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Texas Instruments UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instrument UCC27444/UCC27444-Q1 4A低側(cè)柵極驅(qū)動器是一款有效驅(qū)動MOSFET和GaN電源開關(guān)的高速、雙通道、...
2025-08-05 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)GaN 695 0
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)模式...
德州儀器技術(shù)干貨 GaN 如何改進(jìn)光伏充電控制器
本應(yīng)用簡報(bào)介紹 TI GaN 器件如何改進(jìn)光伏充電控制器。與 MOSFET 相比,使用 TI GaN 器件可提高效率并減小 PCB 尺寸,而且不會增加 ...
2025-07-28 標(biāo)簽:德州儀器電源轉(zhuǎn)換器GaN 3.4k 0
英飛凌 120 W USB PD用于多端口充電應(yīng)用的XDPS2221E控制器和CoolGaN?開關(guān)
在多端口USBPD充電應(yīng)用中,英飛凌推出了一款高效、創(chuàng)新的120WUSB電源傳輸(PD)評估板,采用XDP數(shù)字電源XDPS2221E控制器和CoolGa...
基于板級封裝的異構(gòu)集成作為彌合微電子與應(yīng)用差距的關(guān)鍵方法,結(jié)合“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”理念,通過SiP技術(shù)集成多材料(如Si、GaN、光子器件等)裸片...
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂,當(dāng)前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長,尤其是在住宅太陽能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微...
通常來講,充電器輸出功率的增加,充電器的體積也要相應(yīng)擴(kuò)大。因?yàn)閮?nèi)置GaN芯片的使用,快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點(diǎn),所以快充充電器比...
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈...
2025-07-11 標(biāo)簽:半橋場效應(yīng)晶體管GaN 433 0
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實(shí)踐
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧...
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3650EVM子卡評估模塊支持兩個LMG3650R025 650V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能,...
準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域,特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動電路、保護(hù)電路...
方案介紹 | 東科24W集成GAN器件高PF低THD的恒壓LED方案分享
本文將為大家介紹以DK8924AN為核心的一款24WLED方案,具有恒壓精度高,待機(jī)功耗低,啟動迅速等特點(diǎn),適用于LED燈帶電源,智能照明等多種應(yīng)用場景...
同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有...
氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場強(qiáng)大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動器級、驅(qū)動器邏輯控制和保護(hù)功能。該驅(qū)動器可配...
納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動能力,可以顯著...
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負(fù)載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
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