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gan技術(shù)

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Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅(qū)動器、驅(qū)動器和輸出級。具體而言,新的高電子遷移率晶體管(HEMT)...

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寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運輸行業(yè)

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作者:Rolf Horn 投稿人:DigiKey 北美編輯 整個交通運輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場徹底的變革,內(nèi)燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標簽:二極管半導(dǎo)體SiC 1353 0

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納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件(PDK),以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器,邏輯和保護...

2023-09-01 標簽:充電器氮化鎵GaN 1337 0

遠山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測試方案

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遠山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

2025-01-14 標簽:功率器件SiCGaN 1326 0

TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題

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人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...

2024-12-18 標簽:德州儀器ti適配器 1314 0

碳化硅上的氮化鎵:襯底挑戰(zhàn)

RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò),氮化鎵(GaN)之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵(GaAs)和Si LDMOS相比,GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢:

2023-05-24 標簽:RF氮化鎵GaN 1298 0

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

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半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation(總部:東京都大田區(qū);總裁:Kazuma Sekiya)采用了KABRA(一種使用激光加工的晶錠切片...

2023-08-25 標簽:半導(dǎo)體晶圓功率器件 1292 0

低功耗GaN在常見交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢

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消費者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器,越來越多的用戶希望可以使用緊湊...

2023-12-11 標簽:充電器電源適配器GaN 1291 0

基于矢量量化字典與雙解碼器的人臉盲修復(fù)網(wǎng)絡(luò)

盡管生成式面部先驗和結(jié)構(gòu)化面部先驗最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復(fù)結(jié)果,穩(wěn)定、可靠生成更細粒度的臉部細節(jié)仍然是一個具有挑戰(zhàn)性的問題。

2023-03-08 標簽:解碼器GaN生成器 1290 0

全方面的電池應(yīng)用解決方案

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越來越多的無線和電池供電設(shè)備越來越多地滲透到日常生活中,其中包括電動汽車(EV)與太陽能儲能系統(tǒng)等應(yīng)用,如何對電池進行高效率的管理將是重要課題。本文將為...

2023-06-28 標簽:MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1286 0

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在電力電子器件的外延生長和器件制備過程中,特別是對于具有凹槽結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基勢壘二極管(TMBS)而言,ICP刻蝕將不可避免地損傷材料的表面,產(chǎn)生大...

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氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...

2023-09-04 標簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1272 0

針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!

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切割出片數(shù)量方面,以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例,在切割指定厚度為400微米的襯底時,KABRA工藝可切11片,相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

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GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標簽:半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1261 0

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針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

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2024-09-07 標簽:晶體管功率器件GaN 1258 0

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氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...

2023-02-25 標簽:氮化鎵GaNLEDs 1256 0

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專門設(shè)計來控制ZVS非互補有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器,以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。

2023-04-04 標簽:意法半導(dǎo)體GaN快充 1256 0

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什么是LiDAR? ? LiDAR 是Light Detection And Ranging(激光探測與測距)的縮寫,是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...

2024-05-16 標簽:GaNRohm激光探測技術(shù) 1251 0

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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機,5G手機有更快的傳輸速度,低時延,通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準的定位。
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    智慧家庭是智慧城市的最小單元,是以家庭為載體,以家庭成員之間的親情為紐帶,結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù),實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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    是德科技公司(Keysight,NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測量體驗。
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    LTE-Advanced
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  • 超外差接收機
    超外差接收機
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  • 藍牙m(xù)esh
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