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LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋,集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋...
應(yīng)用筆記:LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動器
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds(on) 和最大電流版本,L...
2025-02-21 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器FETGaN 462 0
技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動器、保護和零電流檢測
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 459 0
TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動 MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器,具有集成柵極驅(qū)動器,可用于基于硅和氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計。T...
2025-03-19 標(biāo)簽:PWM控制器GaN功率半導(dǎo)體 455 0
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 455 0
LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動器和保護介紹
LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 454 0
GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT,屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 453 0
HMC8415 40W(46 dBm),9GHz至10.5GHz,GaN功率放大器技術(shù)手冊
HMC8415LP6GE 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器,可在 9 GHz 至 10.5 GHz 的帶寬范圍內(nèi)提供 40 W (46 dBm) 的...
PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設(shè)計
此參考設(shè)計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件:PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封裝 GaN FET,集成驅(qū)動器和保護概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/p>
2025-02-21 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器FETGaN 444 0
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是這些應(yīng)用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 444 0
如今,追求功率密度和效率是當(dāng)今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動力,包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費電子產(chǎn)品、電動汽車和自動駕駛汽車等。
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式,顯著降低磁性元件體積,同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 437 0
HMC1086 25W GaN MMIC功率放大器技術(shù)手冊
HMC1086是一款25W氮化鎵(GaN)功率放大器MMIC,工作范圍為2至6 GHz。該放大器通常提供22 dB小信號增益,+44.5 dBm飽和輸出...
ADPA1106 46 dBm (40W)、2.7GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi),可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...
2025-03-07 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 422 0
LMG1025-Q1 具有 5V UVLO 的汽車類 7A/5A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LMG1025-Q1 是一款單通道低側(cè)增強型 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET 驅(qū)動器,適用于高開關(guān)頻率汽車應(yīng)用。窄脈沖寬度能力、快速開關(guān)規(guī)格和...
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,是適用于這些應(yīng)用場景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...
2025-03-09 標(biāo)簽:ICGaN數(shù)據(jù)手冊 422 0
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