用氮化鎵重新考慮功率密度

作為一種寬帶隙晶體管技術，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，...

2023-04-07 標簽：轉換器逆變器晶體管 1074 0

WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅...

2024-09-27 標簽：驅動器SiCGaN 1071 0

氮化鎵（GaN）充電頭安規(guī)問題及解決方案

什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...

2025-02-27 標簽：氮化鎵GaN充電頭 1070 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長...

2022-04-15 標簽：晶片GaN清洗 1067 0

雷達的常見分類方法及發(fā)展趨勢

GaN技術可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優(yōu)化，在雷達中的應用有以下優(yōu)勢和劣勢： 優(yōu)勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...

2023-07-10 標簽：氮化鎵GaN 1059 0

氮化鎵能實現多強大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計...

2023-10-13 標簽：芯片驅動器FET 1058 0

1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

近年來，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導體的開發(fā)和市場導入速度加快，但與硅相比成本較高的問題依然存在。

2023-06-15 標簽：功率器件GaN功率半導體 1053 0

淺談第三代半導體的氮化鎵性能優(yōu)勢

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術在 GaN 材料...

2023-11-17 標簽：MOSFETIGBT氮化鎵 1053 0

羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅動器

通常GaN Hemt驅動存在2個難題：驅動電壓低，容易誤啟動；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅動器，不僅增加了設計復雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。

2023-07-23 標簽：驅動器GaN外圍電路 1053 0

下一代射頻芯片工藝路徑是什么樣的

在建模實驗中，imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實現的性能：全 CMOS 實現、帶有 SiGe 異質結雙極晶體管 (HB...

2023-08-14 標簽：功率放大器移動通信GaN 1049 0

新型隔離式Σ-Δ調制器如何提高和增強系統(tǒng)電流測量精度

最新的隔離式調制器通過優(yōu)化內部模擬設計和使用最新斬波技術來改善失調和增益誤差相關的性能，這極大地簡化了系統(tǒng)設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標簽：adcSiC調制器 1046 0

使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是...

2024-02-13 標簽：電源DCGaN 1041 0

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...

2023-04-03 標簽：驅動器PCB設計氮化鎵 1041 0

遠山半導體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

2024-10-29 標簽：半導體功率器件氮化鎵 1035 0

Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異

RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；

2023-11-21 標簽：功率放大器電源管理負電壓 1033 0

如何驗證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標簽：氮化鎵程序GaN 1024 0

第三代半導體器件的機會在哪里

與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小和抗輻射能力強等特...

2023-05-18 標簽：半導體SiCGaN 1021 0

車規(guī)級功率器件可靠性測試難點及應用場景

車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢，GaAs在細分領域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...

2023-07-04 標簽：功率器件SiCGaN 1021 0

幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點

本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...

2023-02-27 標簽：PCB驅動器氮化鎵 1018 0