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gan技術(shù)

#參考設計#用于工業(yè)應用的60W雙輸出反激式電源（使用InnoMux2-EP（1700V PowiGaN））

60 W反激式轉(zhuǎn)換器，具有兩個獨立調(diào)節(jié)的CV輸出，使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP（IMX2353F-H415），用于具有高...

2024-11-19 標簽：反激式電源 GaN 工業(yè)電源 1450 0

Pre-Switch基于AI逆變器可實現(xiàn)電動汽車的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開關技術(shù)，Pre-Switch 展示了如何通過在每個開關位置僅使用三個分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 標簽：電動汽車逆變器 AI 1423 0

使用GaN實現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以為電信電源等應用提供高效設計；電動汽車充電；加熱，通風和空調(diào); 電器；和消費電源適配器。在工業(yè)應用中，氮化鎵取...

2022-07-29 標簽：氮化鎵 GaN 柵極驅(qū)動器 1416 0

氮化鎵晶體管的優(yōu)勢

當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...

2023-05-24 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1415 0

大面積燒結(jié)的進步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標簽：SiC 氮化鎵功率模塊 1415 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標簽：半導體 IGBT SiC 1415 0

【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優(yōu)化驗證

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù)，儀器系統(tǒng)對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

2020-08-11 標簽：SiC GaN 泰克科技 1408 0

從原理到實例：GaN為何值得期待？

2022-12-30 標簽：MOSFET 半導體電容 1408 0

氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...

2023-05-17 標簽：柵極驅(qū)動電路氮化鎵 1405 0

ICLR 2023 Spotlight：2D圖像轉(zhuǎn)換3D

本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL，它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進行 NeRF 建模時，如下圖所示，本文將人體分為 16 ...

2023-02-22 標簽：算法圖像 GaN 1402 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 標簽：功率器件 GaN HEMT 1400 0

德州儀器白皮書：GaN將能源效率推升至新高度

GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過去，這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關。然而，隨著整個行業(yè)制造工藝的改進和采用率的增加，挑戰(zhàn)逐漸集中到實施和系統(tǒng)設計上

2020-08-04 標簽：德州儀器 GaN 柵極驅(qū)動器 1398 0

適配MOSFET柵極驅(qū)動器以驅(qū)動GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設計的柵...

2024-02-29 標簽：MOSFET GaN 柵極驅(qū)動 1397 0

芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認可度極高。

2024-11-08 標簽：電源電源適配器氮化鎵 1394 0

基于ST 意法半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導體的集成柵極驅(qū)動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體...

2023-03-16 標簽：意法半導體 GaN Type 1392 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍寶石就特別困難，會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進一步提高。

2024-03-28 標簽：功率器件石墨烯 GaN 1392 0

GaN FET助力80 PLUS鈦金級效率

盡管工業(yè)電源（包括數(shù)據(jù)中心）的形狀和尺寸各異，但是它們的共同之處是需要保持安全、高效和穩(wěn)定。由于工業(yè)電源需要在各種負載下，全天候保持高效率，因此80 P...

2023-02-08 標簽：電源轉(zhuǎn)換器 GaN 1392 0

GaN射頻器件的微波測試介紹

隨著5G的推出，新的無線電網(wǎng)絡基礎設施的一個重要環(huán)節(jié)是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要無故障運行，往往是在極端條件下，而且5G標準提出了更...

2022-09-13 標簽：微波 GaN 1388 0

如何用GaN開關實現(xiàn)高效率離線電源設計

與 InnoSwitch3 IC 一樣，MinE-CAP 利用 PowiGaN 器件的小尺寸和低導通電阻來提高系統(tǒng)性能。MinE-CAP 根據(jù)交流線路電...

2022-07-28 標簽：led 充電器散熱器 1386 0

為什么GaN的管子動態(tài)電流比靜態(tài)電流??？

性質(zhì)不同：靜態(tài)電流是沒有信號輸入時的電流，也就是器件本身在不受外部因素影響下的本身消耗電流。動態(tài)電流是把單位時間里通過導體任一橫截面的電量。

2023-02-25 標簽：GaN 靜態(tài)電流電源芯片 1375 0

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關愛的家庭生活方式。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務涉及電子、金融、機械、化學等眾多領域。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡設計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波技術(shù)是5G應用中一項重要的基礎技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應用等方面的需求。
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