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TI LMG2610詳解具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋

2025-02-20 標簽：轉換器 ti FET 544 0

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關速度，因此準確的測...

2025-02-27 標簽：測量 GaN HEMT 541 0

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。...

2025-05-15 標簽：半導體功率器件 SiC 537 0

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器介紹

LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù) 120V 脈沖氮化鎵（GaN） FET。該器件提供兩種 Rds（on）和最大電流版本，L...

2025-02-21 標簽：電平轉換器 FET GaN 536 0

TIDA-010042 基于GaN的400W MPPT充電控制器和電源優(yōu)化器參考設計

該參考設計是一款適用于 12V 和 24V 電池的最大功率點跟蹤 (MPPT) 太陽能充電控制器，未來可用作電源優(yōu)化器。該參考設計布局緊湊，適用于中小型...

2025-02-21 標簽：微控制器太陽能控制器 530 0

SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境

GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領域；GaN MOSFET 主打高頻領域。

2022-10-19 標簽：SiC GaN 528 0

TIDA-010936 適用于集成電機驅(qū)動器的48V/16A小型三相GaN逆變器參考設計

此參考設計展示了采用三個具有集成式 GaN FET、驅(qū)動器和自舉二極管的 100V、35A GaN 半橋 LMG2100R044 的高功率密度 12V ...

2025-02-21 標簽：逆變器 GaN 電機驅(qū)動器 524 0

HMC1099 10W GaN功率放大器，0.01-1.1GHz技術手冊

HMC1099是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在瞬時帶寬范圍為0.01 GHz至1.1 GHz時提供>10 W功率、69% PAE，增益平坦...

2025-03-12 標簽：功率放大器 GaN 518 0

應用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結

德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...

2025-02-25 標簽：驅(qū)動器封裝功率器件 517 0

TIDA-00909 適用于高速驅(qū)動器的 48V/10A 高頻 PWM 三相 GaN 逆變器參考設計

低電壓、高速驅(qū)動器和/或低電感無刷電機需要在 40 kHz 至 100 kHz 范圍內(nèi)具有更高的逆變器開關頻率，以最大限度地減少電機中的損耗和轉矩紋波。...

2025-02-26 標簽：驅(qū)動器逆變器 GaN 512 0

功率GaN：高效功率轉換的需求

隨著社會壓力不斷增大，越來越多的立法要求減少二氧化碳的排放。這一趨勢推動汽車、電信等行業(yè)加大投資，以提高電源轉換效率和電氣化水平。功率氮化鎵(GaN)技...

2023-02-09 標簽：電動汽車逆變器 GaN 512 0

GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊

GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列，該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導通電阻和高速開關性能，助力...

2025-03-07 標簽：GaN HEMT DFN封裝 507 0

基于德州儀器TOLL封裝GaN器件優(yōu)化電源設計

當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。

2025-05-19 標簽：電源設計封裝 GaN 503 0

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術文檔

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝...

2025-02-20 標簽：電源 FET GaN 502 0

ADPA1113 2GHz至6GHz，46 dBm (40 W)，GaN功率放大器技術手冊

ADPA1113 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器，可在 2.3 GHz 至 5.7 GHz 帶寬范圍內(nèi)實現(xiàn) 46.5 dBm (44.7 W)...

2025-03-10 標簽：放大器功率放大器 GaN 502 0

UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊

UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴格的全球能效標準，如 DoE VI 級和歐盟 CoC V5 Ti...

2025-03-24 標簽：可編程氮化鎵 GaN 499 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導通電阻和高速開關的...

2025-03-07 標簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊 HEMT 498 0

氮化鎵PD快充芯片U8733產(chǎn)品概述

芯片?恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運行。當檢測到系統(tǒng)溫度過高時，主動降功率功能會啟動...

2025-05-10 標簽：氮化鎵 GaN 快充芯片 497 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標簽：半導體充電器氮化鎵 491 0

LMG342x 評估模塊LMG342X-BB-EVM概述

LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉換器。...

2025-02-21 標簽：降壓轉換器氮化鎵 GaN 491 0

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