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      標簽　>　gan

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      淺談GaN 異質(zhì)襯底外延生長方法

      HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...

      2023-06-11 標簽：GaNGaN晶體管 884 0

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      在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著...

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        藍牙4.2
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