在PA設(shè)計(jì)中GaN的I-V曲線有多重要？

作為一項(xiàng)相對較新的技術(shù)，氮化鎵 (GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。

2018-06-27 標(biāo)簽：GaNPA 8451 0

設(shè)計(jì)了一個(gè)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合型模型來預(yù)測股票價(jià)格，為什么這么形容？

首先，要了解什么因素會影響 GS 的股票價(jià)格波動(dòng)，需要包含盡可能多的信息（從不同的方面和角度）。將使用 1585 天的日數(shù)據(jù)來訓(xùn)練各種算法（70% 的數(shù)...

2019-04-22 標(biāo)簽：GaN深度學(xué)習(xí)強(qiáng)化學(xué)習(xí) 8404 0

詳盡解釋GAN的發(fā)展脈絡(luò)和最新進(jìn)展PPT

GAN 網(wǎng)絡(luò)是近兩年深度學(xué)習(xí)領(lǐng)域的新秀，一時(shí)風(fēng)頭無兩。從計(jì)算機(jī)視覺頂會盛會 CVPR 2018 接受的論文統(tǒng)計(jì)就可見一斑：根據(jù) Google Resea...

2018-09-18 標(biāo)簽：GAN機(jī)器學(xué)習(xí)深度學(xué)習(xí) 8297 0

GAN應(yīng)用缺陷的解決方法分享

盡管 GAN 領(lǐng)域的進(jìn)步令人印象深刻，但其在應(yīng)用過程中仍然存在一些困難。本文梳理了 GAN 在應(yīng)用過程中存在的一些難題，并提出了最新的解決方法。

2019-02-22 標(biāo)簽：GaNModel 8284 0

基于GaN的LLC解決方案縮小尺寸并提高效率

GaN 高電子遷移率晶體管 (GaN HEMT) 具有更低的驅(qū)動(dòng)損耗和更短的死區(qū)時(shí)間電路優(yōu)勢，因?yàn)闁艠O顯著減少 與硅 MOSFET 相比，GaN 高電子...

2021-10-11 標(biāo)簽：GaNLLC 8250 0

#參考設(shè)計(jì)#（900 V PowiGaN 開關(guān)）的 60 W 隔離反激式適配器

使用 InnoSwitch3-EP（900 V PowiGaN 開關(guān)）的 60 W 隔離反激式適配器 *附件：DER-982 60W 12V5A 90-...

2024-08-22 標(biāo)簽：GaNPOWI隔離反激式適配器 8083 0

GaN功率電子器件的技術(shù)路線

目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面...

2019-08-01 標(biāo)簽：MOSFETGaN 8013 0

#參考設(shè)計(jì)#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源

72 W隔離反激式電源，適用于采用InnoSwitch 4-QR（INN 4275 C-H186）高頻準(zhǔn)諧振開關(guān)IC的電器，可實(shí)現(xiàn)最小Transform...

2024-06-11 標(biāo)簽：電源GaN隔離反激式電源 7958 0

GaN功率晶體管的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測量技術(shù)的挑戰(zhàn)和方法

動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。然而，許多工程師都在努力評估動(dòng)態(tài) RDS(ON)，因?yàn)楹茈y以足夠的分辨率對其進(jìn)行一致測量。...

2021-10-27 標(biāo)簽：電阻晶體管測量 7693 0

新GAN技術(shù)應(yīng)用多層次特征的風(fēng)格遷移人臉生成器你了解嗎

GAN 自 2014 年提出以來得到了廣泛應(yīng)用。前不久效果令人震驚的 ICLR 2019 論文 BigGAN 引發(fā)了眾多關(guān)注。去年英偉達(dá)投稿 ICLR ...

2018-12-23 標(biāo)簽：RGBGAN英偉達(dá) 7678 0

激光雷達(dá)的工作原理及如何利用氮化鎵消除隱患

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...

2021-02-21 標(biāo)簽：散熱器氮化鎵GaN 7346 0

5G帶動(dòng)GaN崛起,LDMOS依然有優(yōu)勢

高功率放大器（HPA）通常用于國防、航空航天和氣象雷達(dá)等，從早期的分立或集成RF功率晶體管開始，一直到現(xiàn)在，已經(jīng)有好幾種有源器件半導(dǎo)體技術(shù)用于放大脈沖和...

2019-01-16 標(biāo)簽：GaNLDMOS5G 7229 0

深入了解 GaN 技術(shù)

深入了解 GaN 技術(shù)

2023-12-06 標(biāo)簽：柵極氮化鎵GaN 7018 0

什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN？其有何特點(diǎn)及應(yīng)用？

GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。

2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 7008 0

應(yīng)用筆記——GaN偏置電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記，雖然標(biāo)題是針對GaN偏置電路設(shè)計(jì)的一些基本準(zhǔn)則，但實(shí)際上對GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)...

2023-05-10 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)晶體管偏置電路 6986 0