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氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領(lǐng)域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
氮化鎵(GaN)是一種具有半導體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體即寬帶隙半導體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求,智...
絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示, AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到,由下往上依次為180nm高溫A...
關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...
20世紀40年代后,傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料,與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素燈...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點,被稱為第三代半導體,它具有更...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點,被稱為第三代半導體,它具有更...
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導通電阻等優(yōu)點,能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝,在新一代高...
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內(nèi)將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...
作為第三代半導體的核心材料之一,GaN其主要有三個特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在:體積小,重量輕;功率密度...
通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法(MOCVD)生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導體材料?這種材料的特性是什么?
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導率等特點,寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
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