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      gan技術(shù)

      深入了解 GaN 技術(shù)

      深入了解 GaN 技術(shù)

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      2023-12-06 標(biāo)簽：柵極氮化鎵GaN 7.4k 0

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      2025-09-05 標(biāo)簽：pcb轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器 7.4k 0

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      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 7.3k 0

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      2020-03-24 標(biāo)簽：pcb氮化鎵GaN 7.3k 0

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      激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍(lán)光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來的三元或者四元體系。

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      麻省理工的工程師們開發(fā)出一種新的技術(shù)，這種技術(shù)除了硅以外還可以使用其他一系列特殊材料制成超薄半導(dǎo)體薄膜。為了展示他們的技術(shù)，研究人員使用砷化鎵、氮化鎵和...

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      氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢(shì)

      　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

      2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 7k 0

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      2024-02-03 標(biāo)簽：LED顯示屏參數(shù)半導(dǎo)體材料 6.8k 0

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