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技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
企業(yè)服務(wù)器、交換機、基站和存儲硬件設(shè)計師都在尋求在其主板上提高功率密度和效率。隨著主板上元件數(shù)量的增加和外形尺寸的減小,電源密度成為進一步減小面積的限制...
集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸,實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時,集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...
2023-02-06 標簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 865 0
SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍,允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學性質(zhì)的半導體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導通。到目前為止,設(shè)計人員只能使用兩個N型MOSFE...
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機驅(qū)動效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...
意法半導體VIPerGaN系列高壓GAN轉(zhuǎn)換器簡介
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器,可在寬范圍工作電壓(9 V至2...
2023-06-21 標簽:轉(zhuǎn)換器usb意法半導體 838 0
充電器,已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
在GaN快充問世的前兩年,許多人還處在觀望狀態(tài),然而再經(jīng)過兩年之后,GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟,并席卷快充市場。GaN等第三代半導體的出現(xiàn),為各相...
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達摩院指出,近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),直接帶隙約為3.4eV,目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性,在室溫下用濕法化...
GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復問題
歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中,我們介紹了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,以及一系列旨在減少模擬信號鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳...
2024-07-08 標簽:轉(zhuǎn)換器德州儀器GaN 810 0
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