完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > gan
文章:1998個(gè) 瀏覽:78662次 帖子:160個(gè)
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于,降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
是十款各具特色的GANs,深入了解其數(shù)學(xué)原理
InfoGAN是生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)信息理論的擴(kuò)展,能夠以完全非監(jiān)督的方式得到可分解的特征表示。它可以最大化隱含(latent)變量子集與觀測(cè)值之間的互信息(m...
2018-07-20 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 5.8k 0
40W兩級(jí)高效無(wú)頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹
隨著辦公照明和商業(yè)照明市場(chǎng)日趨成熟,高PF、低諧波、低成本、無(wú)頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動(dòng)小型化的要求,...
LMG5200開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的100 GHz觀察儀器系統(tǒng)
當(dāng)測(cè)定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級(jí)上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測(cè)定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您...
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價(jià)格-性能分析
在設(shè)計(jì)電力電子設(shè)備時(shí),我們需要評(píng)估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求,以優(yōu)化設(shè)計(jì)周期時(shí)間,從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內(nèi)燃機(jī)(ICE)到全電動(dòng)未來(lái)的巨變。VisIC Technologies的功率...
2021-03-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器GaN 5.7k 0
能不能用GAN破解標(biāo)注數(shù)據(jù)不足的問(wèn)題呢
在計(jì)算機(jī)視覺(jué)領(lǐng)域,深度學(xué)習(xí)方法已全方位在各個(gè)方向獲得突破,這從近幾年CVPR 的論文即可看出。但這往往需要大量的標(biāo)注數(shù)據(jù),比如最著明的ImageNet數(shù)...
2019-07-14 標(biāo)簽:GAN計(jì)算機(jī)視覺(jué)大數(shù)據(jù) 5.7k 0
生物統(tǒng)計(jì)學(xué)家Alexia Jolicoeur-Martineau發(fā)表了一篇令人矚目的論文,她指出現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)GAN(SGAN)訓(xùn)練生成器時(shí),不僅應(yīng)該提高偽...
2018-07-07 標(biāo)簽:GAN 5.6k 0
什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),GaN 充電器的運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN很強(qiáng)大,但也有很多造成GAN難以使用的缺陷。本文介紹了可以克服GAN訓(xùn)練缺點(diǎn)的一些解決方案,有助于提高GAN性能。
2019-02-13 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN 5.6k 0
激光器芯片根據(jù)材料體系有GaN基藍(lán)光系列、砷化鎵、磷化銦等組合起來(lái)的三元或者四元體系。每一種體系由于其最優(yōu)的外延基板不同,P、N面打金線方向不同,有正負(fù)...
控制、驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換
了解關(guān)鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術(shù)如何直接通過(guò)部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復(fù)雜的多級(jí)控制拓?fù)鋪?lái)解決面臨的挑戰(zhàn)。
氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽:功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.5k 1
氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...
氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...
谷歌開(kāi)源TFGAN輕量級(jí)的工具庫(kù) 目的是讓訓(xùn)練和評(píng)估GAN變得更加簡(jiǎn)單
三年前,蒙特利爾大學(xué) Ian Goodfellow 等學(xué)者提出「生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)」(Generative Adversarial Networks,GAN...
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸,...
硅基GaN為固態(tài)射頻能量應(yīng)用帶來(lái)更多可能
等離子燈自發(fā)明以來(lái)便由磁控管供電,磁控管的平均壽命預(yù)計(jì)在500至1000小時(shí)。在評(píng)估等離子燈的價(jià)值時(shí),這是一個(gè)重要的考慮因素。對(duì)此,美國(guó)海軍天文臺(tái)提供...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |