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ADPA1105 46 dBm (40W)、0.9GHz至1.6GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1105是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為0.9 GHz至1.4 GHz時提供46 dBm (40 W)功率和60%典型功率附加...
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率,實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手...
ICP1543 12-18 GHz、20W GaN功率放大器技術(shù)手冊
ICONICRF公司的ICP1543是一款采用裸芯片形式的三級單片微波集成電路(MMIC)功率放大器,采用碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)制造...
PMP22244:具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款適用于 USB Type-C 應(yīng)用的高密度 60W 115VAC 輸入電源,使用 UCC28782 有源鉗位反激式控制器、LMG2610...
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和S...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 414 0
BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...
2025-03-09 標(biāo)簽:GaN數(shù)據(jù)手冊HEMT 414 0
技術(shù)資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET
LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3...
2025-02-24 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器電壓檢測GaN 412 0
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計,包括但不...
HMC7885 2GHz至6GHz,45dBm功率放大器技術(shù)手冊
HMC7885是一款32 W氮化鎵(GaN)、單芯片微波集成電路(MMIC)功率放大器(PA)模塊,工作頻率范圍為2 GHz至6 GHz,提供18引腳密...
LMG3622EVM-082:LMG3622用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評估模塊
LMG3622EVM-082 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電 (PD) ...
2025-02-24 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN電流感應(yīng) 408 0
安森美高效電源方案:基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案,支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率,最大...
技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN
LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能,使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比,...
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFET電子系統(tǒng)GaN 407 0
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。
HMC7149 10W GaN MMIC功率放大器,6-18GHz技術(shù)手冊
HMC7149是一款10W氮化鎵(GaN) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為6至18 GHz。 通常情況下,該放大器提供20 dB的小信號增益、+40...
具有集成驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
德州儀器(TI)推出了一種新的集成氮化鎵(GaN)功率級產(chǎn)品家族,該家族采用了一種低成本緊湊的四方扁平無引線(OFN)封裝,封裝尺寸為12毫米x12毫米...
ADPA1107 45.0 dBm (35W)、4.8GHz到6.0GHz、GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1107 是一款氮化鎵 (GaN) 寬帶功率放大器,可在 4.8 GHz 至 6.0 GHz 帶寬范圍內(nèi)實現(xiàn) 45.0 dBm (35 W) 輸...
HMC1114 10W GaN功率放大器,2.7GHz至3.8GHz技術(shù)手冊
HMC1114是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,在帶寬范圍為2.7 GHz至3.8 GHz時提供10 W功率,PAE超過50 %。 HMC1114提...
LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 ...
LMG3624EVM-081評估模塊:用于帶 USB Type-C? PD 的 65W 準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器
LMG3624EVM-081 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3624 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 功率傳輸 (PD...
2025-02-21 標(biāo)簽:適配器反激式轉(zhuǎn)換器FET 399 0
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