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納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件(PDK),以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器,邏輯和保護...
TI的UCG28826無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題
人們對更小、更高效電源的需求不斷增長,進而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò),氮化鎵(GaN)之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵(GaAs)和Si LDMOS相比,GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢:
消費者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器,越來越多的用戶希望可以使用緊湊...
基于矢量量化字典與雙解碼器的人臉盲修復(fù)網(wǎng)絡(luò)
盡管生成式面部先驗和結(jié)構(gòu)化面部先驗最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復(fù)結(jié)果,穩(wěn)定、可靠生成更細粒度的臉部細節(jié)仍然是一個具有挑戰(zhàn)性的問題。
越來越多的無線和電池供電設(shè)備越來越多地滲透到日常生活中,其中包括電動汽車(EV)與太陽能儲能系統(tǒng)等應(yīng)用,如何對電池進行高效率的管理將是重要課題。本文將為...
2023-06-28 標簽:MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1286 0
利用缺陷信息數(shù)據(jù)庫探索界面工程,助力GaN基肖特基勢壘二極管的研究
在電力電子器件的外延生長和器件制備過程中,特別是對于具有凹槽結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基勢壘二極管(TMBS)而言,ICP刻蝕將不可避免地損傷材料的表面,產(chǎn)生大...
2022-10-08 標簽:二極管數(shù)據(jù)庫GaN 1278 0
氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料,禁帶寬度大于2.3eV,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,是研制微電...
2023-09-04 標簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1272 0
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!
切割出片數(shù)量方面,以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例,在切割指定厚度為400微米的襯底時,KABRA工藝可切11片,相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合,為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求,往往需要添加額外的電路或者輔助繞組,導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
CoolGaN和增強型GaN(通常指的是增強型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料,具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì),因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的...
基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標準的參考電源設(shè)計
專門設(shè)計來控制ZVS非互補有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器,以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。
2023-04-04 標簽:意法半導(dǎo)體GaN快充 1256 0
什么是LiDAR?LiDAR技術(shù)的新時代 前景廣闊未來可期
什么是LiDAR? ? LiDAR 是Light Detection And Ranging(激光探測與測距)的縮寫,是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...
2024-05-16 標簽:GaNRohm激光探測技術(shù) 1251 0
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