為什么5G通信要使用GaN技術(shù)來實(shí)現(xiàn)
在射頻和功率應(yīng)用中,氮化鎵(GaN)技術(shù)正日益盛行已成為行業(yè)共識。GaN器件分為射頻器件和電力電子器件,射頻器件產(chǎn)品包括PA、 LNA、開關(guān)器、 MMI...
條件GANs已經(jīng)應(yīng)用與多種跟圖像有關(guān)的任務(wù)中了,但分辨率通常都不高,并且看起來很不真實(shí)。而在這篇論文中,英偉達(dá)和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員共同提出了一...
2018-01-11 標(biāo)簽:gan深度學(xué)習(xí) 1.2萬 0
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)?拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN)+碳化硅(SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...
氮化鎵(GaN)開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進(jìn)展。 GaN晶體管的開關(guān)效率很高。 這允許開發(fā)轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...
GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實(shí)驗(yàn)分析
GaN(氮化鎵)器件由于具有諸如高開關(guān)速度,更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2],[3],但是GaN器件的一個缺點(diǎn)是電...
2021-03-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN 1.2萬 0
GAN新手必讀:如何將將GAN應(yīng)用于NLP(論文筆記)
GAN 自從被提出以來,就廣受大家的關(guān)注,尤其是在計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域引起了很大的反響。“深度解讀:GAN模型及其在2016年度的進(jìn)展”[1]一文對過去一年G...
典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié):外延生長-器件隔離-歐姆接觸(制作源極、漏極)-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相,目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國防領(lǐng)域,但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后,可...
SiC性能在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)超過GaN
作者:United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾 諸如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶...
2018-02-28 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管SiCGaN 1.1萬 1
充電機(jī)直流母線上的紋波會影響電池壽命嗎?詳細(xì)數(shù)據(jù)分析
電池是一個不同SOC和頻率存在較大響應(yīng)差異的,紋波的迭代主要在頻率響應(yīng)上對電池產(chǎn)生影響。
工程師于是感到非常困惑,GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒有體二極管?
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